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浙江创豪半导体有限公司年产72万片集成电路封装基板项目

审批

浙江-金华-义乌市

发布时间： 2026年09月08日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0782MABT8MPJ19	陈军强
段海涛	省市**市
省市**市苏溪镇苏华街553号

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

****年产72万片集成电路封装基板项目

2021版本:036-木质家具制造；竹、藤家具制造；金属家具制造；塑料家具制造；其他家具制造	C3985-C3985-电子专用材料制造
	省市市省市市苏溪镇苏华街553号
经度:120.157070 纬度: 29.399050	**环境局**分局
	2024-12-18
金环建义〔2024〕143号	****
2025-12-26	215000
900	****
****0782MABT8MPJ19	普洛**公司
913********029296U	普洛**公司
913********029296U	2026-05-11

2026-08-06	2026-09-03
	https://www.****.com/gs/detail/2?id=60806XPEc1

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**	**
无

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

年产72万片集成电路封装基板	年产25万片集成电路封装基板
项目设备数量相比环评，项目生产工艺中化锡生产线暂未建设，沉铜线和镀金线等生产线只建设了部分生产线等，根据企业提供资料，实际仅形成年产25万片集成电路封装基板的生产能力。生产设施部分未建设，污染因子与环评阶段保持一致，生产能力为年产25万片集成电路封装基板。生产供热锅炉暂未建设，企业供热系统为铂瑞****公司提供供热服务，详见附件。故项目本次验收为阶段性验收。

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

开料工艺流程简述：将供应商交货已裁切好的覆铜板用立式烤箱烘烤后送往下一流程，一般为190℃2小时。压合前处理工艺流程说明：图2-4 压合前处理工艺流程示意图 ①酸洗：酸性除油剂除去铜面氧化物，工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、少量硫酸雾（G2）。 ②脱脂：用碱性除油剂去除铜面残留的氧化物并产生微粗糙的活性铜表面,工作温度55±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）。 ③预浸：表面预处理，保护棕化液免受污染,工作温度30±2℃。 ④粗化：使用铜面超粗化微蚀剂，使铜面粗化，形成独特的凹凸形状，工作温度34±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ⑤水洗/烘干：经过纯水洗净后烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。压合工艺流程说明：图2-5 压合工艺流程示意图 ①裁切/叠板：根据线路板尺寸裁切相应规格的半固化片，预叠及叠板后送压合机。该过程产生边角料（S1）。 ②压合：包括热压和冷压阶段，其中热压采用导热油（锅炉加热）间接加热。将经过内层线路、棕化处理后的基板两侧叠上半固化片，半固化片由玻璃纤维布和环氧树脂等制成，当温度>100℃时可熔化，具有粘性和绝缘性。并在半固化片外铺上铜箔作外层。再将铜箔线路层和绝缘层按照电路板层数需要，热压在一起，其热压温度为200~220℃，压力2~3Mpa，热压+冷压为时约3个小时。压合除了上述传统压合、还有真空压膜机贴合（主要为ABF 材料、 RCC 铜箔），其工序包括：棕氧化-叠板/排板-真空压膜整平-烘烤。主要目的为在双面板两侧压制铜箔，形成多层板，该过程产生络合废水（W2）、一般清洗废水（W1）、硫酸雾（G2）、有机废气（G6）。 ③裁边：整齐压合后对多层板进行板边裁切。该过程产生边角料（S1）。 ④钻靶：先钻标靶为后续钻孔/镭射定位,采用机械钻孔方式。该过程产生边角料（S1）。 ⑤水洗/烘干：经过纯水洗净后烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。压合工序各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）自动叠板回流线水洗 90 0.23 1 常温 6 溢流水洗 90 0.23 1 常温 6 PE隔板清洗线水洗 90 0.23 1 常温 6 高压热水洗 90 0.23 3 50 6 溢流水洗 90 0.23 2 常温 6 压合前粗化处理中压循环水洗 210 0.53 4 常温 6 除油处理 210 0.53 1 常温 0.15 中压循环水洗 210 0.53 4 常温 8 吹干 90 0.23 1 常温 0 微蚀(cz8101) 900 2.25 1 24±3 0.35 中压循环水洗 210 0.53 4 常温 8 酸洗 210 0.53 1 常温 0.15 中压循环水洗 210 0.53 4 常温 8 检视输送 60 0.15 1 常温二级溢流水洗 300 0.75 1 常温 6 镭射前处理（棕化）工艺流程说明：图2-6 棕化工艺流程示意图 ①酸洗：用碱性除油剂去除铜面残留的氧化物并产生微粗糙的活性铜表面，工作温度55±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）。 ②脱脂：酸性除油剂（5%硫酸）除去铜面氧化物，工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ③预浸：表面预处理，保护棕化液免受污染，工作温度30±2℃。 ④棕化：使内层电路板面上形成一层高抗撕裂强度的棕色氧化铜绒晶，以增加内层板与胶片在进行压合时的结合能力，工作温度34±2℃。该过程产生络合废水（W2）、硫酸雾（G2）。 ⑤水洗/烘干：经过纯水洗净后烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。镭钻前处理各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）镭钻前处理碱洗 210 0.53 1 30±2 0.15 三级溢流水洗 50 0.13 3 常温 6 酸洗 210 0.53 1 30±2 0.15 三级溢流水洗 50 0.13 3 常温 0.8 超声波水洗 50 0.13 1 常温 0.15 预浸 210 0.53 1 30±2 0.15 棕化1 150 0.38 1 34±2 0.15 棕化2 150 0.38 1 34±2 0.15 二级溢流水洗 50 0.13 2 常温 6 三级溢流水洗 50 0.13 2 常温 6 镭射钻孔、Plasma、去棕化工艺流程说明：图2-7 镭射钻孔、Plasma、去棕化工艺流程示意图 ①高精密载板的盲孔工序，因为高精密载板的对盲孔的孔径要求较小，一般的机械钻孔不能满足精度要求（孔径达到0.05mm），为此，镭射激光钻孔广泛应用于高精密载板的盲孔制作，镭射钻孔主要是利用CO2红外线灼烧原理，即高温下将铜和树脂熔化，温度可达到上千摄氏度。该过程产生颗粒物（G1）、边角料（S1）。 ②Plasma是等离子体的意思。镭射后Plasma是清除镭射激光钻孔加工后产生之碳化物胶渣以提高孔壁与镀铜层结合力，Plasma不受孔径大小要求相比化学药水除胶渣更稳定彻底。该过程产生氟化物（G5）。 ③去棕化：用硫酸、双氧水溶液去除铜面残留的棕化氧化物,工作温度50±2℃。该过程产生络合废水（W2）、硫酸雾（G2）。 ④微蚀：微蚀的目的是为后续的化学沉铜提供一个微粗糙的活性铜表面，同时去除铜面残留的氧化物。为了达到理想的效果，微蚀深度，通常控制在2微米左右，使用H2SO4+H2O2，工作温度35±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ⑤酸洗：是指采用浓度5%的硫酸水溶液，清除及防止铜面氧化,30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ⑥水洗/烘干：经过4道水洗后，烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。镭钻酸洗各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）镭射-酸洗线二级水洗 50 0.13 2 常温 6 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 微蚀1 500 1.25 1 35±2 0.15 微蚀2（酸洗） 500 1.25 1 30±2 0.15 超声波水洗 50 0.13 1 常温 6 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 化学沉铜/溅射（含除胶渣）工艺流程说明：为了保证后续电镀质量，需将钻孔后留下的毛刺和孔内钻污清除，并清洁板面。化学沉铜使经钻孔后的非导体（除胶渣后通孔内有的地方是半固化片（绝缘层））通孔壁上沉积一层密实牢固并具导电性的金属铜层，作为电镀铜加厚的底材。溅射的基本原理是在一个高真空密闭高压电场容器内，注入少许氩气，使氩气电离，产生氩离子流，轰击容器中的靶阴极，靶材料原子一颗颗的被挤溅出，分子沉淀积累附着在基板上形成薄膜。图2-8 沉铜工艺流程示意图 ①膨松：采用有机溶剂，使环氧树脂溶胀、膨松。该过程产生碱雾（G8）、络合废水（W2）。 ②除胶渣：除胶渣包括膨松、除胶、中和三个步骤,膨松去除表面氧化、油污等杂质，清除孔口披锋及粉尘等杂质。除胶使孔壁环氧树脂表面粗糙，以提高孔壁和化学铜之间的接合力，并提高孔壁吸附量。其原理是利用高锰酸钠在碱性环境中强氧化性的特性将孔壁表面树脂氧化分解。化学反应式：4MnO-+C(树脂)→MnO2-+CO2+H2O。经处理后的板面及孔内带有MnO4-等药水残留物，因MnO4-具有氧化性，故除胶后的板必须中和处理，中和常用H2O2-H2SO4酸性溶液中和：利用稀硫酸中和除胶过程MnO4-等药水残留物。该过程产生碱雾（G8）、高浓有机废水（W3）。 ③整孔：基板的表面脱脂与孔内壁表面调整同时进行，采用酸性调整剂使铜的表面氧化物、油污除去，促进表面对金属钯的吸附量，同时增加孔内壁润湿性。该过程产生络合废水（W2）。 ④微蚀：目的是为后续的化学沉铜提供一个微粗糙的活性铜表面，同时去除铜面残留的氧化物。微蚀通常控制在0.8-1.2微米左右。用过硫酸钠/硫酸腐蚀电路板、粗化铜表面。使用硫酸（2~4%）、过硫酸钠（80~120g/L）溶液轻微溶蚀铜箔基板表面以增加粗糙度，去除铜箔基板表面所带电荷，使在后续活化过程中与触媒有较佳密着性。操作温度在30±2℃，操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达25g/L时更换槽液。该过程产生一般酸碱废水（W2）、硫酸雾（G2）、微蚀废液（L5）。 ④预浸：为防止水带到随后的活化液中，防止贵重的活化液的浓度和pH值发生变化，通常在活化槽前先将生产板件浸入预浸液处理，预浸后生产板件直接进入活化槽中。因为大部分活化液是氯基的，所以预浸液也是氯基，这样对活化槽不会造成污染。在低浓度（C1-：2.7~3.3N）的预浸催化液中进行处理，以防止对后续活化液的污染，板子随后无需水洗可直接进入钯槽。操作温度在30±4℃，操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达2000ppm以上时更换槽液。该过程产生络合废水（W2）。 ⑤活化：预浸后的板件活化时，在活化槽要加入沉铜活化剂（主要成分离子钯、螯合）。作用是在绝缘基体上吸附一层具有催化活性的金属钯颗粒，使经过活化的基体表具有催化还原金属铜的能力从而使化学沉铜反应在整个催化处理过的基体表面顺利进行。活化钯微粒主要是通过粒子的布朗运动和钯离子螯合剂的相互吸附作用分别吸附在微蚀后产生的活性铜面上和经清洗调整处理后的孔壁的非导电基材上，活化槽是沉铜生产线上最贵重的一个槽。操作温度在28±2℃，为了保证活化液污染的最小化，操作时间为2′～4′，当槽中Cu2+达1500ppm以上时更换槽液，避免工件提出槽液后再重新浸入槽液。该过程产生络合废水（W2）。 ⑥还原：在碱性条件下二甲基胺硼烷具有较强的还原性和硼酸作用下让螯合裸露的钯离子失去电子形成钯原子，钯原子具有催化作用为后期的化学铜起催化作用，还原主要物质二甲基胺硼烷、硼酸。该过程产生络合废水（W2）。 ⑦化学沉铜：化学沉铜是一种催化氧化还原反应，因为化学沉铜铜层的机械性能较差，在经受冲击时易产生断裂，所以化学沉铜宜采用镀薄铜工艺。将电路板浸入含氢氧化钠（8~10g/L）、甲醛（4~6g/L）、酒石酸钠（0.115~0.135M，其中Cu2+：1.8~2.2g/L）的溶液中，使电路板上覆上—层铜。操作温度在40±2℃，操作时间为21min，翻槽频率为一周。化学镀铜反应机理：化学镀铜时，Cu2+离子得到电子还原成金属铜，方程式：Cu2++2e到电子，电子是由还原剂甲醛所提供。方程式：2HCOH+4OH-→2HCOO-+2H2+2e。该过程产生甲醛（G4）、络合废水（W2）、沉铜废液（L1）。 ⑧溅射：本工段使用铜靶材，据建设单位提供的资料，金属膜厚一般控制在铜层0.5~0.6μm之间，使用的靶材约有1/2被有效利用，其余1/2无法继续利用，工艺流程为：前处理微蚀→3级水洗→酸洗3级水洗→烘干→溅射→出料，该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）、废靶材（S17）。沉铜线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）水平沉铜线单槽水洗 60 0.15 1 常温 12 膨松（碱2） 380 0.95 2 常温 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 隔离 60 0.15 1 常温 0 除胶渣（碱） 1500 3.75 1 80 0.3 单槽水洗 60 0.15 1 常温 12 单槽水洗 60 0.15 1 常温 12 预中和（酸） 210 0.53 1 45 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 6 中和（碱2） 210 0.53 1 45 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 整孔（碱） 210 0.53 1 常温 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 微蚀（酸2） 150 0.38 2 30 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 酸洗（酸） 210 0.53 1 常温 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 预浸（碱） 170 0.43 1 30±4 0.3 活化（碱2） 210 0.53 1 28±2 0 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 还原（酸） 210 0.53 1 28±2 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 化铜2（碱3） 1100 2.75 2 40±2 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 酸浸（酸） 210 0.53 1 28±2 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 溅镀铜前处理微蚀 900 2.25 1 30 0.15 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 酸洗 180 0.45 1 常温 0.15 四级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 内层/外层线路（DES）工艺流程说明：图2-9 内层/外层线路（DES）工艺流程示意图 ①压膜：根据产品性能需要，在铜箔基板的铜面上热压干膜，作为后续蚀刻工艺的抗蚀剂。该过程产生少量有机废气、废干膜（S3）。 ②曝光：将带有线路图案的底片置于抗蚀剂上，在紫外线照射下曝光，利用紫外光透过底片上的透明部分使抗蚀剂硬化，硬化部分即为需要的线路图案。 ③撕膜：使用自动撕膜机会把基板表面 PET 膜撕掉，该设备是用于印刷电路板的生产制作方面，将 PCB 板放入自动撕膜机的入料断，传送到设备中央位置停止,中央位置有滚压轮在基板的前端进行固定程序摩擦，把基板的表面 PET 膜摩擦皱折，同时滚压轮中间有强力吹气，基板在滚压完成，一边向后传送并一边把 PET 膜经干膜传送带从基板开始剥离传送到固定的箱子中，完成撕膜制程。该过程产生废PET膜（S15）。 ④显影：用碳酸钠溶液将曝光后未感光硬化的抗蚀剂溶解去除。此工序会产生高浓有机废水（W3）。 ⑤酸性蚀刻：用化学方法去除基材上无用导电材料（电镀铜/铜箔）形成电路图形的工艺。项目用酸性蚀刻液将板件上未覆盖干膜的铜面全部溶解，仅剩被膜保护的铜,工作温度50±2℃；酸性蚀刻主要化学反应： Cu+CuCl2=Cu2Cl2；形成的Cu2Cl2不易溶于水，在有过量的Cl-存在下，能形成可溶性的络合离子，其反应如下：Cu2Cl2+4Cl-=2[CuCl3]2-随着铜蚀刻的进行，溶液中的Cu+越来越多，蚀刻速度下降。该过程产生硫酸雾（G2）、一般酸碱废水（W5）、酸性蚀刻废液（L2）。 ⑥去膜：应用NaOH（3-5%）溶液膨松剥除已显影部分的湿膜，露出处于湿膜保护下的线路图形的过程，工作温度50±5℃。此工序会产生高浓有机废水（W3）。 ⑦抗氧化：是指采用浓度5%的盐酸水溶液，清除及防止铜面氧化，工作温度30±2℃。此工序会产生一般酸碱废水（W5）、盐酸雾（G3）。 ⑧水洗/烘干：清洗后的电路板通常采用电热吹风烘干，以去掉水分。此工序会产生一般清洗废水（W1）。内层/外层线路（DES）各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）图形前处理中压水洗 90 0.23 1 常温 2.4 碱洗 260 0.65 1 常温 0.45 三级溢流水洗 120 0.30 3 常温 18 微蚀 650 1.63 1 28 0.45 三级溢流水洗 120 0.30 3 常温 2.4 酸洗 90 0.23 1 50±2 0.45 超声波水洗 120 0.30 1 常温 0.45 三级溢流水洗 120 0.30 3 常温 2.4 DES线显影1 350 0.88 1 常温 6 显影2 350 0.88 1 常温 4.5 新液洗 160 0.40 1 常温 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 一级水洗 160 0.40 1 常温 6 补偿蚀刻 80 0.20 1 50±2 0 蚀刻1 500 1.25 1 50±2 0.15 蚀刻2 500 1.25 1 50±2 0 蚀刻3 500 1.25 1 50±2 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 退膜1 550 1.38 1 50±5 0.15 退膜2 550 1.38 1 50±5 0 四级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 酸洗 180 0.45 1 30±2 0.15 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 6 （MSAP) 电镀退膜线退膜1 800 2.00 1 50±5 0.3 退膜2 800 2.00 1 50±5 0 高压退膜1 80 0.20 1 常温 0.3 超声波退膜 80 0.20 1 常温 0 高压退膜2 80 0.20 1 常温 0 水洗 80 0.20 1 常温 12 热水洗 120 0.30 1 40 12 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 酸洗 140 0.35 1 40 0.3 全板镀铜/填孔工艺流程图与沉铜工序类似。减铜工艺流程说明：图2-10 减铜工艺流程示意图 ①减铜：用化学方法减薄导电材料（电镀铜/铜箔）的工艺，通过参数调整达到需求的铜厚度,工作温度50±2℃。随着铜蚀刻的进行，溶液中的Cu+越来越多，蚀刻速度下降。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ②微蚀：去除铜面残留的氧化物,微蚀通常控制在1~2.5微米左右。用过硫酸钠/硫酸腐蚀电路板、粗化铜表面。使用硫酸（2~4%）、过硫酸钠（80~120g/L），操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达25g/L时更换槽液。工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。减铜线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）减铜线一级水洗 90 0.23 1 常温 1.6 酸洗 270 0.68 1 50±2 0.3 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 12 微蚀1 900 2.25 1 30±2 0.3 微蚀2 900 2.25 1 30±2 0 微蚀3 900 2.25 1 30±2 0 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 12 酸洗 180 0.45 1 50±2 0.3 四级溢流水洗 90 0.23 4 常温 12 线路AOI工艺流程说明：图2-11 线路AOI工艺流程示意图 AOI(Automatic Optic Inspection)的全称是自动光学检测，是基于光学原理来对线路板生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。在蚀刻工序后对基板进行 AOI 检测，剔除不合格的基板。图形电镀工艺流程说明：图2-12 图形电镀工艺流程示意图线路板线路制作工艺分为正片工艺、负片工艺，其中负片工艺与多层板内层线路制作相同，即包括前处理/曝光/显影/酸性蚀刻/去膜等工艺，曝光显影裸露出来的为非线路铜部分。而正片工艺又称为图形电镀工艺，主要包括前处理/曝光/显影/图形电镀/去膜/烘烤/快速蚀刻工艺，与负片工艺曝光显影的区别为曝光显影裸露出来的为线路铜部分，曝光显影后在线路铜上进行镀铜后再去膜，进行快速蚀刻去除非线路底铜完成线路制作。 ①清洁：一般采用AC-130酸性清洁剂，工作温度30±2℃。该过程产生低浓有机废水（W4）、硫酸雾（G2）。 ②微蚀：微蚀的目的是为后续的镀铜提供微粗糙的活性铜表面，同时去除铜面残留的氧化物。为了达到理想的效果，微蚀深度，通常控制在1~2.5微米左右。用过硫酸钠/硫酸腐蚀电路板、粗化铜表面。使用硫酸（2~4%）、过硫酸钠（80~120g/L）溶液轻微溶蚀铜箔基板表面以增加粗糙度，去除铜箔基板表面所带电荷，使在后续活化过程中与触媒有较佳密着性。操作温度在30±5℃，操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达25g/L时更换槽液。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）、微蚀废液（L5）。 ③电镀铜：电镀铜是以铜粉作阳极，CuSO4（65~75g/L，其中Cu2+：12~17g/L）和H2SO4（240~270g/L）作电解液，还有微量HCl（40~60ppm）和添加剂（1~4mL/L）。电镀不仅使通孔内的铜层加厚，同时也可使热压在外表面的铜箔加厚。操作温度在24±2℃，槽液不作更换，当生产面积超过9.3万平方米或使用时间达半年时将槽液用活性炭吸附杂质，其余溶液继续回用到产线上。该过程产生络合废水（W2）、硫酸雾（G2）、镀铜废液（L3）。 ④剥挂架：用H2SO4+H2O2将电镀过程中镀析在电镀夹具上的金属铜予以剥除，以免影响电镀效率，操作温度在35±5℃。该过程产生硫酸雾（G2）。图形电镀各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）图形电镀（电镀铜）酸性清洁洗 1022 2.56 1 30±2 1.05 热水洗 197 0.49 1 40 42 二段水洗 200 0.50 2 常温 42 微蚀 205 0.51 1 30±5 1.05 三段水洗 200 0.50 3 常温 42 预浸 205 0.51 1 30±5 1.05 镀铜 14205 35.51 1 常温 1.05 三段水洗 200 0.50 3 常温 42 剥挂 2160 5.40 1 35±5 0 水洗2 200 0.50 2 常温 42 热水洗2 200 0.50 1 40 56 快速蚀刻工艺流程说明：图2-13 快速蚀刻工艺流程示意图 ①脱脂：用碱性除油剂去除铜面残留的氧化物并产生微粗糙的活性铜表面，工作温度30±2℃。该过程产生低浓有机废水（W4）。 ②快速蚀刻：采用硫酸+双氧水+剂，操作温度在50±2℃，流程作用为蚀刻去除非线路底铜以完成完整线路制作。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ③酸洗：是指采用浓度5%的硫酸水溶液，清除及防止铜面氧化，工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、氯化氢（G3）。快速蚀刻各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）（MSAP) 闪蚀线一级水洗 80 0.20 1 常温 12 酸洗 140 0.35 1 30±2 0.3 二级溢流水洗 80 0.20 2 常温 12 蚀刻1 600 1.50 1 50±2 12 蚀刻2 600 1.50 1 50±2 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 酸洗 180 0.45 1 30±2 0 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 1.6 防焊工艺流程说明：防焊的目的是在线路板表面不需焊接的部分导体上披覆永久性的一层防焊油墨，使在下游组装焊接时，其表面处理或焊接只局限在指定区域，在后续表面处理或焊接与清洗制程中保护板面不受污染，以及保护线路避免氧化和焊接短路。图2-14 防焊工艺流程示意图 ①防焊前处理：需对基板进行前处理，清洗掉基板表面的脏物以及氧化物，并使基板表面粗化，使接下来的防焊油墨与基板结合的更牢固超粗化是为粗化铜面而设计的一种铜面处理工艺，可应用于PCB板干、湿膜前处理、防焊前处理。提高干、湿膜及绿油与铜面的附着力，对PCB板精密细线路制作及防止化学沉锡、化学镍金制程防焊油的脱落提供强有力的支持。该过程产生低浓有机废水（W4）、一般酸碱废水（W5）、氯化氢（G3）。 Cu+CuCl2=2CuCl Cucl+2Cl=[CuCl3]2 再生:2CuCl+[O]+2HCl=2CuCl2+H2O 总反应:Cu+[O]+2HCl=CuCl2+H2O 防焊油墨的主要成分为树脂、石油芳香烃等。 ②涂布/丝印：采用Roller coater或丝网印方式在板上印刷一层防焊油墨，防焊印刷的网版批量生产完后，用抹布蘸树脂清洗剂将网版上的线路擦洗掉，重复使用该网版。该过程产生有机废气（G6）。 ③曝光/显影：基板在涂布或网印防焊油墨后，只针对不需焊接的地方曝光，受紫外线照射或镭射成像后产生聚合反应（该区域油墨在稍后的显影步骤中将被保留下来），以碳酸钠水溶液将涂膜上未聚合区域显影去除，最后加以高温烘烤使油墨中的树脂完全硬化。显影后经过多道溢流水洗。以便进行后续的焊接或表面处理。该过程产生高浓有机废水（W3）。 ④后烤/UV：是指将油墨以烤箱高温或UV紫外灯固化的过程。该过程产生有机废气（G6）。防焊工序各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）防焊前超粗化处理一级水洗 80 0.20 1 常温 1.6 脱脂 140 0.35 1 常温 0.3 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 超粗化 900 2.25 1 常温 0.7 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 盐酸洗 140 0.35 1 30 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 1.6 抗氧化 140 0.35 1 常温 0.3 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 显影线水帘洗 300 0.75 1 常温 1.6 显影1 750 1.88 1 常温 12 显影2 750 1.88 1 常温 0 新液洗 300 0.75 1 常温 0 一级水洗 300 0.75 1 常温 12 四级溢流水洗 300 0.75 4 常温 12 纯水洗 300 0.75 1 常温 12 喷砂工艺流程说明：图2-15 喷砂工艺流程示意图喷砂：采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料（金刚砂）高速喷射到板件表面，对线路板进行喷砂，清洗线路板板面的氧化物和其他杂物，增加铜面粗糙度，加强铜面的结合力或改变色泽以利AOI检测，湿法作业无粉尘产生。喷砂工序各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）喷砂线水洗 100 0.25 2 常温 6 喷砂 1000 2.5 1 常温 0 3级水洗 120 0.3 3 常温 6 5级水洗 120 0.3 3 常温 6 清洗 320 0.8 1 常温 6 电镀镍金工艺流程说明：电镀镍金：电镀金是以电镀的方式析出镍金在电路板上，它的厚度控制较具弹性，一般适合用于IC封装板打线用，金手指或其它适配卡。一般金的硬度在100Knoop以下，称为软金。其品质要求较硬金更为严格。镀金过程中氰化物镀液稳定，目前在电镀业界还未有更好的成熟技术取代含氰电镀。图2-16 电镀镍金工艺流程示意图 ①镀镍：镀镍层主要作为铜层和金层之间的阻隔层，防止金铜互相扩散，影响板子的可焊性和使用寿命；同时有镍层打底也大大增加了金层的机械强度。操作条件：镍缸温度维持在50±2℃，pH值维持在3-4内，操作时间32’55”。镀层厚度为1.27-7.62um。阳极：可溶性阳极镍块用钛篮装住；氨基磺酸镍：提供镍离子；镍柔软剂：镍阳极在通电过程中极易钝化，为了保证阳极的正常溶解，在镀液中加入一定量的阳极活化剂。通过试验发现，Cl-是最好的镍阳极活化剂，除了作为主盐和导电盐外，还起到了阳极活化剂的作用；硼酸：硼酸用来作为缓冲剂，使镀镍液的pH值维持在一定的范围内，同时还可以提高阴极极化，改善镀层性能。该过程产生含镍废水（W6）。 ②镀金：金作为一种贵金属，具有良好的可焊性，耐氧化性，抗蚀性，接触电阻小，合金耐磨性好等等优良特点。预计采用柠檬酸金槽浴，镀液主要成分为金氰化钾，无其他氰源，是一种微氰酸性镀金工艺。为节约投资防止金耗，阳极采用不溶性的白金钛网，此种阳极有良好的导电性和较高的化学和电化学稳定性，与阴极、镀液组成电解池闭合回路，传导电流。镀金工艺采用的为微氰柠檬酸盐电镀工艺，其镀液组分及操作情况为：操作温度40℃，操作时间：5min，pH：4左右；氰化金钾2-6g/L、柠檬酸6 g/L以及少量络合剂0.5 g/L。镀层厚度为0.25-2.03um。该过程产生含氰废水（W7）。反应方程式如下： Kau(CN)2 == K++(Au(CN-)2)- (Au(CN)2)-==Au++2(CN)- 阳极反应：4OH—4e == 2H2O+O2 阴极反应：Au++e==Au 2H++2e == H2 ③镀金槽中废液由槽旁设置的回收设备定期回收，后接三级逆流漂洗槽（0.3L/h），清洗水中含有较高浓度金，连续溢流时经过树脂吸附设备使金得以回收，排放出的废水氰含量较低，进入厂区含氰废水调节池。 ④经表面处理后线路板进入成型车间，进行定位钻孔、切割、水洗，烘干后进行电气测试。电镀镍金各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）软金前处理一级水洗 80 0.20 1 常温 0.3 除油 140 0.35 1 30±2 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 (descum) 微蚀 550 1.38 1 50±2 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 酸洗 140 0.35 1 50±2 0.3 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 软金线酸性清洁 656 1.64 1 30±2 0.3 热纯水洗 664 1.66 2 50±2 12 纯水洗+喷洗 681 1.70 1 常温 12 微蚀 656 1.64 1 50±2 0.3 纯水洗1 332 0.83 1 常温 12 纯水洗2 332 0.83 1 常温 12 酸浸 656 1.64 1 50±2 0.3 纯水洗1 664 1.66 1 常温 12 纯水洗2 664 1.66 1 常温 12 镀镍 3000 7.50 5 50±2 0.3 高位纯水洗 664 1.66 1 常温 12 高位纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 12 酸洗 656 1.64 1 30±2 0.3 纯水洗1 664 1.66 1 常温 1.6 纯水洗2 664 1.66 1 常温 1.6 预镀金 1872 0.936 1 30±2 0 金回收1 664 0.332 1 30±2 0 纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 0 镀软金 3744 0.936 1 30±2 0 金回收2 1328 0.664 1 常温 0 纯水洗 672 1.68 1 常温 0 热纯水洗 672 1.68 1 40 1.6 纯水洗 672 1.68 1 常温 1.6 软金后清洗线喷淋水洗 90 0.23 1 常温 1.6 水刀水洗 85 0.21 1 常温 12 超音波 260 0.65 1 常温 0 热水洗 340 0.85 1 40 1.6 水洗3 90 0.23 3 常温 12 软金退膜退膜1 800 2.00 1 常温 0.15 退膜2 800 2.00 1 常温 0 高压退膜1 80 0.20 1 常温 0 高压退膜2 80 0.20 1 常温 0.15 热水洗 240 0.60 1 40 6 三级溢流水洗 80 0.20 5 常温 6 活化酸洗 140 0.35 1 50±2 0 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 接上表：生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）硬金线除油剂CA-406C 656 1.64 1 30±2 0.15 热纯水洗 664 1.66 2 常温 6 纯水洗+喷洗 681 1.70 1 常温 6 微蚀 656 1.64 1 50±2 0.15 纯水洗1 332 0.83 1 常温 6 纯水洗2 332 0.83 1 常温 6 酸浸 656 1.64 1 50±2 0.15 纯水洗1 664 1.66 1 常温 6 纯水洗2 664 1.66 1 常温 6 镍槽 3000 7.50 3 50±2 0.15 高位纯水洗 664 1.66 1 常温 6 高位纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 6 酸洗 656 1.64 1 30±2 0.15 纯水洗1 664 1.66 1 常温 6 纯水洗2 664 1.66 1 常温 6 预镀金 1872 0.936 1 30±2 0 金回收1 664 0.332 1 30±2 0 纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 6 镀硬金 3744 0.936 1 30±2 0 金回收2 1328 0.664 1 常温 0 纯水洗 672 1.68 1 常温 6 热纯水洗 672 1.68 1 40 6 纯水洗 672 1.68 1 常温 6 化镍钯金工艺流程说明：图2-17 化镍钯金工艺流程示意图 ①微蚀：微蚀的主要目的是清洁粗化线路铜面，主要目的是去除铜面氧化物，确保铜与锡之间的结合力。微蚀采用H2SO4、过硫酸盐体系的微蚀液，微蚀剂浓度10~40g/L，微蚀剂中过硫酸盐占比60~100%，操作时间控制在1~2min左右，温度25±2℃。微蚀液中铜含量控制在12g/L以下，该工序会产生硫酸雾（G2）废气和微蚀废液（L5），而槽液更换周期约为7天。主要反应为：Na2S2O8+Cu→Na2SO4+CuSO4 CuO+H2SO4→CuSO4+H2O 微蚀后采用三级逆流漂洗，清洗水量200-300L/h，该工序会产生水洗废水。清洗后线路板进入预浸工序。 ②化学镍：在铜面利用氧化还原反应原理沉积一定厚度的镍层（厚度在3~5μm），防止铜离子的迁移。化学镀镍溶液以次磷酸钠为还原剂，次磷酸根离子H2PO2-在有催化剂（如Pd、Fe）存在时，会释放出具有很强活性的离子氢。镀槽温度在81±3℃，pH值4.5~4.7，镍含量在4.5~5.0g/L，反应式如下： Ni2++2H2PO2-+2H2O→Ni+2HPO32-+4H++H2↑ 4H2PO2-→2HPO32-+2P+2H2O+H2↑ 该工序产生硫酸雾(G2)、含镍废液（L6）；镍回收：镍钯金线旁设有1套电解回收设备，对含镍废液进行电解回收，回收效率约为98%，回收后的金属镍按一般固废进行综合利用，含镍废液（L6）按危险废物进行处置。 ③化学钯：在化学镍表面还原型沉积一层化学钯，镀槽温度50（48-52）℃，pH值7.2（7.0-7.7），钯含量在0.6（0.45-0.75）g/L。反应如下： Pd2++2H2PO2-+2H2O→Pd+2HPO32-+4H++H2↑ 4H2PO2-→2HPO32-+2P+2H2O+H2↑ 该工序产生硫酸雾(G2)、含钯废液（L4）；钯回收工艺流程：先经 0.5um 滤芯过滤去除杂质后，再用改性活性炭对钯离子进行选择性吸附，吸附后的含钯废水排放至络合废水处理系统。含钯清洗水进水浓度 0.1-0.5ppm，每一套吸附系统流速控制为 200-300 升/小时。钯回收产生浓缩液（W2）、废滤芯（S2）、废 RO膜（S6）。 ④化学金：在化学钯表面沉积一层化学金，金层厚度 0.05-0.15um，镀槽温度 0（76-84）℃，pH 值 7.2（7.0-7.4），金含量在 1.2（1.0-2.0）g/L。反应如下： Au(CN)2--2e→Au＋2CN 该工序产生氰化氢废气(G7)。 1）电解设施：利用电化学原理，将含氰废水中的金离子在阴极网上还原沉淀出金，电压5V，同时在阳极网上将水分子电解产生氧原子，氧原子具有极高的氧化性，将水中的氰根氧化成二氧化碳和氮气。 2)树脂设备：低浓度含金废水再经树脂吸附，含氰废水（W7）进入含氰废水收集池。本工序产生金（S7）、含金树脂（S8）。化镍钯金线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）镍钯金线脱脂（酸性除油） 400 1.00 1 50±2 0.15 水洗2 300 0.75 2 常温 6 微蚀 400 1.00 1 30 0.15 水洗2 300 0.75 2 常温 6 预活化 300 0.75 1 30 0.15 活化 400 1.00 1 常温 0 水洗2 300 0.75 2 常温 6 化学镍 1000 2.50 1 81±3 0.15 水洗3 300 0.75 3 常温 6 预活化 300 0.75 1 30 0.15 化学钯 600 1.50 1 48-52 0 水洗2 300 0.75 2 常温 6 浸镀金 500 1.25 1 76-84 0 金回收 300 0.75 1 常温后处理线水洗 150 0.38 1 常温 0 浸泡式水性封孔剂 150 0.38 1 常温 6 成品清洗线 4MDI溢流水洗 400 1.00 4 常温 0 4MDI溢流水洗 400 1.00 4 常温 0 超声波热水洗 300 0.75 1 40 0 4M溢流水洗 400 1.00 4 常温 0.15 AVI、OPS工艺流程说明：图2-18 AVI、OPS工艺流程示意图 1、AVI(AUTOMATIC VISUAL INSPECTIONmACHINE)自动光学检查机,是以机器替代传统人工目检。 2、OSP（Organic Solderability Preservatives）为有机保焊膜，即在洁净的裸铜表面上，用化学的方法所生长的一层有机皮膜，厚度在 0.2-0.5 μm 间，防止裸铜氧化。主要包括脱脂、微蚀、成膜等工序 2、脱脂：除油效果的好坏直接影响到成膜质量。除油不良，造成膜厚度不均匀。一方面，可以通过分析溶液，将浓度控制在工艺范围内。另一方面，也要经常检查除油效果是否好，若除油效果不好，则应及时更换除油液。 3、微蚀：目的是形成粗糙的铜面，便于成膜。微蚀的厚度直接影响到成膜速率，因此，要形成稳定的膜厚，保持微蚀厚度的稳定是非常重要的。一般将微蚀厚度控制在1.0-1.5um 比较合适。每班生产前，可测定微蚀速率，根据微蚀速率来确定微蚀时间。 4、成膜：pH值应控制在4.0-7.0之间，以防膜层遭到污染及破坏。OSP工艺的关键是控制好防氧化膜的厚度。膜太薄，耐热冲击能力差，在过回流焊时，膜层耐不往高温（190-200°C），最终影响焊接性能，在电子装配线上，膜不能很好的被助焊剂所溶解，影响焊接性能。一般控制膜厚在0.2-0.5um之间比较合适。 OSP线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min） OSP线除油 180 0.45 1 45 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 微蚀 180 0.45 1 45 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 预浸 400 1.00 1 45 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 OSP1 275 0.69 1 常温 0 OSP2 275 0.69 1 常温 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 化学锡（暂未建设）工艺流程说明：图2-19 化学锡工艺流程示意图 ①脱脂除油：采用除油剂使铜面的油污除去；槽液主要成分为硫酸水溶液，浓度在 170~250ml/L左右，时间保证在6分钟，常温。该工序会产生一般酸碱废水（W5）。 ②微蚀：采用酸性微蚀剂去除铜面的氧化物；微蚀采用H2SO4、过硫酸盐体系的微蚀液，微蚀剂浓度10~40g/L，微蚀剂中过硫酸盐占比60~100%，操作时间控制在1~2min左右，温度25±2℃。该工序会产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）和微蚀废液（L5）。 ③预浸：预浸：预浸的目的是防止版面残留的铜离子带入后序镀锡主槽污染槽液，化学镀锡主槽液寿命。预浸槽采用甲基磺酸锡作为锡的来源，以柠檬酸为络合剂，在硫脲的作用下，Cu2+/Cu的电位降低但不改变Sn2+/Sn的电位，从而使Sn和Cu发生置换反应。 2Cu+Sn2+→2Cu++Sn、预浸工序操作时间控制在 1~2min 左右，温度 15~30℃。预浸后的线路板不水洗，直接进入镀锡主槽。当预浸槽内添加槽液量达到 6MTO 时，更换槽液一次；若一年内药水添加量少于 6MTO，则最长一年更换槽液一次，该工序会产生络合废水（W2）。 ④化学沉锡：机理是通过改变铜离子的化学电位，使镀液中的亚锡离子发生置换反应，被还原的锡金属沉积在封装基板的铜点位表面，形成锡镀层，且使浸锡镀层上吸附的金属络合物起催化反应，继续使锡离子还原为金属锡，使锡镀层不断加厚。本项目的化学沉锡厚度控制在 1.2μm左右。该工序会产生络合废水（W2）。化学锡金各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）化锡线脱脂（酸性除油） 400 1.00 1 50 0.15 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 铜活化（微蚀） 320 0.80 1 25±2 0.15 三级溢流水洗 90 0.23 4 常温 6 预浸 400 1.00 1 15-30 0.15 化学锡 400 1.00 1 30 0 水洗5 90 0.23 5 常温 6 Tray盘自动清洗线三级*3溢流水洗 90 0.23 5 常温 6 化锡后清洗线酸洗 140 0.35 1 常温 0.15 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 6 锡球加工（暂未建设）工艺流程说明：图2-20 植锡球工艺流程示意图 ①印刷：在全自动钢网印刷机上，通过在密闭的空间，将助焊剂均匀地施加在电路板焊盘上，在上面加上固定大小的锡球。该过程会产生废锡渣（S10）。 ②回流焊：在回流炉内进行加热，助焊剂、锡球融化后，使助焊剂、锡球与基板结合。该过程会产生锡及其化合物（G9）、有机废气（G6）。 ③助焊剂清洗：焊接后的电路板采用清洗剂进行清洗。该过程产生一般酸碱废水（W5）。 ④水洗：经过溶剂清洗后的线路板，再用纯水进行水洗。该过程产生一般清洗废水（W1）。 ⑤干燥：清洗设备自带鼓风机，在80℃进行烘干。剥挂架、涂布滚轮、网版清洗工艺流程说明：图2-21 剥挂架工艺流程示意图图2-22 涂布滚轮、网版清洗工艺流程示意图 ①剥挂：由于在各种镀种镀前，需要将线路板挂在挂具上，然后将线路板浸没在镀液中进行电镀、化学镀，从而使挂架上也会形成镀层，因此需要定期将该镀层去除。根据其金属特性，公司采用硫酸、双氧水进行剥挂架；对电镀产生的废品项目将其作为废线路板进行外委处置。本工序会产生硫酸雾（G2）、一般酸碱废水（W5）。 ②滚轮、网版清洗：RC涂布滚轮使用后沾染油墨；在锡球加工、防焊处理工序会使用网版进行助焊剂印刷、涂布印刷油墨，使网版上带有助焊剂、油墨，因此需要进行清洗。此过程产生有机废气（G6）和废清洗溶剂（L8）。高浓度含铜液回收工艺流程说明：图2-23 高浓度含铜液回收工艺流程示意图高浓度含铜液回收线为全密闭系统，主要由铜溶液循环暂存槽、电解槽组成，常温下运行。高浓度含铜液（含铜量约 0.0126t/t）通过循环泵循环通过阴极柱，在阴极柱上沉积得到铜管，电解槽内阳极OH－电解产生水和氧气。铜管达到一定厚度后取出，电解液（含铜量低于 0.5g/L）排入污水站处理。硫酸铜溶液暂存槽、电解槽均为密闭，电解产生的氧气随废水逸散至空气中，伴有少量酸雾（G2）产生。电解反应方程式如下： 2CuSO4+4H2O——2Cu+O2+2H2O+2H2SO4 阳极：4OH－-4e－——2H2O+O2↑ 阴极：2Cu2++4e－——2Cu（再生铜管）	开料工艺流程简述：将供应商交货已裁切好的覆铜板用立式烤箱烘烤后送往下一流程，一般为190℃2小时。压合前处理工艺流程说明：图2-4 压合前处理工艺流程示意图 ①酸洗：酸性除油剂除去铜面氧化物，工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、少量硫酸雾（G2）。 ②脱脂：用碱性除油剂去除铜面残留的氧化物并产生微粗糙的活性铜表面,工作温度55±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）。 ③预浸：表面预处理，保护棕化液免受污染,工作温度30±2℃。 ④粗化：使用铜面超粗化微蚀剂，使铜面粗化，形成独特的凹凸形状，工作温度34±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ⑤水洗/烘干：经过纯水洗净后烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。压合工艺流程说明：图2-5 压合工艺流程示意图 ①裁切/叠板：根据线路板尺寸裁切相应规格的半固化片，预叠及叠板后送压合机。该过程产生边角料（S1）。 ②压合：包括热压和冷压阶段，其中热压采用导热油（锅炉加热）间接加热。将经过内层线路、棕化处理后的基板两侧叠上半固化片，半固化片由玻璃纤维布和环氧树脂等制成，当温度>100℃时可熔化，具有粘性和绝缘性。并在半固化片外铺上铜箔作外层。再将铜箔线路层和绝缘层按照电路板层数需要，热压在一起，其热压温度为200~220℃，压力2~3Mpa，热压+冷压为时约3个小时。压合除了上述传统压合、还有真空压膜机贴合（主要为ABF 材料、 RCC 铜箔），其工序包括：棕氧化-叠板/排板-真空压膜整平-烘烤。主要目的为在双面板两侧压制铜箔，形成多层板，该过程产生络合废水（W2）、一般清洗废水（W1）、硫酸雾（G2）、有机废气（G6）。 ③裁边：整齐压合后对多层板进行板边裁切。该过程产生边角料（S1）。 ④钻靶：先钻标靶为后续钻孔/镭射定位,采用机械钻孔方式。该过程产生边角料（S1）。 ⑤水洗/烘干：经过纯水洗净后烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。压合工序各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）自动叠板回流线水洗 90 0.23 1 常温 6 溢流水洗 90 0.23 1 常温 6 PE隔板清洗线水洗 90 0.23 1 常温 6 高压热水洗 90 0.23 3 50 6 溢流水洗 90 0.23 2 常温 6 压合前粗化处理中压循环水洗 210 0.53 4 常温 6 除油处理 210 0.53 1 常温 0.15 中压循环水洗 210 0.53 4 常温 8 吹干 90 0.23 1 常温 0 微蚀(cz8101) 900 2.25 1 24±3 0.35 中压循环水洗 210 0.53 4 常温 8 酸洗 210 0.53 1 常温 0.15 中压循环水洗 210 0.53 4 常温 8 检视输送 60 0.15 1 常温二级溢流水洗 300 0.75 1 常温 6 镭射前处理（棕化）工艺流程说明：图2-6 棕化工艺流程示意图 ①酸洗：用碱性除油剂去除铜面残留的氧化物并产生微粗糙的活性铜表面，工作温度55±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）。 ②脱脂：酸性除油剂（5%硫酸）除去铜面氧化物，工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ③预浸：表面预处理，保护棕化液免受污染，工作温度30±2℃。 ④棕化：使内层电路板面上形成一层高抗撕裂强度的棕色氧化铜绒晶，以增加内层板与胶片在进行压合时的结合能力，工作温度34±2℃。该过程产生络合废水（W2）、硫酸雾（G2）。 ⑤水洗/烘干：经过纯水洗净后烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。镭钻前处理各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）镭钻前处理碱洗 210 0.53 1 30±2 0.15 三级溢流水洗 50 0.13 3 常温 6 酸洗 210 0.53 1 30±2 0.15 三级溢流水洗 50 0.13 3 常温 0.8 超声波水洗 50 0.13 1 常温 0.15 预浸 210 0.53 1 30±2 0.15 棕化1 150 0.38 1 34±2 0.15 棕化2 150 0.38 1 34±2 0.15 二级溢流水洗 50 0.13 2 常温 6 三级溢流水洗 50 0.13 2 常温 6 镭射钻孔、Plasma、去棕化工艺流程说明：图2-7 镭射钻孔、Plasma、去棕化工艺流程示意图 ①高精密载板的盲孔工序，因为高精密载板的对盲孔的孔径要求较小，一般的机械钻孔不能满足精度要求（孔径达到0.05mm），为此，镭射激光钻孔广泛应用于高精密载板的盲孔制作，镭射钻孔主要是利用CO2红外线灼烧原理，即高温下将铜和树脂熔化，温度可达到上千摄氏度。该过程产生颗粒物（G1）、边角料（S1）。 ②Plasma是等离子体的意思。镭射后Plasma是清除镭射激光钻孔加工后产生之碳化物胶渣以提高孔壁与镀铜层结合力，Plasma不受孔径大小要求相比化学药水除胶渣更稳定彻底。该过程产生氟化物（G5）。 ③去棕化：用硫酸、双氧水溶液去除铜面残留的棕化氧化物,工作温度50±2℃。该过程产生络合废水（W2）、硫酸雾（G2）。 ④微蚀：微蚀的目的是为后续的化学沉铜提供一个微粗糙的活性铜表面，同时去除铜面残留的氧化物。为了达到理想的效果，微蚀深度，通常控制在2微米左右，使用H2SO4+H2O2，工作温度35±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ⑤酸洗：是指采用浓度5%的硫酸水溶液，清除及防止铜面氧化,30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ⑥水洗/烘干：经过4道水洗后，烘干（电加热）待用。该过程产生一般清洗废水（W1）。镭钻酸洗各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）镭射-酸洗线二级水洗 50 0.13 2 常温 6 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 微蚀1 500 1.25 1 35±2 0.15 微蚀2（酸洗） 500 1.25 1 30±2 0.15 超声波水洗 50 0.13 1 常温 6 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 化学沉铜/溅射（含除胶渣）工艺流程说明：为了保证后续电镀质量，需将钻孔后留下的毛刺和孔内钻污清除，并清洁板面。化学沉铜使经钻孔后的非导体（除胶渣后通孔内有的地方是半固化片（绝缘层））通孔壁上沉积一层密实牢固并具导电性的金属铜层，作为电镀铜加厚的底材。溅射的基本原理是在一个高真空密闭高压电场容器内，注入少许氩气，使氩气电离，产生氩离子流，轰击容器中的靶阴极，靶材料原子一颗颗的被挤溅出，分子沉淀积累附着在基板上形成薄膜。图2-8 沉铜工艺流程示意图 ①膨松：采用有机溶剂，使环氧树脂溶胀、膨松。该过程产生碱雾（G8）、络合废水（W2）。 ②除胶渣：除胶渣包括膨松、除胶、中和三个步骤,膨松去除表面氧化、油污等杂质，清除孔口披锋及粉尘等杂质。除胶使孔壁环氧树脂表面粗糙，以提高孔壁和化学铜之间的接合力，并提高孔壁吸附量。其原理是利用高锰酸钠在碱性环境中强氧化性的特性将孔壁表面树脂氧化分解。化学反应式：4MnO-+C(树脂)→MnO2-+CO2+H2O。经处理后的板面及孔内带有MnO4-等药水残留物，因MnO4-具有氧化性，故除胶后的板必须中和处理，中和常用H2O2-H2SO4酸性溶液中和：利用稀硫酸中和除胶过程MnO4-等药水残留物。该过程产生碱雾（G8）、高浓有机废水（W3）。 ③整孔：基板的表面脱脂与孔内壁表面调整同时进行，采用酸性调整剂使铜的表面氧化物、油污除去，促进表面对金属钯的吸附量，同时增加孔内壁润湿性。该过程产生络合废水（W2）。 ④微蚀：目的是为后续的化学沉铜提供一个微粗糙的活性铜表面，同时去除铜面残留的氧化物。微蚀通常控制在0.8-1.2微米左右。用过硫酸钠/硫酸腐蚀电路板、粗化铜表面。使用硫酸（2~4%）、过硫酸钠（80~120g/L）溶液轻微溶蚀铜箔基板表面以增加粗糙度，去除铜箔基板表面所带电荷，使在后续活化过程中与触媒有较佳密着性。操作温度在30±2℃，操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达25g/L时更换槽液。该过程产生一般酸碱废水（W2）、硫酸雾（G2）、微蚀废液（L5）。 ④预浸：为防止水带到随后的活化液中，防止贵重的活化液的浓度和pH值发生变化，通常在活化槽前先将生产板件浸入预浸液处理，预浸后生产板件直接进入活化槽中。因为大部分活化液是氯基的，所以预浸液也是氯基，这样对活化槽不会造成污染。在低浓度（C1-：2.7~3.3N）的预浸催化液中进行处理，以防止对后续活化液的污染，板子随后无需水洗可直接进入钯槽。操作温度在30±4℃，操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达2000ppm以上时更换槽液。该过程产生络合废水（W2）。 ⑤活化：预浸后的板件活化时，在活化槽要加入沉铜活化剂（主要成分离子钯、螯合）。作用是在绝缘基体上吸附一层具有催化活性的金属钯颗粒，使经过活化的基体表具有催化还原金属铜的能力从而使化学沉铜反应在整个催化处理过的基体表面顺利进行。活化钯微粒主要是通过粒子的布朗运动和钯离子螯合剂的相互吸附作用分别吸附在微蚀后产生的活性铜面上和经清洗调整处理后的孔壁的非导电基材上，活化槽是沉铜生产线上最贵重的一个槽。操作温度在28±2℃，为了保证活化液污染的最小化，操作时间为2′～4′，当槽中Cu2+达1500ppm以上时更换槽液，避免工件提出槽液后再重新浸入槽液。该过程产生络合废水（W2）。 ⑥还原：在碱性条件下二甲基胺硼烷具有较强的还原性和硼酸作用下让螯合裸露的钯离子失去电子形成钯原子，钯原子具有催化作用为后期的化学铜起催化作用，还原主要物质二甲基胺硼烷、硼酸。该过程产生络合废水（W2）。 ⑦化学沉铜：化学沉铜是一种催化氧化还原反应，因为化学沉铜铜层的机械性能较差，在经受冲击时易产生断裂，所以化学沉铜宜采用镀薄铜工艺。将电路板浸入含氢氧化钠（8~10g/L）、甲醛（4~6g/L）、酒石酸钠（0.115~0.135M，其中Cu2+：1.8~2.2g/L）的溶液中，使电路板上覆上—层铜。操作温度在40±2℃，操作时间为21min，翻槽频率为一周。化学镀铜反应机理：化学镀铜时，Cu2+离子得到电子还原成金属铜，方程式：Cu2++2e到电子，电子是由还原剂甲醛所提供。方程式：2HCOH+4OH-→2HCOO-+2H2+2e。该过程产生甲醛（G4）、络合废水（W2）、沉铜废液（L1）。 ⑧溅射：本工段使用铜靶材，据建设单位提供的资料，金属膜厚一般控制在铜层0.5~0.6μm之间，使用的靶材约有1/2被有效利用，其余1/2无法继续利用，工艺流程为：前处理微蚀→3级水洗→酸洗3级水洗→烘干→溅射→出料，该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）、废靶材（S17）。沉铜线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）水平沉铜线单槽水洗 60 0.15 1 常温 12 膨松（碱2） 380 0.95 2 常温 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 隔离 60 0.15 1 常温 0 除胶渣（碱） 1500 3.75 1 80 0.3 单槽水洗 60 0.15 1 常温 12 单槽水洗 60 0.15 1 常温 12 预中和（酸） 210 0.53 1 45 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 6 中和（碱2） 210 0.53 1 45 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 整孔（碱） 210 0.53 1 常温 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 微蚀（酸2） 150 0.38 2 30 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 酸洗（酸） 210 0.53 1 常温 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 预浸（碱） 170 0.43 1 30±4 0.3 活化（碱2） 210 0.53 1 28±2 0 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 还原（酸） 210 0.53 1 28±2 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 化铜2（碱3） 1100 2.75 2 40±2 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 酸浸（酸） 210 0.53 1 28±2 0.3 三槽水洗 60 0.15 3 常温 12 溅镀铜前处理微蚀 900 2.25 1 30 0.15 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 酸洗 180 0.45 1 常温 0.15 四级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 内层/外层线路（DES）工艺流程说明：图2-9 内层/外层线路（DES）工艺流程示意图 ①压膜：根据产品性能需要，在铜箔基板的铜面上热压干膜，作为后续蚀刻工艺的抗蚀剂。该过程产生少量有机废气、废干膜（S3）。 ②曝光：将带有线路图案的底片置于抗蚀剂上，在紫外线照射下曝光，利用紫外光透过底片上的透明部分使抗蚀剂硬化，硬化部分即为需要的线路图案。 ③撕膜：使用自动撕膜机会把基板表面 PET 膜撕掉，该设备是用于印刷电路板的生产制作方面，将 PCB 板放入自动撕膜机的入料断，传送到设备中央位置停止,中央位置有滚压轮在基板的前端进行固定程序摩擦，把基板的表面 PET 膜摩擦皱折，同时滚压轮中间有强力吹气，基板在滚压完成，一边向后传送并一边把 PET 膜经干膜传送带从基板开始剥离传送到固定的箱子中，完成撕膜制程。该过程产生废PET膜（S15）。 ④显影：用碳酸钠溶液将曝光后未感光硬化的抗蚀剂溶解去除。此工序会产生高浓有机废水（W3）。 ⑤酸性蚀刻：用化学方法去除基材上无用导电材料（电镀铜/铜箔）形成电路图形的工艺。项目用酸性蚀刻液将板件上未覆盖干膜的铜面全部溶解，仅剩被膜保护的铜,工作温度50±2℃；酸性蚀刻主要化学反应： Cu+CuCl2=Cu2Cl2；形成的Cu2Cl2不易溶于水，在有过量的Cl-存在下，能形成可溶性的络合离子，其反应如下：Cu2Cl2+4Cl-=2[CuCl3]2-随着铜蚀刻的进行，溶液中的Cu+越来越多，蚀刻速度下降。该过程产生硫酸雾（G2）、一般酸碱废水（W5）、酸性蚀刻废液（L2）。 ⑥去膜：应用NaOH（3-5%）溶液膨松剥除已显影部分的湿膜，露出处于湿膜保护下的线路图形的过程，工作温度50±5℃。此工序会产生高浓有机废水（W3）。 ⑦抗氧化：是指采用浓度5%的盐酸水溶液，清除及防止铜面氧化，工作温度30±2℃。此工序会产生一般酸碱废水（W5）、盐酸雾（G3）。 ⑧水洗/烘干：清洗后的电路板通常采用电热吹风烘干，以去掉水分。此工序会产生一般清洗废水（W1）。内层/外层线路（DES）各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）图形前处理中压水洗 90 0.23 1 常温 2.4 碱洗 260 0.65 1 常温 0.45 三级溢流水洗 120 0.30 3 常温 18 微蚀 650 1.63 1 28 0.45 三级溢流水洗 120 0.30 3 常温 2.4 酸洗 90 0.23 1 50±2 0.45 超声波水洗 120 0.30 1 常温 0.45 三级溢流水洗 120 0.30 3 常温 2.4 DES线显影1 350 0.88 1 常温 6 显影2 350 0.88 1 常温 4.5 新液洗 160 0.40 1 常温 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 一级水洗 160 0.40 1 常温 6 补偿蚀刻 80 0.20 1 50±2 0 蚀刻1 500 1.25 1 50±2 0.15 蚀刻2 500 1.25 1 50±2 0 蚀刻3 500 1.25 1 50±2 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 退膜1 550 1.38 1 50±5 0.15 退膜2 550 1.38 1 50±5 0 四级溢流水洗 80 0.20 3 常温 6 酸洗 180 0.45 1 30±2 0.15 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 6 （MSAP) 电镀退膜线退膜1 800 2.00 1 50±5 0.3 退膜2 800 2.00 1 50±5 0 高压退膜1 80 0.20 1 常温 0.3 超声波退膜 80 0.20 1 常温 0 高压退膜2 80 0.20 1 常温 0 水洗 80 0.20 1 常温 12 热水洗 120 0.30 1 40 12 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 酸洗 140 0.35 1 40 0.3 全板镀铜/填孔工艺流程图与沉铜工序类似。减铜工艺流程说明：图2-10 减铜工艺流程示意图 ①减铜：用化学方法减薄导电材料（电镀铜/铜箔）的工艺，通过参数调整达到需求的铜厚度,工作温度50±2℃。随着铜蚀刻的进行，溶液中的Cu+越来越多，蚀刻速度下降。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ②微蚀：去除铜面残留的氧化物,微蚀通常控制在1~2.5微米左右。用过硫酸钠/硫酸腐蚀电路板、粗化铜表面。使用硫酸（2~4%）、过硫酸钠（80~120g/L），操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达25g/L时更换槽液。工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。减铜线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）减铜线一级水洗 90 0.23 1 常温 1.6 酸洗 270 0.68 1 50±2 0.3 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 12 微蚀1 900 2.25 1 30±2 0.3 微蚀2 900 2.25 1 30±2 0 微蚀3 900 2.25 1 30±2 0 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 12 酸洗 180 0.45 1 50±2 0.3 四级溢流水洗 90 0.23 4 常温 12 线路AOI工艺流程说明：图2-11 线路AOI工艺流程示意图 AOI(Automatic Optic Inspection)的全称是自动光学检测，是基于光学原理来对线路板生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。在蚀刻工序后对基板进行 AOI 检测，剔除不合格的基板。图形电镀工艺流程说明：图2-12 图形电镀工艺流程示意图线路板线路制作工艺分为正片工艺、负片工艺，其中负片工艺与多层板内层线路制作相同，即包括前处理/曝光/显影/酸性蚀刻/去膜等工艺，曝光显影裸露出来的为非线路铜部分。而正片工艺又称为图形电镀工艺，主要包括前处理/曝光/显影/图形电镀/去膜/烘烤/快速蚀刻工艺，与负片工艺曝光显影的区别为曝光显影裸露出来的为线路铜部分，曝光显影后在线路铜上进行镀铜后再去膜，进行快速蚀刻去除非线路底铜完成线路制作。 ①清洁：一般采用AC-130酸性清洁剂，工作温度30±2℃。该过程产生低浓有机废水（W4）、硫酸雾（G2）。 ②微蚀：微蚀的目的是为后续的镀铜提供微粗糙的活性铜表面，同时去除铜面残留的氧化物。为了达到理想的效果，微蚀深度，通常控制在1~2.5微米左右。用过硫酸钠/硫酸腐蚀电路板、粗化铜表面。使用硫酸（2~4%）、过硫酸钠（80~120g/L）溶液轻微溶蚀铜箔基板表面以增加粗糙度，去除铜箔基板表面所带电荷，使在后续活化过程中与触媒有较佳密着性。操作温度在30±5℃，操作时间为1′～2′，当槽中Cu2+达25g/L时更换槽液。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）、微蚀废液（L5）。 ③电镀铜：电镀铜是以铜粉作阳极，CuSO4（65~75g/L，其中Cu2+：12~17g/L）和H2SO4（240~270g/L）作电解液，还有微量HCl（40~60ppm）和添加剂（1~4mL/L）。电镀不仅使通孔内的铜层加厚，同时也可使热压在外表面的铜箔加厚。操作温度在24±2℃，槽液不作更换，当生产面积超过9.3万平方米或使用时间达半年时将槽液用活性炭吸附杂质，其余溶液继续回用到产线上。该过程产生络合废水（W2）、硫酸雾（G2）、镀铜废液（L3）。 ④剥挂架：用H2SO4+H2O2将电镀过程中镀析在电镀夹具上的金属铜予以剥除，以免影响电镀效率，操作温度在35±5℃。该过程产生硫酸雾（G2）。图形电镀各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）图形电镀（电镀铜）酸性清洁洗 1022 2.56 1 30±2 1.05 热水洗 197 0.49 1 40 42 二段水洗 200 0.50 2 常温 42 微蚀 205 0.51 1 30±5 1.05 三段水洗 200 0.50 3 常温 42 预浸 205 0.51 1 30±5 1.05 镀铜 14205 35.51 1 常温 1.05 三段水洗 200 0.50 3 常温 42 剥挂 2160 5.40 1 35±5 0 水洗2 200 0.50 2 常温 42 热水洗2 200 0.50 1 40 56 快速蚀刻工艺流程说明：图2-13 快速蚀刻工艺流程示意图 ①脱脂：用碱性除油剂去除铜面残留的氧化物并产生微粗糙的活性铜表面，工作温度30±2℃。该过程产生低浓有机废水（W4）。 ②快速蚀刻：采用硫酸+双氧水+剂，操作温度在50±2℃，流程作用为蚀刻去除非线路底铜以完成完整线路制作。该过程产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）。 ③酸洗：是指采用浓度5%的硫酸水溶液，清除及防止铜面氧化，工作温度30±2℃。该过程产生一般酸碱废水（W5）、氯化氢（G3）。快速蚀刻各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）（MSAP) 闪蚀线一级水洗 80 0.20 1 常温 12 酸洗 140 0.35 1 30±2 0.3 二级溢流水洗 80 0.20 2 常温 12 蚀刻1 600 1.50 1 50±2 12 蚀刻2 600 1.50 1 50±2 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 酸洗 180 0.45 1 30±2 0 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 1.6 防焊工艺流程说明：防焊的目的是在线路板表面不需焊接的部分导体上披覆永久性的一层防焊油墨，使在下游组装焊接时，其表面处理或焊接只局限在指定区域，在后续表面处理或焊接与清洗制程中保护板面不受污染，以及保护线路避免氧化和焊接短路。图2-14 防焊工艺流程示意图 ①防焊前处理：需对基板进行前处理，清洗掉基板表面的脏物以及氧化物，并使基板表面粗化，使接下来的防焊油墨与基板结合的更牢固超粗化是为粗化铜面而设计的一种铜面处理工艺，可应用于PCB板干、湿膜前处理、防焊前处理。提高干、湿膜及绿油与铜面的附着力，对PCB板精密细线路制作及防止化学沉锡、化学镍金制程防焊油的脱落提供强有力的支持。该过程产生低浓有机废水（W4）、一般酸碱废水（W5）、氯化氢（G3）。 Cu+CuCl2=2CuCl Cucl+2Cl=[CuCl3]2 再生:2CuCl+[O]+2HCl=2CuCl2+H2O 总反应:Cu+[O]+2HCl=CuCl2+H2O 防焊油墨的主要成分为树脂、石油芳香烃等。 ②涂布/丝印：采用Roller coater或丝网印方式在板上印刷一层防焊油墨，防焊印刷的网版批量生产完后，用抹布蘸树脂清洗剂将网版上的线路擦洗掉，重复使用该网版。该过程产生有机废气（G6）。 ③曝光/显影：基板在涂布或网印防焊油墨后，只针对不需焊接的地方曝光，受紫外线照射或镭射成像后产生聚合反应（该区域油墨在稍后的显影步骤中将被保留下来），以碳酸钠水溶液将涂膜上未聚合区域显影去除，最后加以高温烘烤使油墨中的树脂完全硬化。显影后经过多道溢流水洗。以便进行后续的焊接或表面处理。该过程产生高浓有机废水（W3）。 ④后烤/UV：是指将油墨以烤箱高温或UV紫外灯固化的过程。该过程产生有机废气（G6）。防焊工序各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）防焊前超粗化处理一级水洗 80 0.20 1 常温 1.6 脱脂 140 0.35 1 常温 0.3 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 超粗化 900 2.25 1 常温 0.7 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 盐酸洗 140 0.35 1 30 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 1.6 抗氧化 140 0.35 1 常温 0.3 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 显影线水帘洗 300 0.75 1 常温 1.6 显影1 750 1.88 1 常温 12 显影2 750 1.88 1 常温 0 新液洗 300 0.75 1 常温 0 一级水洗 300 0.75 1 常温 12 四级溢流水洗 300 0.75 4 常温 12 纯水洗 300 0.75 1 常温 12 喷砂工艺流程说明：图2-15 喷砂工艺流程示意图喷砂：采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料（金刚砂）高速喷射到板件表面，对线路板进行喷砂，清洗线路板板面的氧化物和其他杂物，增加铜面粗糙度，加强铜面的结合力或改变色泽以利AOI检测，湿法作业无粉尘产生。喷砂工序各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）喷砂线水洗 100 0.25 2 常温 6 喷砂 1000 2.5 1 常温 0 3级水洗 120 0.3 3 常温 6 5级水洗 120 0.3 3 常温 6 清洗 320 0.8 1 常温 6 电镀镍金工艺流程说明：电镀镍金：电镀金是以电镀的方式析出镍金在电路板上，它的厚度控制较具弹性，一般适合用于IC封装板打线用，金手指或其它适配卡。一般金的硬度在100Knoop以下，称为软金。其品质要求较硬金更为严格。镀金过程中氰化物镀液稳定，目前在电镀业界还未有更好的成熟技术取代含氰电镀。图2-16 电镀镍金工艺流程示意图 ①镀镍：镀镍层主要作为铜层和金层之间的阻隔层，防止金铜互相扩散，影响板子的可焊性和使用寿命；同时有镍层打底也大大增加了金层的机械强度。操作条件：镍缸温度维持在50±2℃，pH值维持在3-4内，操作时间32’55”。镀层厚度为1.27-7.62um。阳极：可溶性阳极镍块用钛篮装住；氨基磺酸镍：提供镍离子；镍柔软剂：镍阳极在通电过程中极易钝化，为了保证阳极的正常溶解，在镀液中加入一定量的阳极活化剂。通过试验发现，Cl-是最好的镍阳极活化剂，除了作为主盐和导电盐外，还起到了阳极活化剂的作用；硼酸：硼酸用来作为缓冲剂，使镀镍液的pH值维持在一定的范围内，同时还可以提高阴极极化，改善镀层性能。该过程产生含镍废水（W6）。 ②镀金：金作为一种贵金属，具有良好的可焊性，耐氧化性，抗蚀性，接触电阻小，合金耐磨性好等等优良特点。预计采用柠檬酸金槽浴，镀液主要成分为金氰化钾，无其他氰源，是一种微氰酸性镀金工艺。为节约投资防止金耗，阳极采用不溶性的白金钛网，此种阳极有良好的导电性和较高的化学和电化学稳定性，与阴极、镀液组成电解池闭合回路，传导电流。镀金工艺采用的为微氰柠檬酸盐电镀工艺，其镀液组分及操作情况为：操作温度40℃，操作时间：5min，pH：4左右；氰化金钾2-6g/L、柠檬酸6 g/L以及少量络合剂0.5 g/L。镀层厚度为0.25-2.03um。该过程产生含氰废水（W7）。反应方程式如下： Kau(CN)2 == K++(Au(CN-)2)- (Au(CN)2)-==Au++2(CN)- 阳极反应：4OH—4e == 2H2O+O2 阴极反应：Au++e==Au 2H++2e == H2 ③镀金槽中废液由槽旁设置的回收设备定期回收，后接三级逆流漂洗槽（0.3L/h），清洗水中含有较高浓度金，连续溢流时经过树脂吸附设备使金得以回收，排放出的废水氰含量较低，进入厂区含氰废水调节池。 ④经表面处理后线路板进入成型车间，进行定位钻孔、切割、水洗，烘干后进行电气测试。电镀镍金各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）软金前处理一级水洗 80 0.20 1 常温 0.3 除油 140 0.35 1 30±2 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 (descum) 微蚀 550 1.38 1 50±2 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 酸洗 140 0.35 1 50±2 0.3 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 软金线酸性清洁 656 1.64 1 30±2 0.3 热纯水洗 664 1.66 2 50±2 12 纯水洗+喷洗 681 1.70 1 常温 12 微蚀 656 1.64 1 50±2 0.3 纯水洗1 332 0.83 1 常温 12 纯水洗2 332 0.83 1 常温 12 酸浸 656 1.64 1 50±2 0.3 纯水洗1 664 1.66 1 常温 12 纯水洗2 664 1.66 1 常温 12 镀镍 3000 7.50 5 50±2 0.3 高位纯水洗 664 1.66 1 常温 12 高位纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 12 酸洗 656 1.64 1 30±2 0.3 纯水洗1 664 1.66 1 常温 1.6 纯水洗2 664 1.66 1 常温 1.6 预镀金 1872 0.936 1 30±2 0 金回收1 664 0.332 1 30±2 0 纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 0 镀软金 3744 0.936 1 30±2 0 金回收2 1328 0.664 1 常温 0 纯水洗 672 1.68 1 常温 0 热纯水洗 672 1.68 1 40 1.6 纯水洗 672 1.68 1 常温 1.6 软金后清洗线喷淋水洗 90 0.23 1 常温 1.6 水刀水洗 85 0.21 1 常温 12 超音波 260 0.65 1 常温 0 热水洗 340 0.85 1 40 1.6 水洗3 90 0.23 3 常温 12 软金退膜退膜1 800 2.00 1 常温 0.15 退膜2 800 2.00 1 常温 0 高压退膜1 80 0.20 1 常温 0 高压退膜2 80 0.20 1 常温 0.15 热水洗 240 0.60 1 40 6 三级溢流水洗 80 0.20 5 常温 6 活化酸洗 140 0.35 1 50±2 0 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 12 接上表：生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）硬金线除油剂CA-406C 656 1.64 1 30±2 0.15 热纯水洗 664 1.66 2 常温 6 纯水洗+喷洗 681 1.70 1 常温 6 微蚀 656 1.64 1 50±2 0.15 纯水洗1 332 0.83 1 常温 6 纯水洗2 332 0.83 1 常温 6 酸浸 656 1.64 1 50±2 0.15 纯水洗1 664 1.66 1 常温 6 纯水洗2 664 1.66 1 常温 6 镍槽 3000 7.50 3 50±2 0.15 高位纯水洗 664 1.66 1 常温 6 高位纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 6 酸洗 656 1.64 1 30±2 0.15 纯水洗1 664 1.66 1 常温 6 纯水洗2 664 1.66 1 常温 6 预镀金 1872 0.936 1 30±2 0 金回收1 664 0.332 1 30±2 0 纯水洗+喷洗 664 1.66 1 常温 6 镀硬金 3744 0.936 1 30±2 0 金回收2 1328 0.664 1 常温 0 纯水洗 672 1.68 1 常温 6 热纯水洗 672 1.68 1 40 6 纯水洗 672 1.68 1 常温 6 化镍钯金工艺流程说明：图2-17 化镍钯金工艺流程示意图 ①微蚀：微蚀的主要目的是清洁粗化线路铜面，主要目的是去除铜面氧化物，确保铜与锡之间的结合力。微蚀采用H2SO4、过硫酸盐体系的微蚀液，微蚀剂浓度10~40g/L，微蚀剂中过硫酸盐占比60~100%，操作时间控制在1~2min左右，温度25±2℃。微蚀液中铜含量控制在12g/L以下，该工序会产生硫酸雾（G2）废气和微蚀废液（L5），而槽液更换周期约为7天。主要反应为：Na2S2O8+Cu→Na2SO4+CuSO4 CuO+H2SO4→CuSO4+H2O 微蚀后采用三级逆流漂洗，清洗水量200-300L/h，该工序会产生水洗废水。清洗后线路板进入预浸工序。 ②化学镍：在铜面利用氧化还原反应原理沉积一定厚度的镍层（厚度在3~5μm），防止铜离子的迁移。化学镀镍溶液以次磷酸钠为还原剂，次磷酸根离子H2PO2-在有催化剂（如Pd、Fe）存在时，会释放出具有很强活性的离子氢。镀槽温度在81±3℃，pH值4.5~4.7，镍含量在4.5~5.0g/L，反应式如下： Ni2++2H2PO2-+2H2O→Ni+2HPO32-+4H++H2↑ 4H2PO2-→2HPO32-+2P+2H2O+H2↑ 该工序产生硫酸雾(G2)、含镍废液（L6）；镍回收：镍钯金线旁设有1套电解回收设备，对含镍废液进行电解回收，回收效率约为98%，回收后的金属镍按一般固废进行综合利用，含镍废液（L6）按危险废物进行处置。 ③化学钯：在化学镍表面还原型沉积一层化学钯，镀槽温度50（48-52）℃，pH值7.2（7.0-7.7），钯含量在0.6（0.45-0.75）g/L。反应如下： Pd2++2H2PO2-+2H2O→Pd+2HPO32-+4H++H2↑ 4H2PO2-→2HPO32-+2P+2H2O+H2↑ 该工序产生硫酸雾(G2)、含钯废液（L4）；钯回收工艺流程：先经 0.5um 滤芯过滤去除杂质后，再用改性活性炭对钯离子进行选择性吸附，吸附后的含钯废水排放至络合废水处理系统。含钯清洗水进水浓度 0.1-0.5ppm，每一套吸附系统流速控制为 200-300 升/小时。钯回收产生浓缩液（W2）、废滤芯（S2）、废 RO膜（S6）。 ④化学金：在化学钯表面沉积一层化学金，金层厚度 0.05-0.15um，镀槽温度 0（76-84）℃，pH 值 7.2（7.0-7.4），金含量在 1.2（1.0-2.0）g/L。反应如下： Au(CN)2--2e→Au＋2CN 该工序产生氰化氢废气(G7)。 1）电解设施：利用电化学原理，将含氰废水中的金离子在阴极网上还原沉淀出金，电压5V，同时在阳极网上将水分子电解产生氧原子，氧原子具有极高的氧化性，将水中的氰根氧化成二氧化碳和氮气。 2)树脂设备：低浓度含金废水再经树脂吸附，含氰废水（W7）进入含氰废水收集池。本工序产生金（S7）、含金树脂（S8）。化镍钯金线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）镍钯金线脱脂（酸性除油） 400 1.00 1 50±2 0.15 水洗2 300 0.75 2 常温 6 微蚀 400 1.00 1 30 0.15 水洗2 300 0.75 2 常温 6 预活化 300 0.75 1 30 0.15 活化 400 1.00 1 常温 0 水洗2 300 0.75 2 常温 6 化学镍 1000 2.50 1 81±3 0.15 水洗3 300 0.75 3 常温 6 预活化 300 0.75 1 30 0.15 化学钯 600 1.50 1 48-52 0 水洗2 300 0.75 2 常温 6 浸镀金 500 1.25 1 76-84 0 金回收 300 0.75 1 常温后处理线水洗 150 0.38 1 常温 0 浸泡式水性封孔剂 150 0.38 1 常温 6 成品清洗线 4MDI溢流水洗 400 1.00 4 常温 0 4MDI溢流水洗 400 1.00 4 常温 0 超声波热水洗 300 0.75 1 40 0 4M溢流水洗 400 1.00 4 常温 0.15 AVI、OPS工艺流程说明：图2-18 AVI、OPS工艺流程示意图 1、AVI(AUTOMATIC VISUAL INSPECTIONmACHINE)自动光学检查机,是以机器替代传统人工目检。 2、OSP（Organic Solderability Preservatives）为有机保焊膜，即在洁净的裸铜表面上，用化学的方法所生长的一层有机皮膜，厚度在 0.2-0.5 μm 间，防止裸铜氧化。主要包括脱脂、微蚀、成膜等工序 2、脱脂：除油效果的好坏直接影响到成膜质量。除油不良，造成膜厚度不均匀。一方面，可以通过分析溶液，将浓度控制在工艺范围内。另一方面，也要经常检查除油效果是否好，若除油效果不好，则应及时更换除油液。 3、微蚀：目的是形成粗糙的铜面，便于成膜。微蚀的厚度直接影响到成膜速率，因此，要形成稳定的膜厚，保持微蚀厚度的稳定是非常重要的。一般将微蚀厚度控制在1.0-1.5um 比较合适。每班生产前，可测定微蚀速率，根据微蚀速率来确定微蚀时间。 4、成膜：pH值应控制在4.0-7.0之间，以防膜层遭到污染及破坏。OSP工艺的关键是控制好防氧化膜的厚度。膜太薄，耐热冲击能力差，在过回流焊时，膜层耐不往高温（190-200°C），最终影响焊接性能，在电子装配线上，膜不能很好的被助焊剂所溶解，影响焊接性能。一般控制膜厚在0.2-0.5um之间比较合适。 OSP线各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min） OSP线除油 180 0.45 1 45 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 微蚀 180 0.45 1 45 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 预浸 400 1.00 1 45 0.3 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 OSP1 275 0.69 1 常温 0 OSP2 275 0.69 1 常温 0 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 三级溢流水洗 80 0.20 3 常温 12 化学锡（暂未建设）工艺流程说明：图2-19 化学锡工艺流程示意图 ①脱脂除油：采用除油剂使铜面的油污除去；槽液主要成分为硫酸水溶液，浓度在 170~250ml/L左右，时间保证在6分钟，常温。该工序会产生一般酸碱废水（W5）。 ②微蚀：采用酸性微蚀剂去除铜面的氧化物；微蚀采用H2SO4、过硫酸盐体系的微蚀液，微蚀剂浓度10~40g/L，微蚀剂中过硫酸盐占比60~100%，操作时间控制在1~2min左右，温度25±2℃。该工序会产生一般酸碱废水（W5）、硫酸雾（G2）和微蚀废液（L5）。 ③预浸：预浸：预浸的目的是防止版面残留的铜离子带入后序镀锡主槽污染槽液，化学镀锡主槽液寿命。预浸槽采用甲基磺酸锡作为锡的来源，以柠檬酸为络合剂，在硫脲的作用下，Cu2+/Cu的电位降低但不改变Sn2+/Sn的电位，从而使Sn和Cu发生置换反应。 2Cu+Sn2+→2Cu++Sn、预浸工序操作时间控制在 1~2min 左右，温度 15~30℃。预浸后的线路板不水洗，直接进入镀锡主槽。当预浸槽内添加槽液量达到 6MTO 时，更换槽液一次；若一年内药水添加量少于 6MTO，则最长一年更换槽液一次，该工序会产生络合废水（W2）。 ④化学沉锡：机理是通过改变铜离子的化学电位，使镀液中的亚锡离子发生置换反应，被还原的锡金属沉积在封装基板的铜点位表面，形成锡镀层，且使浸锡镀层上吸附的金属络合物起催化反应，继续使锡离子还原为金属锡，使锡镀层不断加厚。本项目的化学沉锡厚度控制在 1.2μm左右。该工序会产生络合废水（W2）。化学锡金各槽体规格、参数表生产线名称槽体名称有效容积（L）单个槽体面积（m2）槽体数量（只）工作温度（℃）溢流量（L/min）化锡线脱脂（酸性除油） 400 1.00 1 50 0.15 三级溢流水洗 90 0.23 3 常温 6 铜活化（微蚀） 320 0.80 1 25±2 0.15 三级溢流水洗 90 0.23 4 常温 6 预浸 400 1.00 1 15-30 0.15 化学锡 400 1.00 1 30 0 水洗5 90 0.23 5 常温 6 Tray盘自动清洗线三级*3溢流水洗 90 0.23 5 常温 6 化锡后清洗线酸洗 140 0.35 1 常温 0.15 四级溢流水洗 80 0.20 4 常温 6 锡球加工（暂未建设）工艺流程说明：图2-20 植锡球工艺流程示意图 ①印刷：在全自动钢网印刷机上，通过在密闭的空间，将助焊剂均匀地施加在电路板焊盘上，在上面加上固定大小的锡球。该过程会产生废锡渣（S10）。 ②回流焊：在回流炉内进行加热，助焊剂、锡球融化后，使助焊剂、锡球与基板结合。该过程会产生锡及其化合物（G9）、有机废气（G6）。 ③助焊剂清洗：焊接后的电路板采用清洗剂进行清洗。该过程产生一般酸碱废水（W5）。 ④水洗：经过溶剂清洗后的线路板，再用纯水进行水洗。该过程产生一般清洗废水（W1）。 ⑤干燥：清洗设备自带鼓风机，在80℃进行烘干。剥挂架、涂布滚轮、网版清洗工艺流程说明：图2-21 剥挂架工艺流程示意图图2-22 涂布滚轮、网版清洗工艺流程示意图 ①剥挂：由于在各种镀种镀前，需要将线路板挂在挂具上，然后将线路板浸没在镀液中进行电镀、化学镀，从而使挂架上也会形成镀层，因此需要定期将该镀层去除。根据其金属特性，公司采用硫酸、双氧水进行剥挂架；对电镀产生的废品项目将其作为废线路板进行外委处置。本工序会产生硫酸雾（G2）、一般酸碱废水（W5）。 ②滚轮、网版清洗：RC涂布滚轮使用后沾染油墨；在锡球加工、防焊处理工序会使用网版进行助焊剂印刷、涂布印刷油墨，使网版上带有助焊剂、油墨，因此需要进行清洗。此过程产生有机废气（G6）和废清洗溶剂（L8）。高浓度含铜液回收工艺流程说明：图2-23 高浓度含铜液回收工艺流程示意图高浓度含铜液回收线为全密闭系统，主要由铜溶液循环暂存槽、电解槽组成，常温下运行。高浓度含铜液（含铜量约 0.0126t/t）通过循环泵循环通过阴极柱，在阴极柱上沉积得到铜管，电解槽内阳极OH－电解产生水和氧气。铜管达到一定厚度后取出，电解液（含铜量低于 0.5g/L）排入污水站处理。硫酸铜溶液暂存槽、电解槽均为密闭，电解产生的氧气随废水逸散至空气中，伴有少量酸雾（G2）产生。电解反应方程式如下： 2CuSO4+4H2O——2Cu+O2+2H2O+2H2SO4 阳极：4OH－-4e－——2H2O+O2↑ 阴极：2Cu2++4e－——2Cu（再生铜管）
化学锡工艺、锡球加工工艺等暂未建设，根据企业提供资料，实际仅形成年产25万片集成电路封装基板的生产能力。

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

①图形前处理、DES、plasma工序产生的酸性废气经一套废气处理设施（碱喷淋）处理后，通过一根排气筒25米高空排放；中央供液区产生的酸性废气经另一套废气处理设施（碱喷淋）处理后，通过另一根排气筒25米高空排放，两股废气分别处理、分别排放。 ②叠板压合、防焊涂布、回流焊工序产生的有机废气通过一套“水喷淋+干式过滤器+二级活性炭吸附”装置处理后通过一根排气筒25米高空排放；化铜、显影槽清洗、滚轮清洗工序产生的有机废气通过一套“水喷淋+干式过滤器+二级活性炭吸附”装置处理后通过一根排气筒25米高空排放。 ③水平沉铜线产生的酸性废气与压合前处理、镭钻前处理、减铜线、防焊前处理、图形电镀、闪蚀线、电镀镍金、化镍钯金、OSP等工序的酸洗废气合并一起处理，接入一套碱喷淋处理设施处理后通过一根排气筒25米高空排放。 ④钻孔工序产生的颗粒物通过一套废气处理设施（布袋除尘器）处理后，通过一根排气筒25米高空排放。	①图形前处理、DES、plasma工序产生的酸性废气以及中央供液区产生的酸性废气经各收集系统收集后合并接入一套废气处理设施（碱喷淋）处理后，通过一根排气筒33米高空排放。 ②回流焊废气收集后接入一套“水喷淋+干式过滤器+二级活性炭吸附”装置处理后通过一根排气筒33米高空排放；叠板压合、防焊涂布、化铜、显影槽清洗、滚轮清洗、钢板清洗工艺有机废气接入一套“水喷淋+干式过滤器+二级活性炭吸附”装置处理后通过一根排气筒33米高空排放。 ③水平沉铜线产生的酸性废气通过3套并联废气处理设施（碱喷淋）处理后，合并通过一根排气筒33米高空排放。 ④钻孔工序产生的颗粒物通过3套并联废气处理设施（布袋除尘器）处理后，合并通过一根排气筒33米高空排放。
根据《**环境局分局关于印发《市建设项目（污染影响类）非重大变动实施方案》的通知》（义环保〔2022〕14号），排污单位应自行或委托在环境影响评价信用平台登记的技术单位编制《建设项目非重大变动环境影响分析报告》，明确环境影响结论，并对结论的真实性、准确性和完整性负责。故委托编制《**年产72万片集成电路封装基板项目非重大变动环境影响分析报告》，以此作为项目是否非重大变动的依据，并明确环境影响结论。根据《污染影响类建设项目重大变动清单》（环办环评函〔2020〕688号），并结合本项目变动的内容，判断项目属于非重大变动。项目变动后，废气、废水污染源无变化，固废产排量无变化，在全面落实原环评告中提出的相应污染物治理措施后，各类污染物的排放均能满足国家和地方环境保护法规和标准，对周围环境影响不大，项目变动不会降低区域环境功能等级。由以上分析可见，本项目变动属于非重大变动，项目变动不影响原环评报告“从环境保护角度看，本项目的建设是可行的。”

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

无	无
无

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

351714	****100	351714	351714
10.55	30.57	10.55	10.55
0.352	1.02	0.352	0.352
0	0	0	0
0	0	0	0
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0.931	3.519	0.931	0.931	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

****处理站污水处理设施

《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）表1

一般清洗废水和一般酸碱废水经厂区废水处理设施（调节+混凝沉淀）后排入市政污水管网；络合废水经络合废水处理系统、高浓有机废水经高浓废水处理系统、低浓有机废水经低浓废水处理系统、含镍废水经含镍废水处理系统、含氰废水经含氰废水处理系统处理后一起经厂区废水处理设施（芬顿氧化+混凝沉淀+生化处理）处理后排入市政污水管网

正常工况

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

1	镭射钻孔、切割粉尘处理设施	《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2	湿式除尘	正常工况
2	钻孔粉尘处理设施	《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2	布袋除尘	正常工况
3	图形前处理/DES/plasma/西侧室外储罐/配电房外储液罐废气处理设施	《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5	碱喷淋塔	正常工况
4	压合前处理/镭钻前处理/减铜线/防焊前处理/图形电镀/闪蚀线/电镀镍金/化镍钯金/0SP废气处理设施	《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5	碱喷淋塔	正常工况
5	水平沉铜线废气处理设施	《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5	碱喷淋塔	正常工况
6	压合前处理/DES/防焊前处理废气处理设施	《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5	次氯酸钠预喷淋+碱喷淋塔	正常工况
7	电镀金/化镍钯金废气处理设施	《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5	次氯酸钠预喷淋+碱喷淋塔	正常工况
8	叠板压合、防焊涂布、化铜、显影槽清洗、滚轮清洗、钢板清洗等工艺废气处理设施	所测指标非甲烷总烃排放浓度符合《印刷工业大气污染物排放标准》（GB41616-2022）表1规定的大气污染物排放限值，所测指标甲醛排放浓度和排放速率均符合《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中新污染源大气污染物排放限值二级标准限值	水喷淋+干式过滤器+二级活性炭吸附	正常工况

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

低噪声设备

《工业企业厂界环境噪声排放标准》GB12348-2008中3类区限值

低噪声设备

正常工况

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

封装基座边角料、铜粉尘、废滤芯滤袋、废封装基板、废RO膜、废干膜渣、废饱和树脂、废油墨、实验室废有机溶液、水处理污泥(有机、含镍、含铜)、废活性炭、废包装桶、废抹布手套、废过滤棉、含铜废液、酸性蚀刻废液、含钯废液、微蚀废液、含镍废液、硝酸废液、废清洗溶剂等属危险固废，须委托有相应资质的单位安全处置；废包装材料、回收金、废锡渣、废布袋、废靶材、废PET膜、纯水制备废过滤材料等收集后，实行**化再利用，严禁随意堆放、抛洒。生活垃圾统一由环卫部门统一清运，日产日清。

公司已按“**化、减量化、无害化”处理处置原则，落实各类固废特别是危险废物的收集、处置和综合利用措施。本项目产生的边角料、铜粉尘、废滤芯滤袋、废干膜渣、废包装桶、废RO膜、废饱和树脂、废封装基板、废油墨、实验室废有机溶液、有机废水处理污泥、含镍废水处理污泥、含铜废水处理污泥、废活性炭、废过滤棉、废抹布手套、含铜废液、酸性蚀刻废液、含钯废液、微蚀废液、含镍废液、硝酸废液、废清洗溶剂、含金废液委托******公司收集转运；废包装材料、回收金、废锡渣、废布袋、废靶材、废PET膜收集后综合利用；生活垃圾由环卫部门统一清运。固废的收集和贮存满足相关规定；危废暂存库满足《危险废物贮存污染控制标准》（GB 18597—2023）。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程