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| 功率器件工艺与封装平台设备 | |
| 项目所在采购意向: | ****2026年11至12月政府采购意向 |
| 采购单位: | **** |
| 采购项目名称: | 功率器件工艺与封装平台设备 |
| 预算金额: | 160.000000万元(人民币) |
| 采购品目: |
A****9900其他电气设备
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| 采购需求概况 : |
用于完善功率器件研发、工艺试制、检测与封装测试条件,支撑科研、教学和工程实践。设备应覆盖晶圆清洗、光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、退火、研磨抛光及工艺量测等环节,并具备芯片装联、键合、焊接、切割、外观及电性能检测等封装测试能力,形成较完整的功率器件工艺与封装支撑平台。 其中核心设备指标如下: 1. 磁控溅射台(VARIAN M2iSPUTTER):应支持 6/8 英寸晶圆自动盒对盒传送;各溅射源应配置不低于 12 kW 的直流电源,具体以设备实际配置及随附部件为准。 2. 外延炉(金属有机物化学气相沉积,CRIUS_31*2):应为 GaN MOCVD 外延系统,配置 31×2 英寸多片式反应器;应具备外延薄膜生长能力,薄膜生长速率、均匀性和掺杂能力以设备现有配置及验收结果为准。 交货期为合同签订后2个月内。
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| 预计采购时间: | 2026-11 |
| 备注: | |
本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。标书代写