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分子热流耦合仪及痕量气体操控台
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****2026年9至12月政府采购意向-分子热流耦合仪及痕量气体操控台 详细情况
| 分子热流耦合仪及痕量气体操控台 | |
| 项目所在采购意向： | ****2026年9至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | **** |
| 采购项目名称： | 分子热流耦合仪及痕量气体操控台 |
| 预算金额： | 419.700000万元(人民币) |
| 采购品目： |
A****0300电子工业生产设备
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| 采购需求概况 ： |
功能和目标： 分子热流耦合仪包含As裂解阀炉，Te裂解阀炉，In源炉，CdTe/Te源炉，Zn源炉。As裂解阀炉主要用于Si衬底脱氧的As钝化工艺和碲镉汞材料的P型掺杂工艺；Te裂解阀炉和CdTe/Te源炉主要用于碲化镉缓冲层材料的外延生长；Zn源炉主要用于碲化锌低温缓冲层材料的外延生长；In源炉主要用于碲镉汞材料的N型掺杂。各源炉核心指标温度稳定性应达到≤±0.1℃，束流均匀性应保证200mm范围内≤±1.5%，在超高真空外延生长室中提供稳定且均匀的分子束流，以实现高质量碲镉汞材料的外延生长。 痕量气体操控台包含除气室样品架，主要用于晶圆承载钼托的除气和外延衬底的预处理除气。除气室样品架最高加热温度需达到≥800℃，有效去除晶圆衬底及钼托表面的残余气体及杂质。
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| 预计采购时间： | 2026-10 |
| 备注： |
项目说明： 该项目中的各部件最终要装配到分子束外延设备上使用，各部件的规格及接口要严格按照用户使用要求，精确对接匹配外延系统，保证功能及性能。
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本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写
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2026-09-11
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