硅光有源晶圆及硅基锗探测器外延技术

A****0113合成材料

硅光有源晶圆及硅基锗探测器外延技术，1项 一、采购需求核心目标 基于扁平方形腔体路线与长条形灯管的硅锗外延设备，研究面向硅基锗外延技术，实验锗外延上的技术突破与应用验证，实现低损耗、高带宽、高可靠性的封装工艺开发及量产可行性验证，实现≥200nm厚度的硅锗薄膜外延，12英寸均匀性≥90%；实现位错密度≤5×10^6cm-2的选区锗硅外延生长；基于**省创芯****公司12吋CMOS工艺线，优化完成硅锗探测器工艺开发，硅基锗探测器暗电流≤100nA，响应度≥0.8A/W，带宽≥40GHz，交付样品晶圆25片。 二、服务内容 供应商需提供以下全流程技术服务： 1. 硅基锗外延工艺开发与优化：基于扁平方形腔体路线与长条形灯管设计的硅锗外延设备，开展12英寸硅基锗薄膜外延工艺研究。实现高质量、低缺陷的选区锗硅外延生长，并完成可行性验证。 2. 硅锗探测器流片与工艺集成：完成硅锗探测器从版图设计、流片到后道工艺的全流程集成。 3. 材料表征与器件性能测试：对外延生长的硅锗薄膜及制备的探测器进行全面的物理与电学性能表征。提供包含厚度、均匀性、位错密度、暗电流、响应度及高频带宽等核心指标的测试数据与分析报告。 4. 技术文档：提供完整的技术开发报告、测试报告。 三、技术要求 1. 外延材料指标：在12英寸硅衬底上实现选区锗硅外延生长，外延层厚度≥200nm；晶圆内厚度及组分均匀性≥90%；穿透位错密度（TDD）≤5×10^6cm-2；表面粗糙度（RMS）≤1.5nm（基于10μm×10μm AFM扫描）。 2. 探测器光电性能：基于12吋CMOS工艺线制备的硅基锗探测器，在指定工作波长下，暗电流≤100nA；响应度≥0.8A/W；-3dB光带宽≥40GHz。 3. 设备与工艺兼容性：外延工艺需严格适配扁平方形腔体与长条形灯管路线设备，确保温场均匀可控；探测器工艺满足低损耗、高可靠性的量产封装要求。 4. 测试报告：所有性能指标需提供测试报告，提供外延及流片过程中的关键工艺参数（FDC）监控记录。 四、交付要求 1. 交付样片：提供符合上述技术指标的12英寸硅基锗外延及探测器交付样片（晶圆）共计25张，外延层厚度≥200nm；晶圆内厚度及组分均匀性≥90%；硅基锗探测器，在O波段和C波段工作波长下，暗电流≤100nA；响应度≥0.8A/W；-3dB光带宽≥40GHz。 2. 测试报告：提供25张样片对应的测试结果及测试报告（含材料表征与器件性能测试）。 3. 技术文档：提交《硅基锗外延技术开发报告》、《硅锗探测器工艺集成与封装规范》等技术文档。