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| ****(FabX厂区) | 建设单位代码类型:|
| ****0115MA1H75BC4F | 建设单位法人:赵励 |
| 韩建国 | 建设单位所在行政区划:**省**市**区 |
| ******开发区龙拓路1号 |
| 3英寸化合物半导体芯片制造项目 | 项目代码:|
| 建设性质: | |
| 2021版本:080-电子器件制造 | 行业类别(国民经济代码):C3976-C3976-光电子器件制造 |
| 建设地点: | **省**市**区 龙拓路1号 |
| 经度:119.951300 纬度: 31.653750 | ****机关:****环境局 |
| 环评批复时间: | 2024-10-11 |
| 常武环审〔2024〕253号 | 本工程排污许可证编号:**** |
| 2025-06-20 | 项目实际总投资(万元):47000 |
| 950 | 运营单位名称:**** |
| ****0115MA1H75BC4F | 验收监测(调查)报告编制机构名称:**** |
| ****0115MA1H75BC4F | 验收监测单位:******公司 |
| ****0412MA21T81WXJ | 竣工时间:2026-05-12 |
| 2026-05-12 | 调试结束时间:2026-05-20 |
| 2026-07-06 | 验收报告公开结束时间:2026-07-31 |
| 验收报告公开载体: | http://www.****.com |
| ** | 实际建设情况:** |
| 无变动 | 是否属于重大变动:|
| 3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片5000万颗/年 | 实际建设情况:3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片3000万颗/年 |
| 分期建设 | 是否属于重大变动:|
| 基片检查——装片——生长GaAs缓冲层——生长N型DBR层——生长多量子阱——生长P型DBR层——降温取片——检测——晶圆清洗——介质膜沉积——光刻、显影——光刻胶灰化——介质膜蚀刻——去胶——干法蚀刻——湿法蚀刻——氧化——金属沉积——金属剥离、退火——键合——减薄抛光——背面金属沉积——电镀——去键合——划裂片——Bar条排列——光学镀膜——激光打标——封装 | 实际建设情况:基片检查——装片——生长GaAs缓冲层——生长N型DBR层——生长多量子阱——生长P型DBR层——降温取片——检测——晶圆清洗——介质膜沉积——光刻、显影——光刻胶灰化——介质膜蚀刻——去胶——干法蚀刻——湿法蚀刻——氧化——金属沉积——金属剥离、退火——键合——减薄抛光——背面金属沉积——电镀——去键合——划裂片——Bar条排列——光学镀膜——激光打标——封装 |
| 无变动 | 是否属于重大变动:|
| 废水:生活污****处理厂集中处理,工艺产生的废水分质分流处理(含砷废水经二级混凝沉淀+树脂吸附处理,综合废水一并经混凝沉淀+A/O生化处理),最终和制纯水浓水、循环冷却水一起接管****处理厂; 废气:外延生长废气经设备内置过滤器吸附+燃烧设施+碱液喷淋处理、介质膜蚀刻废气经等离子燃烧处理、干法蚀刻废气经等离子燃烧处理后和石英件清洗、腔体清洁、二次外延准备废气、湿法蚀刻废气一起经一级碱液喷淋处理后合并通过1根25m高1#排气筒排放;外延冷阱清洗废气、检测废气、晶圆清洗碱性废气、介质膜沉积废气、湿法蚀刻碱性废气、污水站废气经一级酸液喷淋处理后通过1根25m高2#排气筒排放;晶圆清洗废气、去胶废气、光刻废气、金属剥离废气、键合、去键合废气通过两级活性炭处理后通过1根25m高3#排气筒排放;危废库废气经一套两级活性炭处理后通过1根15m高4#排气筒排放; 噪声:选用低噪声设备,对高噪声设备须采取有效减振、隔声等降噪措施并合理布局; 固废:严格按照有关规定,分类处理、处置固体废物,做到**化、减量化、无害化。危险废物须委托有资质单位安全处置。 | 实际建设情况:废水:生活污****处理厂集中处理,工艺产生的废水分质分流处理(含砷废水经二级混凝沉淀+树脂吸附处理,综合废水一并经混凝沉淀+A/O生化处理),最终和制纯水浓水、循环冷却水一起接管****处理厂; 废气:外延生长废气经设备内置过滤器吸附+燃烧设施+碱液喷淋处理、介质膜蚀刻废气经等离子燃烧处理、干法蚀刻废气经等离子燃烧处理后和石英件清洗、腔体清洁、二次外延准备废气、湿法蚀刻废气一起经一级碱液喷淋处理后合并通过1根25m高1#排气筒排放;外延冷阱清洗废气、检测废气、晶圆清洗碱性废气、介质膜沉积废气、湿法蚀刻碱性废气、污水站废气经一级酸液喷淋处理后通过1根25m高2#排气筒排放;晶圆清洗废气、去胶废气、光刻废气、金属剥离废气、键合、去键合废气通过两级活性炭处理后通过1根25m高3#排气筒排放;危废库废气经一套两级活性炭处理后通过1根15m高4#排气筒排放; 噪声:选用低噪声设备,对高噪声设备须采取有效减振、隔声等降噪措施并合理布局; 固废:严格按照有关规定,分类处理、处置固体废物,做到**化、减量化、无害化。危险废物须委托有资质单位安全处置。 |
| 无变动 | 是否属于重大变动:|
| 无 | 实际建设情况:无 |
| 无 | 是否属于重大变动:|
| 0 | 2520 | 2520 | 0 | 0 | 2520 | 2520 | |
| 0 | 0.211 | 0.806 | 0 | 0 | 0.211 | 0.211 | |
| 0 | 0.066 | 0.113 | 0 | 0 | 0.066 | 0.066 | |
| 0 | 0.004 | 0.0126 | 0 | 0 | 0.004 | 0.004 | |
| 0 | 0.075 | 0.151 | 0 | 0 | 0.075 | 0.075 | |
| 0 | 47430.529 | 47430.529 | 0 | 0 | 47430.529 | 47430.529 | |
| 0 | 0.811 | 7.1922 | 0 | 0 | 0.811 | 0.811 | |
| 0 | 0.017 | 4.04 | 0 | 0 | 0.017 | 0.017 | |
| 0 | 0.104 | 0.393 | 0 | 0 | 0.104 | 0.104 | |
| 0 | 0.013 | 0.0876 | 0 | 0 | 0.013 | 0.013 | |
| 0 | 39816 | 39816 | 0 | 0 | 39816 | 39816 | / |
| 0 | 0 | 0.0312 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0.055 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0.2418 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0.177 | 0.332 | 0 | 0 | 0.177 | 0.177 | / |
| 1 | 综合废水处理设施 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)中表1标准 | 已建设,混凝沉淀+A/O生化处理 | ******公司于2026年5月对进出口水质进行了监测 | |
| 2 | 含砷废水处理设施 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)中表1标准 | 已建设,二级混凝沉淀+树脂吸附处理 | ******公司于2026年5月对进出口水质进行了监测 |
| 1 | 外延生长废气经设备内置过滤器吸附+燃烧设施+碱液喷淋处理、介质膜蚀刻废气经等离子燃烧处理、干法蚀刻废气经等离子燃烧处理后和石英件清洗、腔体清洁、二次外延准备废气、湿法蚀刻废气一起经一级碱液喷淋处理后合并通过1根25m高1#排气筒排放 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020),《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041—2021)表1中标准 | 已建设,外延生长废气经设备内置过滤器吸附+燃烧设施+碱液喷淋处理、介质膜蚀刻废气经等离子燃烧处理、干法蚀刻废气经等离子燃烧处理后和石英件清洗、腔体清洁、二次外延准备废气、湿法蚀刻废气一起经一级碱液喷淋处理后合并通过1根25m高1#排气筒排放 | ******公司于2026年5月对排气筒出口进行了监测 | |
| 2 | 一级酸液喷淋+25m高2#排气筒 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表2标准、《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93)表 2标准 | 已建设,外延冷阱清洗废气、检测废气、晶圆清洗碱性废气、介质膜沉积废气、湿法蚀刻碱性废气、污水站废气经一级酸液喷淋处理后通过1根25m高2#排气筒排放 | ******公司于2026年5月及7月对排气筒进出口进行了监测 | |
| 3 | 两级活性炭+3#排气筒 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表2标准; | 已建设,晶圆清洗废气、去胶废气、光刻废气、金属剥离废气、键合、去键合废气通过两级活性炭处理后通过1根25m高3#排气筒排放 | ******公司于2026年5月对排气筒进出口进行了监测 | |
| 4 | 两级活性炭+15m高4#排气筒 | 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表2标准 | 已建设,危废库废气经一套两级活性炭处理后通过1根15m高4#排气筒排放 | ******公司于2026年5月对排气筒进出口进行了监测 |
| 1 | 采取分区防渗措施并加强管理。 | 采取分区防渗措施并加强管理。 |
| 1 | 一般固废堆场100平方米,危废仓库140平方米,严格按照有关规定,分类处理、处置固体废物,做到**化、减量化、无害化。危险废物须委托有资质单位安全处置。危险废物暂存场所须符合《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2023)要求设置,防止造成二次污染。 | 一般固废堆场20平方米,危废仓库140平方米,严格按照有关规定,分类处理、处置固体废物,做到**化、减量化、无害化。危险废物委托有资质单位安全处置。危险废物暂存场所符合《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2023)要求设置,防止造成二次污染。 |
| 1 | **应急事故池300立方米,雨水收集池300立方米 | 已建应急事故池300立方米,雨水收集池300立方米 |
| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 无 | 验收阶段落实情况:无 |
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| 1 | 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 | |
| 验收结论 | 合格 |