电子元器件封装测试平台(高精度振荡器,晶体测试认定实验室)项目

审批
湖北-随州-曾都区
发布时间: 2026年10月08日
项目详情
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1、建设项目基本信息
企业基本信息
建设单位名称: 建设单位代码类型: 建设单位机构代码: 建设单位法人: 建设单位联系人: 建设单位所在行政区划: 建设单位详细地址:
****
914********912560J喻信东
甘雨**省**市**区
****经济开发区****工业园
建设项目基本信息
项目名称: 项目代码: 项目类型: 建设性质: 行业类别(分类管理名录): 行业类别(国民经济代码): 工程性质: 建设地点: 中心坐标: ****机关: 环评文件类型: 环评批复时间: 环评审批文号: 本工程排污许可证编号: 排污许可批准时间: 项目实际总投资(万元): 项目实际环保投资(万元): 运营单位名称: 运营单位组织机构代码: 验收监测(调查)报告编制机构名称: 验收监测(调查)报告编制机构代码: 验收监测单位: 验收监测单位组织机构代码: 竣工时间: 调试起始时间: 调试结束时间: 验收报告公开起始时间: 验收报告公开结束时间: 验收报告公开形式: 验收报告公开载体:
电子元器件封装测试平台(高精度振荡器,****实验室)项目
2021版本:081-电子元件及电子专用材料制造C3989-C3989-其他电子元件制造
**省**市**区 ****经济开发区****工业园
经度:113.348720 纬度: 31.791880****环境局****分局
2024-03-04
随环曾建审〔2024〕4号****
2024-02-025800
100****
914********912560J****
914********912560J******公司
****0112MAE4AQ0F432026-05-21
2026-08-172026-09-14
https://www.****.com/bbs/discovery
2、工程变动信息
项目性质
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
改扩建改扩建
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规模
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
年产北斗高精度时钟器件6000万片、车规级晶振6000万片年产北斗高精度时钟器件6000万片、车规级晶振6000万片
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生产工艺
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
主要工作流程如下: 温度补偿型石英晶体振荡器TCXO所用晶片来自现有工程,晶片需与基座、上盖片等进行封装,通过点胶、微调、轮焊、老化、回流焊、检查测试等工序封装后再与IC芯片进行Filp Chip操作,再经填充胶、老化、特性调整、检查打标等工序即得产品。 (1)TCXO封装 ①晶片折取 将光刻加工过的TCXO晶片放入自动折取机中,折取机根据产品需求自动选取相应的晶片。 ②点胶 将相对应的晶片和基座放入全自动晶片固定点胶机内的承载盘上,吸取合适量的已回温和脱泡好的导电胶装在针筒内。再将装好的针筒安装于上点胶和下点胶,导电胶输送管之转接头上,通过点胶气压压力调整机,使导电胶顺畅地排出进行点胶作业。点胶完成后,各晶片承载盘将通过管道自动送入烤箱进行烘烤,烘烤温度为280℃,时间为60分钟。点胶作业使用的导电胶,为藤仓导电胶XA-819A,主要成分为80%的银粉,15%硅胶树脂和5%有机溶剂,生产过程中会产生少量挥发性有机废气G1。 ③微调 将点胶完成后的晶片放入双枪离子刻蚀微调机内进行频率微调,使谐振频率逐渐增加至目标频率。离子刻蚀调频过程是在真空条件下充入氩气,加热阴极发射出的电子在电场作用下同氩原子碰撞,使氩气电离形成等离子体,在电栅极组成的离子光学系统从等离子体中将氩离子抽出并完成聚集和加速,形成均匀的准直离子束轰击置于高频晶片,对高频晶片表面的金属薄膜进行刻蚀,使其谐振频率将逐渐增加至目标频率。此过程在氩气保护条件下进行,不考虑废气产生,主要产生废铬薄膜S1、废银薄膜S2,交由生产厂家回收。 ④轮焊 将微调好的初产品通过全自动轮焊机,按照各初产品对应的型号、频率及对应的上盖,在真空环境下利用电流经工件接触面及邻近区域产生电阻热,将其加热到熔化状态进行轮焊作业,封装上盖。焊接过程不使用焊丝(焊条)且为真空全密闭,不考虑焊接烟尘产生。 ⑤老化 将上盖后的谐振器半成品放入真空烤箱内烘烤,烘烤温度为240℃,时间为40分钟,释放加工过程中的应力,使频率达到稳定。 ⑥回流焊测试 将老化后的晶体谐振器在电脑控制无铅回流焊接机内进行回流炉焊接测试,分析回流焊温度曲线,焊接过程不使用焊丝(焊条)且为真空全密闭,不考虑焊接烟尘产生。 ⑦检查测试 将回流焊测试后的晶体谐振器对其进行空气气密度测试分析和电性特性分析。此过程主要产生不合格品S3。 ⑧Filp Chip Filp Chip是指倒装芯片封装系统,该系统的顶针从ICWafer片下方顶起芯片,使之便于脱离UV膜,芯片拾取组件从上方吸起芯片,同时在封装后的产品的基板上涂上导电胶,然后将芯片正面朝下放置在基板上,接着将芯片上的金线另一端高温熔化成球形,以便在基板上形成第二个焊点。此过程主要产生废UV膜S4。 ⑨填充胶 通过填胶机将环氧树脂胶均匀注入芯片表面,待用。 ⑩老化 将产品放入烤箱固化,控制烤箱温度为280℃,通热力消除产品内部应力,保护芯片内部结构。在烘烤过程中,环氧树脂胶会产生少量有机废气G2。 ⑾常温特性调整 在常温下对产品AFC、温度补偿、中心频率进行校准。 ⑿检查、打标、编带 通过测试印字编带一体机对产品进行测试、印字、编带,合格后入库待用。此过程主要产生不合格品S5。 (2)IC芯片加工 ①植金球 在一定压力和温度条件下,通过焊线机将金线熔融成金球,并将其植入IC Wafer片中。 ②贴UV膜 在晶圆背面贴上一层UV膜,防止IC Wafer片在切割时不会出现散落的情况。 ③IC切割 使用全自动切割机将IC Wafer片在纯水中切割成一个个独立的芯片。此工序主要产生切割废水W1。 ④清洗 将切割后的IC Wafer片放入全自动清洗系统,使用纯水清洗IC Wafer片表面。此工序主要产生清洗废水W2。 (3)纯水制备 本项目生产中清洗过程中要使用纯水,使用1台1t/h的纯水机,纯水系统分为前处理和后处理两部分。主要工作流程如下: 温度补偿型石英晶体振荡器TCXO所用晶片来自现有工程,晶片需与基座、上盖片等进行封装,通过点胶、微调、轮焊、老化、回流焊、检查测试等工序封装后再与IC芯片进行Filp Chip操作,再经填充胶、老化、特性调整、检查打标等工序即得产品。 (1)TCXO封装 ①晶片折取 将光刻加工过的TCXO晶片放入自动折取机中,折取机根据产品需求自动选取相应的晶片。 ②点胶 将相对应的晶片和基座放入全自动晶片固定点胶机内的承载盘上,吸取合适量的已回温和脱泡好的导电胶装在针筒内。再将装好的针筒安装于上点胶和下点胶,导电胶输送管之转接头上,通过点胶气压压力调整机,使导电胶顺畅地排出进行点胶作业。点胶完成后,各晶片承载盘将通过管道自动送入烤箱进行烘烤,烘烤温度为280℃,时间为60分钟。点胶作业使用的导电胶,为藤仓导电胶XA-819A,主要成分为80%的银粉,15%硅胶树脂和5%有机溶剂,生产过程中会产生少量挥发性有机废气G1。 ③微调 将点胶完成后的晶片放入双枪离子刻蚀微调机内进行频率微调,使谐振频率逐渐增加至目标频率。离子刻蚀调频过程是在真空条件下充入氩气,加热阴极发射出的电子在电场作用下同氩原子碰撞,使氩气电离形成等离子体,在电栅极组成的离子光学系统从等离子体中将氩离子抽出并完成聚集和加速,形成均匀的准直离子束轰击置于高频晶片,对高频晶片表面的金属薄膜进行刻蚀,使其谐振频率将逐渐增加至目标频率。此过程在氩气保护条件下进行,不考虑废气产生,主要产生废铬薄膜S1、废银薄膜S2,交由生产厂家回收。 ④轮焊 将微调好的初产品通过全自动轮焊机,按照各初产品对应的型号、频率及对应的上盖,在真空环境下利用电流经工件接触面及邻近区域产生电阻热,将其加热到熔化状态进行轮焊作业,封装上盖。焊接过程不使用焊丝(焊条)且为真空全密闭,不考虑焊接烟尘产生。 ⑤老化 将上盖后的谐振器半成品放入真空烤箱内烘烤,烘烤温度为240℃,时间为40分钟,释放加工过程中的应力,使频率达到稳定。 ⑥回流焊测试 将老化后的晶体谐振器在电脑控制无铅回流焊接机内进行回流炉焊接测试,分析回流焊温度曲线,焊接过程不使用焊丝(焊条)且为真空全密闭,不考虑焊接烟尘产生。 ⑦检查测试 将回流焊测试后的晶体谐振器对其进行空气气密度测试分析和电性特性分析。此过程主要产生不合格品S3。 ⑧Filp Chip Filp Chip是指倒装芯片封装系统,该系统的顶针从ICWafer片下方顶起芯片,使之便于脱离UV膜,芯片拾取组件从上方吸起芯片,同时在封装后的产品的基板上涂上导电胶,然后将芯片正面朝下放置在基板上,接着将芯片上的金线另一端高温熔化成球形,以便在基板上形成第二个焊点。此过程主要产生废UV膜S4。 ⑨填充胶 通过填胶机将环氧树脂胶均匀注入芯片表面,待用。 ⑩老化 将产品放入烤箱固化,控制烤箱温度为280℃,通热力消除产品内部应力,保护芯片内部结构。在烘烤过程中,环氧树脂胶会产生少量有机废气G2。 ⑾常温特性调整 在常温下对产品AFC、温度补偿、中心频率进行校准。 ⑿检查、打标、编带 通过测试印字编带一体机对产品进行测试、印字、编带,合格后入库待用。此过程主要产生不合格品S5。 (2)IC芯片加工 ①植金球 在一定压力和温度条件下,通过焊线机将金线熔融成金球,并将其植入IC Wafer片中。 ②贴UV膜 在晶圆背面贴上一层UV膜,防止IC Wafer片在切割时不会出现散落的情况。 ③IC切割 使用全自动切割机将IC Wafer片在纯水中切割成一个个独立的芯片。此工序主要产生切割废水W1。 ④清洗 将切割后的IC Wafer片放入全自动清洗系统,使用纯水清洗IC Wafer片表面。此工序主要产生清洗废水W2。 (3)纯水制备 本项目生产中清洗过程中要使用纯水,使用1台1t/h的纯水机,纯水系统分为前处理和后处理两部分。
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环保设施或环保措施
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
1、废水防控方面:项目依照“雨污分流、清污分流、污污分流、分类处理”的原则建设给排水系统,切实做好各类管网的防腐、防漏及防渗措施。项目生产废水、生产管理废水、反冲洗废水依托现有工程污水站处理,生活污水应通过现有隔油池+化粪池处理。上述外排废水,须满足《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)、****处理厂接管标准及《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)相应标准限值,由污水管网排****处理厂进一步处理。 2、废气防控方面:项目点胶废气、老化废气均应在密闭设备内进行,通过设备上方集气管收集后引至二级活性炭吸附装置处理后由15m高排气筒(DA006)排放,未被收集的有机废气应由车间抽排风系统抽出经车间顶部排风口排放;食堂油烟应采用油烟净化器处理后引至屋顶排放。上述外排废气,TVOC须满足**市地方标准《工业企业挥发性有机物排放控制标准》(DB12/254-2020)表1“电子元器件、平板显示器、电真空及光电子器件、电子专用材料、电子终端产品”相应限值要求,无组织须满足表2相应限值;食堂油烟须满足《饮食业油烟排放标准(试行)》(GB18483-2001)排放限值要求。 3、噪声防控方面:项目应采用低噪声设备,墙体隔声,基础设备减振隔振等措施,加强对高噪声设备的管理和维护,确保厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准。 4、固废防控方面:项目应按照“**化、减量化、无害化”处置原则,分类收集堆放、分质处理生产中产生的各种固体废物。生活垃圾应统一收集交由环卫部门清运处置;废铬薄膜、废银薄膜由厂家回收;不合格产品、废UV膜、废包装材料等一般固体废物应分类收集后外售处置;废活性炭、废矿物油等危险废物应按要求暂存至危险废物暂存间,定期交由具有相关资质的单位清运处置。项目点胶废气、老化废气均已在密闭设备内进行,通过设备上方集气管收集后引至二级活性炭吸附装置处理后由15m高排气筒(DA006)排放,未被收集的有机废气应由车间抽排风系统抽出经车间顶部排风口排放;食堂油烟应采用油烟净化器处理后引至屋顶排放。上述外排废气,TVOC须满足**市地方标准《工业企业挥发性有机物排放控制标准》(DB12/254-2020)表1“电子元器件、平板显示器、电真空及光电子器件、电子专用材料、电子终端产品”相应限值要求,无组织须满足表2相应限值;食堂油烟须满足《饮食业油烟排放标准(试行)》(GB18483-2001)排放限值要求。 项目已依照“雨污分流、清污分流、污污分流、分类处理”的原则建设给排水系统,切实做好各类管网的防腐、防漏及防渗措施。项目生产废水、生产管理废水、反冲洗废水依托现有工程污水站处理,生活污水应通过现有隔油池+化粪池处理。上述外排废水,须满足《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)、****处理厂接管标准及《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)相应标准限值,由污水管网排****处理厂进一步处理。 项目验收期间噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中3类标准要求 已**建筑面积为10m2的一般固体废物暂存间及10m2危险废物暂存间,暂存一般固体废物及危险废物。固体废物均合理处置,不外排。废矿物油、废活性炭等危险废物交由**TCL****公司处置;废铬薄膜、废银薄膜由厂家回收,不合格产品、废包材、废UV膜等外售;生活垃圾交由环卫部门处理。
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其他
环评文件及批复要求: 实际建设情况: 变动情况及原因: 是否属于重大变动: 是否重新报批环境影响报告书(表)文件:
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3、污染物排放量
污染物 现有工程(已建成的) 本工程(本期建设的) 总体工程 总体工程(现有工程+本工程) 排放方式 实际排放量 实际排放量 许可排放量 “以新带老”削减量 区域平衡替代本工程削减量 实际排放总量 排放增减量 废水 水量 (万吨/年) COD(吨/年) 氨氮(吨/年) 总磷(吨/年) 总氮(吨/年) 废气 气量 (万立方米/年) 二氧化硫(吨/年) 氮氧化物(吨/年) 颗粒物(吨/年) 挥发性有机物(吨/年)
0 0 0 0 0 0 0
0 0.1086 9.724 0 0 0.109 0.109
0 0.01 0.973 0 0 0.01 0.01
0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0
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0 0 0 0 0 0 0 /
0 0 0 0 0 0 0 /
0 0 0 0 0 0 0 /
0 0.1152 0.28 0 0 0.115 0.115 /
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
1 化粪池、现有工程污水站 《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020****处理厂接管标准 化粪池、现有工程污水站 检测2天,4次/天
表2 大气污染治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
1 集气管收集后引至二级活性炭吸附装置处理后由15m高排气筒排放 《工业企业挥发性有机物排放控制标准》(DB12/254-2020) 集气管收集后引至二级活性炭吸附装置处理后由15m高排气筒排放 检测2天,3次/天
表3 噪声治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
1 项目采用低噪声设备,墙体隔声,基础设备减振隔振等措施,加强对高噪声设备的管理和维护 《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)“3类”标准 项目采用低噪声设备,墙体隔声,基础设备减振隔振等措施,加强对高噪声设备的管理和维护 检测2天, 昼间检测一次
表4 地下水污染治理设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
表5 固废治理设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
表6 生态保护设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
表7 风险设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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环保搬迁
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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区域削减
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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生态恢复、补偿或管理
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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功能置换
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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其他
环评文件及批复要求: 验收阶段落实情况: 是否落实环评文件及批复要求:
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6、工程建设对项目周边环境的影响
地表水是否达到验收执行标准: 地下水是否达到验收执行标准: 环境空气是否达到验收执行标准: 土壤是否达到验收执行标准: 海水是否达到验收执行标准: 敏感点噪声是否达到验收执行标准:
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7、验收结论
序号 根据《建设项目竣工环境保护验收暂行办法》有关规定,请核实该项目是否存在下列情形:
1 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用
2 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求
3 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准
4 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复
5 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污
6 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要
7 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成
8 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理
9 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收
不存在上述情况
验收结论 合格
温馨提示
1.该项目指提供国家及各省发改委、环保局、规划局、住建委等部门进行的项目审批信息及进展,属于前期项目。
2.根据该项目的描述,可依据自身条件进行选择和跟进,避免错过。
3.即使该项目已建设完毕或暂缓建设,也可继续跟踪,项目可能还有其他相关后续工程与服务。
400-688-2000
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