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| 项目名称 | 超宽禁带半导体与光电器件团队2英寸铂铑坩埚采购 | 项目编号 | **** |
| 采购单位 | **** | 采购预算(元) | ¥199,900.00 |
| 采购项目经办人 | 联系方式 | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 售后服务 | 无 |
| 供应商响应须知 | 请供应商上传一份正式的书面报价文件,签名并加盖公章,包含技术参数、付款方式、服务要求等内容,若有其他附件也可上传。 | 付款条款 | 货到验收合格后一次性支付全款 |
| 送货/施工/服务期限 | 合同生效之日起14日内 | 送货/施工/服务地址 | **省**市**区阳光大道1号 |
| 采购内容 | 是否进口 | 是否限定品牌型号 | 参考品牌及型号一 | 参考品牌及型号二 | 参考品牌及型号三 | 参考品牌及型号(其他) | 采购数量 | 计量单位 | 预算单价(元) | 预算合计(元) |
| 2英寸铂铑坩埚 | 否 | 否 | 不限定品牌型号 | 不限定品牌型号 | 不限定品牌型号 | 不限定品牌型号 | 1 | 个 | 199900 | 199900 |
| 技术参数要求 | 1、材质:Pt:Rh=80:20(铑含量20 wt%),熔点 >1850℃,满足氧化镓生长高温要求; 2、坩埚内径55mm,等径高度90mm,籽晶断长55mm; 3、坩埚重量约189g; 4、坩埚尺寸形状针对VB法氧化镓晶体生长过程进行过温度场模拟仿真优化,满足氧化镓晶体生长需求; 5、供应商有能力提供匹配坩埚尺寸的氧化镓籽晶; 6、机械应力评价:需要提供产品用于VB法氧化镓晶体生长过程中对晶体造成的机械应力仿真分析结果; 7、防漏料措施:通过特殊设计,保证晶体正常生长过程中坩埚不发生泄露; 8、防变形设计:通过特殊设计,保证晶体正常生长过程中坩埚不发生变形; 9、须提供Ga2O3单晶生长验证:同结构、尺寸坩埚经过VB法生长2英寸氧化镓晶体的验证,非理论设计产品,确保坩埚不发生漏料、变形。 | |||||||||