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薄膜铌酸锂制备
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***********公司企业信息
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| 采购信息 | |
| 采购单位名称 | |
| 采购项目名称 | 薄膜铌酸锂制备 |
| 成交供应商 | **** |
| 成 交 价（元） | 33000 |
| 采购清单 | ||||||
| 序号 | 物资名称 | 规格型号 | 单价（元） | 数量 | 技术参数 | |
| 1 | 薄膜铌酸锂制备 | 33000 | 1 | 基于我方提供的 10 mm × 10 mm 薄膜铌酸锂微腔芯片版图，完成全流程微纳芯片定制加工与测试服务，具体包含： 1. 晶圆划片代切：对甲方自备的 6 英寸薄膜铌酸锂晶圆（Z-cut, 600nm LN / 2.0μm SiO2 / Si衬底）进行旋涂保护胶与精密划片，统一切割为 15 mm × 15 mm 规格散片，清洗分装； 2. 纳米光刻与两步刻蚀：选取样片进行电子束光刻（EBL）与干法刻蚀（ICP-RIE）。第一步完成主波导与微环浅刻蚀 320 nm（留 Slab 280 nm，侧壁角约 60°）；第二步完成模斑转换器深刻蚀 280 nm（终止于二氧化硅绝缘层）； 3. 二氧化硅包层与微环开窗：沉积二氧化硅上包层，并在微环核心区域进行光刻刻蚀开窗（掏空上包层恢复空气包层 Air Cladding，两端保留包层保护）； 4. 端面光学抛光：对芯片出光端面进行光学级机械 CMP 抛光至设计标尺线，确保端面平整无崩边，满足透镜光纤直接耦合出光； 5. 成果交付：交付制作完成的合格微腔芯片，并附带加工显微形貌测试数据，剩余已切散片清洗分装后随成品一并归还甲方。 | ||
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