新建数通用CWDFB产品后道测试封装生产线项目及新建无源器件封装生产线项目拟批准公示

建设地点：****开发区双福路126号；

建设单位：****；

环评机构：****研究所有限公司；

项目概况：****拟利用现有A栋一层及B栋二、三层闲置区域，新增等离子清洗剂、焊线机、涂覆机等设备，建设数通用CW DFB产品后道测试封装生产线项目及无源器件封装生产线项目（以下简称“本项目”）。建成后，可新增6000万颗/年CW DFB芯片、4800万只/年COC、300万件/年光纤光栅、20万只/年无源器件。CW DFB芯片及COC生产工艺流程：晶圆芯片解离-测试-AOI检测（合格品为CW DFB芯片）-等离子清洗-共晶封装-打线-AOI-老化测试-包装入库；光纤光栅生产工艺流程：光纤-检验-光纤盘绕-光纤载氢-光纤存储-光纤裁剪-涂覆层剥除-光栅刻写-光栅涂覆-退火-复测-包装入库；无源器件生产工艺流程：无源光纤和结构件-检验-光纤裁剪-涂覆层剥除-超声清洗-光纤刻蚀-光纤熔接-光纤测试-结构件组装-检验测试-包装入库。本项目新增劳动定员10人，三班制，每班8小时，年运行7488小时。项目总投资84000万元，环保投资6万元，环保投资占比0.007%。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施如下：

1、大气污染防治措施

新增废气主要为超声清洗产生的乙醇（以非甲烷总烃计），光纤蚀刻产生的氟化物，光栅涂覆及结构件组装点胶固化产生的非甲烷总烃，危废仓库2产生的非甲烷总烃（不定量核算）。超声清洗产生的非甲烷总烃由设备管道抽风收集，依托现有“一级水喷淋+气水分离器+二级活性炭吸附装置”处理后，通过16.4米高排气筒DA001排放；光纤蚀刻产生的氟化物由设备管道抽风收集，依托改建后的“一级碱喷淋+一级水喷淋装置”处理后，通过15米高排气筒DA002排放。危废仓库2产生的非甲烷总烃依托现有整体抽风装置，经“二级活性炭吸附装置”处理后通过排气筒DA010排放。上述未收集的废气与光栅涂覆非甲烷总烃、结构件组装点胶固化非甲烷总烃呈无组织排放。DA001非甲烷总烃有组织排放、DA002氟化物有组织排放执行《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3限值，DA010非甲烷总烃有组织排放执行《大气污染物综合排放标准》（DB32/4041-2021）表1限值；厂区内非甲烷总烃无组织排放、厂界氟化物无组织排放分别执行DB32/4041-2021表2、表3限值，厂界非甲烷总烃无组织排放执行DB32/3747-2020表4限值。

2、废水污染防治措施

新增废水为“一级碱喷淋+一级水喷淋装置”产生的含氟废水、纯水制备浓水和生活污水。含氟废水依托现有含氟废水处理系统（5t/d，混凝沉淀）、末端处理装置（120t/d，三级化学处理+末端混凝沉淀）处理后与纯水制备浓水一并****处理厂；生活污水依托现有化粪池处理后****处理厂。生产废水总排口pH、COD、SS、氨氮、总氮、总磷、TOC、LAS执行******公司协议接管标准，氟化物执行《****处理厂污染物排放标准》（DB32/4440-2022）表4标准。生活污水总排口接管执行**市******公司的设计进水水质标准。

3、噪声防治措施

噪声源为超声波清洗机、等离子清洗机等，通过隔声、减振等措施，厂界噪声执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准。

4、固体废物防治措施

危险废物：废有机溶剂、废活性炭、剥除涂覆层、氢氟酸蚀刻废液、废无尘布、碱性废液、废化学品包装材料，委托有资质单位处置。一般工业固废：废膜、不合格品、废研磨纸/片、废纸板塑料收集后委外处理。生活垃圾环卫清运。

5、地下水、土壤污染防治措施

源头控制、分区防渗。本次不新增重点防渗区，防渗措施均依托现有。现有重点防渗区包括生产车间、危废仓库、甲类仓库、污水处理站等，等效黏土防渗层Mb≥6m，K≤1.0×10-7cm/s。一般防渗区有一般固废堆场、成品仓库等，等效黏土防渗层Mb≥1.5m，K≤1.0×10-7cm/s。

公示时间：2026年10月10日～2026年10月15日（5个工作日）

公众反馈意见联系方式：

联系电话：0513-****8926

联系地址：****审批局项目投****服务中心****服务大厅）

邮编：226300

听证告知：依据《中华人民**国行政许可法》，自公告起五日内申请人、利害关系人可对上述拟作出建设项目环境影响评价文件批复决定要求听证。