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MOS
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元器件
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1、通道配置 双独立 NChannel(增强型) 2、漏源耐压 Vdss 30 V 3、连续漏极电流 Id(25℃) 250 mA /每通道 4、导通电阻 Rds(on) Max 1.5 Ω @ Vgs=4V,Id=10mA 5、栅极阈值 Vgs(th) Max 1.5 V @100 μA(逻辑电平驱动) 6、栅极电荷 Qg 1.3 nC @ 5 V 7、最大功耗 Pd(25℃) 272 mW 8、脉冲漏极电流 Idm 600 mA(10μs) 9、结温工作范围 Tj -55 ℃ ~ +150 ℃ 10、不低于 安森美制造的 NVTJD4001NT1G 型号
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