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像素探测器硅基微流道散热基板加工-需求公告

公告-招标公告

北京 -北京

发布时间： 2026年07月19日

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探测器基板公告

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像素探测器硅基微流道散热基板加工-需求公告

发布日期：2026-07-19

采购编号：

****

报价截止日期：

2026-07-27 00:00

供应商资质要求：

有营业执照，无违规违纪记录。

采购物品需求清单序号物品名称品牌/生产商指标需求计量单位采购数量交货周期交货地点备注

1	像素探测器硅基微流道散热基板_1		技术要求：采用光刻技术及深硅刻蚀工艺，在硅基板加工最大深度为0.4mm的微流道沟槽；采用激光打孔工艺，在一块玻璃基板上完成进出口加工；采用阳极工艺，实现硅基板与玻璃基板之间的键合，形成微流道基板，键合完毕，键合间隙不允洗存在0.5mm以上的气泡；采用光刻及钛/镍/金多层电镀工艺，完成玻璃基板进出口表面金属焊盘加工；加工镀金接管，通过真空金属键合工艺，完成接管与硅微流道基板加工；进行水密性检测（5Mpa无泄露），对于未达标的器件，进行二次真空金属键合，满足接管与硅微流道基板的密封需求；配合甲方完成设计优化与迭代，满足散热、密封和可靠需求	wafer	3	4-6周	市区路19号乙**主楼
2	像素探测器硅基微流道散热基板_2		技术要求：采用光刻技术及深硅刻蚀工艺，在两块不同硅基板加工最大深度为0.4mm的微流道沟槽；采用激光打孔工艺，在一块硅板上完成进出口加工；采用硅硅直接键合工艺，实现两块硅基板之间的直接键合，形成微流道基板；键合完毕，键合间隙不允洗存在0.5mm以上的气泡；采用光刻及钛/镍/金多层电镀工艺，完成微流道表面金属焊盘加工；加工镀金接管，通过真空金属键合工艺，完成接管与硅微流道基板加工；进行水密性检测（5Mpa无泄露），对于未达标的器件，进行二次真空金属键合，满足接管与硅微流道基板的密封需求；配合甲方完成设计优化与迭代，满足散热、密封和可靠需求	wafer	4	4-6周	市区路19号乙**主楼

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