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| 原子层刻蚀系统 | |
| 项目所在采购意向: | ****2026年08月政府采购意向 |
| 采购单位: | **** |
| 采购项目名称: | 原子层刻蚀系统 |
| 预算金额: | 450.000000万元(人民币) |
| 采购品目: | |
| 采购需求概况 : |
能够高质量完成结晶IGZO薄膜、HfO2、ZrO2等高 k 介质原子层刻蚀,单循环刻蚀量≤0.1nm,精准控深;IGZO/HfO2异质层刻蚀选择比≥50:1,侧壁倾角≥85°,各向异性优异,适配高深宽比微纳加工;等离子损伤低,≥0.2μm 新增颗粒≤0.3 个 /cm3,器件场效应迁移率可达 90cm2V-1s-1 以上。
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| 预计采购时间: | 2026-08 |
| 备注: | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写