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基于FPGA的持久内存控制器和DIMM模组设计采购意向公告
招标详情
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项目所在地：**省
为便于供应商了解采购信息，根据《物资服务集中采购需求管理暂行办法》等有关规定，现将基于FPGA的持久内存控制器和DIMM模组设计的采购意向公开如下：
| 1 | 基于FPGA的持久内存控制器和DIMM模组设计 |
采购内容：FPGA平台的MRAM定制化DIMM存储模组设计、MRAM芯片颗粒交互的高速PHY与MRAM存储控制器的开发，控制器和PHY设计的RTL仿真测试用例。
采购数量：1套
主要功能或目标：1.MRAM DIMM存储模组 2.MRAM芯片高速接口PHY设计 3.MRAM存储控制器设计 4.控制器和PHY设计的RTL仿真测试用例
需满足的要求：需求单位向外协单位提供以下两项硬件： 1）英特尔Agilex7 I系列FPGA开发板平台，FPGA具体型号为DK-DEV-AGI027-RAAGIB027R29A1E1VB，该型号FPGA可****公司开发的CXL1.1的IP用于对接兼容CXL协议的主机服务器。 2) Everspin公司的MRAM芯片颗粒EMD4E001G16G2-150CAS2。 外协单位根据需求单位提供的FPGA平台的DDR4 DIMM插槽类型以及MRAM芯片接口规格，设计符合该平台的MRAM DIMM存储模组，并在目标FPGA平台开发CXL持久内存控制器以及与MRAM芯片颗粒交互的高速PHY,用于控制MRAM DIMM存储模组，并和FPGA上的CXL IP完成内存读写事务数据流的对接，完成将FPGA配置为CXL Type3类型设备（CXL扩展内存），通过CXL1.1协议对接英特尔第四代以上Xeon处理器的服务器，服务器端操作系统能够将该CXL扩展内存设备识别为无CPU的NUMA节点（详见附件一）。
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1.提供装焊组装好的MRAM DIMM存储模组实物5个 2.提供MRAM DIMM存储模组的PCB设计原理图和Gerber 3.MRAM DIMM存储模组容量不低于1GB 4.FPGA持久内存设备读写带宽不低于3GB/s，读延迟不高于600ns 5.提供MRAM芯片高速接口PHY设计，提供RTL代码或者加密形态 6.提供MRAM存储控制器，提供RTL代码 7.用于验证控制器和PHY设计功能正确性的RTL仿真测试案例不少于1个 8.提供集成了英特尔第四代以上Xeon处理器的服务器端驱动，用于应用程序访问MRAM持久内存设备 9.服务器端操作系统能够将该CXL扩展内存设备识别为无CPU的NUMA节点，并通过NUMACTL进行内存绑定，完成STREAM、LMbench两个基准测试程序正常运行 10.提供详细设计和使用手册1份 | 2,050,000.00 | 2026年11月 | 无 |
注：1.本次意向公开的采购意向仅作为供应商了解初步采购安排的参考，采购项目具体情况以最终发布的采购公告和采购文件为准；标书代写
2.供应商可以通过采购平台反馈参与意向和意见建议。
联系人：吴老师
联系方式：132****5070
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