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| 1 | 单片机 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-40~105℃ 2V~3.6V "处理器类型:arm,F103系列 CPU位数:32位 闪存容量:128KB CPU内核:ARM Cortex-M3 CPU最大主频:72MHz CPU位数;附加技术条件:封装:LQFP-48 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 2 | RS422通讯芯片 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-40~85℃ 3V~3.6V "数据速率:250Kpbs 通讯模式:全双工、RS-422 静态电流:2.2mA";附加技术条件:封装:SO-8 | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 3 | 运算放大器 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-40~125℃ 1.8V~5.5V "放大器数:2 轨到轨:轨到轨输入,轨到轨输出 增益带宽积:10MHz 输入失调电压:1.6mV 输入失调电压温漂:530nV/℃ 压摆率:6.5V/u;附加技术条件:封装:SOIC-8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 4 | 仪表放大器 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:-温度范围:40~85℃ 4.5V~36V "放大器数:1 共模抑制比(CMRR):115dB 输入失调电压:50uV 压摆率:0.6V/us 输入失调电压温漂:250nV/℃ 增益带宽积:1MHz(;附加技术条件:封装:PDIP-8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 5 | 模拟开关 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-40~85℃ 2.7V-12V "导通电阻:60Ω; 工作电压:2.7V~12V; 导通电阻:13pF; 导通时间:35ns; 关闭时间:25ns;";附加技术条件:封装:SOT-23-8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 6 | 看门狗 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:-温度范围:55~125℃ 1.2V~5.5V "复位阈值电压:3.08V 超时时间:1.6s 重置延迟时间:200ms";附加技术条件:封装:CERDIP-8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 7 | DCDC电源芯片 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:-温度范围:55~125℃ 3V~3.6V "功能类型:升降压型 输出电流:2A 开关频率:200kHz~2.5MHz 同步整流:否 拓扑结构:反相式;SEPIC;升压式";附加技术条件:封装:MSOP-8 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 8 | 滤波器 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-55~85℃ 额定28V,最高100V输入电压 "额定电流:10A; 直流电阻:≤22mΩ@25℃; 绝缘电阻:≥100MΩ;";附加技术条件:封装:长×宽×高:27×21×11 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 9 | 防反接理想二极管“或”控制器 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:-温度范围:40~85℃ 9V~80V "栅极关断时间:0.3~0.4us 输出电流:2~3mA 外置MOS管";附加技术条件:封装:MSOP-16 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 10 | 集成电感同步电流降压模块 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:温度范围:-55~100℃ 7V~85V "导通阻抗:500/240mΩ 输出电流:1.4A平均电流 工作频率:555kHz 内部电感量:22uH 软启动时间:2ms 内置2个LDO ";附加技术条件:封装:QFN6x6-24 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 11 | 集成电感降压芯片 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:温度范围:-55~125℃ 4.5V~18V "输出电流:5A 工作频率:400~600kHz 最小导通时间:100ns 高边MOS内阻:50mΩ 低边MOS内阻:15mΩ 内部电感量:1uH";附加技术条件:封装:QFN5x5-20 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 12 | 理想二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:普军;规格:温度范围:-40~100℃ 7V~80V "正向导通压降≤0.1V 最大负载电流20A";附加技术条件:封装:DFN15.****.4-3 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 13 | 驱动芯片 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-40~125℃ 8V~100V 驱动类型:三相 集成FET否 半桥数量:3 输出电流:1A800mA 峰值电流:800mA;附加技术条件:封装:QFN-28 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 14 | 发光二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;技术标准号:工业级;规格:温度范围:-30~85℃ / "正向压降:2.1V 功率:75mW 波长:584.5nm~597nm 发光强度1.4mcd 发光角度:130° 发光颜色:黄色";附加技术条件:封装:0603 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 15 | 肖特基二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:DO-214AC 温度范围:-55~125℃ / "正向压降:450mV@3A 直流反向耐压:40V 整流电流:3A 非重复峰值浪涌电流:80A" | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 16 | TVS二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:DO-214AB 温度范围:-65~150℃ / "极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 钳位电压:9.2V 峰值脉冲电流:163A 峰值脉冲功率(Ppp):1.5KW@10/10 | 9.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 17 | TVS二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:-2 温度范围:-40~125℃ / "极性:双向 反向截止电压(Vrwm):3.3V 钳位电压:3.7V 动态电阻:0.25Ω 击穿电压(VBR):4.2V Cj结电容:0.24pF | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 18 | 肖特基二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SOT-23-3 温度范围:-55~150℃ / "正向压降:1V@100mA; 直流反向耐压:30V; 整流电流:200mA; 反向电流:2uA@25V; 非重复峰值浪涌电流:600m | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 19 | 电位器 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:插件-3P,9.5x4.8mm 温度范围:-55~125℃ / "阻值:10KΩ 精度:±10% 功率:500mW 温度系数:±100ppm/℃ 圈数:25" | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 20 | 外部晶振 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:HC-49S-SMD 温度范围:-55~125℃ / "频率:8MHz 常温频差:±30ppm 负载电容:20pF 频率稳定度:±100ppm 等效串联电阻:60Ω" | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 21 | TVS二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:封装:DO-128AB 温度范围:-55~175℃ / "极性:双向; 反向截止电压(Vrwm):40V; 钳位电压:64.5V; 峰值脉冲电流(Ipp)102A@10/1000us; 峰值脉冲功率 | 6.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 22 | 稳压二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SOD-123 温度范围:-55℃~+150℃ / "稳压值(标称值):12V; 反向电流(Ir):****@9.1V; 稳压值(范围):11.4V~12.6V; 耗散功率(Pd):500 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 23 | 肖特基二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SMC 温度范围:-65℃~+175℃ / "正向压降:≯790mV@3A; 直流反向耐压:≮100V; 整流电流:3A; 反向电流:≯50uA@100V; 峰值浪涌电流(非重复):13 | 4.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 24 | 肖特基二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SOD-123FL 温度范围:-55℃~+125℃ / "正向压降:≯550mV@1A; 直流反向耐压:≮40V; 整流电流:1A; 反向电流:≯500uA@40V; 峰值浪涌电流(非重 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 25 | 肖特基二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SMB 温度范围:-65℃~+175℃ / "正向压降:≯630mV@3A; 直流反向耐压:≮60V; 整流电流:3A; 反向电流:≯30uA@60V; 峰值浪涌电流(非重复):125A | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 26 | 整流二极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SOD-323 温度范围:-55℃~+150℃ / "耗散功率(Pd):200mW; 整流电流:150mA; 直流反向耐压(Vr):100V; 正向压降(Vf):1.25V@150mA; | 6.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 27 | 电感 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SMD,3.9mm×3.9mm 温度范围:-40℃~+125℃ / | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 28 | NMOS管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SON-8 温度范围:-55℃~+175℃ / "漏源电压(Vdss):100V; 连续漏极电流(Id):100A; 导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@6V; 耗散功率(Pd):1 | 8.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 29 | PMOS管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:TO-262 温度范围:-55℃~+150℃ / "漏源电压(Vdss):100V; 连续漏极电流(Id):38A; 导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V; 耗散功率(Pd):3 | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 30 | 三极管 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:SOT-89 温度范围:-55℃~+150℃ / "集电极电流(Ic):700mA; 集射极击穿电压(Vceo):160V; 耗散功率(Pd):1.3mW; 射基极击穿电压(Vebo): | 1.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 | |||||
| 31 | 霍尔传感器 | 元器件/其它元器件 | 型号/件号:根据最终结果确定采购型号;规格:工业级 封装:To-92S 温度范围:-55℃~+150℃ / "电源电压:3.8V~60V 电源电流:≯10mA 工作频率:0~100kHz 引脚定义:1:电源;2:电源地; 3:信号输出;" | 2.0 | 件 | 一次性交货 | 2026/09/30 |