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| 项目名称 | DSOI晶圆采购 | 项目编号 | **** |
| 公告发布日期 | 2026/10/19 09:27 | 公告截止日期 | 2026/10/22 09:27 |
| 采购单位 | **** | 付款条款 | 全额付款:乙方按照合同的约定将货物交付给甲方并完成检验等服务以确保甲**常使用并按照本合同的约定验收合格,乙方按照甲方的要求开具相应金额的发票,甲方在收到发票后一次性向乙方支付合同价款。乙方未按期开具或者所开具的发票不符合约定的,甲方有权延期付款,不构成违约。 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
| 采购预算 | ¥230,000.00 | ||
| 送货/施工/服务期限 | 自合同生效起四周 | ||
| 送货/施工/服务地址 | ******学院路3号 | ||
| 履约保证金 | 无 | ||
| 项目概况 | DSOI 晶圆含两层厚度独立可控的单晶硅器件层与两层埋氧层。上层器件层厚度均匀、晶格完整,可作为水听器敏感悬臂梁的成型层,保证厚度一致性并降低残余应力导致的问题;下层器件层与底层 BOX 可作为背面刻蚀的天然停止层,支撑双层敏感结构与上下表面分步加工,这是普通体硅片无法提供的。本次拟采用晶圆参数为:顶层器件层1:P型,晶向100,厚度2um,电阻率0.01-0.02ohm-cm,抛光。氧化层1:厚度1um。器件层2:P型,晶向100,厚度19um,电阻率0.01-0.02ohm-cm。埋氧层2:厚度1um。衬底层:P型,晶向100,厚度400um,电阻率0.01-0.02ohm-cm,抛光。 | ||
| 采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务及其他要求 | |
| DSOI晶圆 | 否 | 片 | 25 | 1. 质量保证 卖方保证所供 DSOI 晶圆为原厂正品,各项技术参数(器件层厚度、埋氧层厚度、电阻率、掺杂类型、翘曲度、颗粒度等)符合双方确认的技术规格书要求。 2. 验收与质保期 晶圆到货后,买方在30个工作日内按技术规格书进行外观及参数验收;自验收合格之日起质保期12个月。质保期内(未进入加工工序的库存晶圆),如发现参数超标、表面缺陷等非买方使用造成的质量问题,买方有权提出换货或退货。 3. 售后与责任 质保期内出现质量问题的晶圆,卖方应在收到通知后30个工作日内免费更换同规格产品,由此产生的运费及税费由卖方承担;因运输造成的破损、污染,由卖方或承运方负责;买方加工使用过程中出现的异常,卖方应提供必要的技术支持与原因分析。 | |
| 参考品牌及型号 | 不限定品牌型号 | ||||
| 技术参数要求 | 顶层器件层1: P型,晶向100,厚度2um,电阻率0.01-0.02ohm-cm,抛光。 氧化层1:厚度1um 器件层2: P型,晶向100,厚度19um,电阻率0.01-0.02ohm-cm。 埋氧层2:厚度1um 衬底层: P型,晶向100,厚度400um,电阻率0.01-0.02ohm-cm,抛光。 | ||||