多项目晶圆制造服务

C****0000技术测试和分析服务

本采购项目为多项目晶圆制造服务，用于支持未来申请国家重点研发计划“微纳电子技术”重点专项或“前沿卫星重点专项”，重点围绕用于射频直采的数模/模数转换器设计，高效率功率放大器芯片设计，以及用于支持数字相控阵间高速数据连接电路设计。高效率功率放大器芯片需采用55nm/65nm CMOS工艺以满足截止频率等关键核心电路对生产工艺的要求，因此研发团队拟采购55nm/65nm CMOS工艺多项目晶圆制造服务。 用于射频直采的数模/模数转换器和用于支持数字相控阵间高速数据连接电路需采用55nm/65nm /22nm/28nm CMOS工艺以满足截止频率、供电电压等关键核心电路对生产工艺的要求，因此研发团队拟采购55nm/65nm /22nm/28nm CMOS工艺多项目晶圆制造服务。 二、采购数量 计划采购TSMC 55nm/65nm CMOS工艺多项目晶圆制造服务，芯片面积为15mm2；计划采购TSMC/GF 22nm/28nm CMOS工艺多项目晶圆制造服务，总芯片面积为22mm2。供应商接受采购人将采购面积按多次班车流片，单次流片接受招标方以1mm2最小面积预定班车。根据项目需求，提供 bump（copper pillar）服务。 三、技术要求 （1） TSMC 55nm/65nm CMOS 工艺多项目晶圆制造服务 ★1. TSMC 55nm/65nm CMOS GP（1.0/2.5V），MPW流片； ★2. 工作频率不小于270GHz； ★3. 带Ultra厚铜金属层次（>3μm的厚度）及至少7层金属； ★4. 支持重布线层（RDL）； ★5. 标准1.0V/2.5V的工作电压，支持under drive 1.8V,over drive 3.3V； 6. 支持标准单元库和I/O库，支持memory compiler； ★7. 支持round/non-round bump(copper pillar)； 8. 全球领先的工艺、准确的器件模型和完备的参数及质量保证。 （2）TSMC/GF 22nm/28nm CMOS 工艺多项目晶圆制造服务 ★1. TSMC/GF 22nm/28nm（包含shrink的22nm）CMOS工艺，MPW流片； ★2. 工作频率超过350GHz； ★3. 包含标准工艺、HPC工艺，HPC+工艺和HPM工艺； ★4. 带Ultra 厚铜金属层次及至少7层金属； ★5. 支持重布线层（RDL）； ★6. 标准0.9V/1.8V/2.5V的工作电压； 7. 支持标准单元库和I/O库，支持memory compiler； ★8. 支持round/non-round bump（copper pillar）； 9. 全球领先的工艺、准确的器件模型和完备的参数及质量保证。