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程俊杰
055****8901
备注:参数:◆ 采用屏蔽栅沟DMOS技术。 ◆ VDS @ Tj,25℃:200V;RDS(on),typ:28mΩ;ID:45A;Qg,typ:18 nC ◆ 极低的导通阻抗、栅极电荷 ◆ 增强体二极管dv/dt能力 ◆ 高速功率平稳切换 ◆ 增强雪崩坚固性 ◆ 100%UIS测试
| 商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 规格型号 |
| N型场效应管 | 电子元器件>其它元器件 | 5808.0个 | 5808.0个 | (JRC20N032H)TSON-8-3 |