MOS

发布时间: 2026年09月20日
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基本信息
询价单名称: MOS
询价单编号: ****
询价人名称: 谭思齐
询价时间: 2026-09-20 09:52:42
询价人电话:
采购类型: 单次采购
采购企业: ****
报价商品
序号
物资编码
物资名称
产品分类
规格描述
品牌
生产厂
数量
单位
交货方式
交货日期/计划
原产地
备注
1
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MOS
元器件
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10.0
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1、通道配置 双独立 NChannel(增强型) 2、漏源耐压 Vdss 30 V 3、连续漏极电流 Id(25℃) 250 mA /每通道 4、导通电阻 Rds(on) Max 1.5 Ω @ Vgs=4V,Id=10mA 5、栅极阈值 Vgs(th) Max 1.5 V @100 μA(逻辑电平驱动) 6、栅极电荷 Qg 1.3 nC @ 5 V 7、最大功耗 Pd(25℃) 272 mW 8、脉冲漏极电流 Idm 600 mA(10μs) 9、结温工作范围 Tj -55 ℃ ~ +150 ℃ 10、不低于 安森美制造的 NVTJD4001NT1G 型号
招标进度跟踪
2026-09-20
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