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高品质铌酸锂微纳器件加工服务竞价公告
招标详情
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***********公司企业信息
| 项目名称 | 高品质铌酸锂微纳器件加工服务 | 项目编号 | **** |
| 公告发布日期 | 2026/10/20 08:50 | 公告截止日期 | 2026/10/23 08:50 |
| 采购单位 | **** | 付款条款 | 分期付款：本合同生效后的 15 日内，甲方向乙方支付合同金额的40%；货物交付给甲方并完**装、调试、培训等服务以确保甲**常使用后，甲方按照内部规章制度的要求验收合格后，乙方按照甲方的要求开具相应金额的发票，甲方在收到发票后向乙方支付剩余合同金额。乙方未按期开具或者所开具的发票不符合约定的，甲方有权延期付款，不构成违约。 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
| 采购预算 | ￥264,000.00 | ||
| 送货/施工/服务期限 | 合同签订后40天内 | ||
| 送货/施工/服务地址 | ******学院路三号**** | ||
| 履约保证金 | 合同金额的5%作为保证金 | ||
| 项目概况 | 本项目面向高精度传感与集成光子学需求，开展薄膜铌酸锂折叠型电光调制器及高Q值光学微腔的研制与加工。铌酸锂具有优异的电光、非线性及宽透明窗口特性，是实现高性能片上传感与信号调控的关键材料。项目拟通过折叠波导结构减小调制器尺寸、降低驱动电压并提升调制效率；通过高Q微腔增强光与物质相互作用，提升传感灵敏度、分辨率和探测极限，服务于生化检测、电场/磁场传感、惯性传感及微弱信号探测等应用。研究内容包括器件版图设计、电子束光刻、ICP-RIE刻蚀、PECVD沉积、金属电极、退火、划切抛光与端面耦合等关键工艺。器件对侧壁粗糙度、刻蚀深度、薄膜损耗及工艺一致性要求极高，加工质量直接决定Q值、插损和传感性能。因此需采购专业微纳加工外协服务，完成高精度加工与工艺迭代，保障项目指标与进度。 | ||
采购清单
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| 采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务及其他要求 | |
| 薄膜铌酸锂调制器流片加工服务 | 否 | 片 | 10 | 1. 验收后 ≥ 12 个月技术答疑；校方版图/数据不得用于其他客户。 2.供应商具备合法有效的营业执照，经营范围涵盖相关微纳加工工艺。 | |
| 参考品牌及型号 | 不限定品牌型号 | ||||
| 技术参数要求 | 1. 1）LN 薄膜厚度 300/600 nm ，刻蚀深度误差 ≤ ±15 nm ，侧壁倾角 ≥ 70°（优值 ≥ 80°) ; 2. 2）单模波导损耗 ≤ 0.6 dB/cm ，优值 ≤ 0.3 dB/cm； 3. 3）端面耦合器单端插损 ≤ 1.5 dB/facet ，1 dB 带宽 ≥ 100 nm； 4. 4）热调电极 π 相移功耗 ≤ 50 mW ，时间常数 ≤ 20 μs ，相邻通道热串扰 ≤ - 15 dB； 5. 5）MZM 调制器交互长度 ≥ 10 cm ，分段电极有效电场放大倍数 > 20； 6. 6）电光 3 dB 带宽 ≥ 40 GHz ，Vπ﹒L ≤ 3 V﹒cm ，消光比 ≥ 25 dB； 7. 7）行波电极特征阻抗 50 ± 5 Ω , S11 ≤ - 10 dB @ DC–40 GHz ，S21 ≤ 3 dB @ 40 GHz； 8. 8）微腔 FSR < 20 GHz ，本征 Q ≥ 1×10（目标 2×10) ; 9. 9）芯片尺寸 < 10 mm × 7 mm； 10. 10）EBL 最小线宽 ≤ 100 nm ，最小曝光间隙 ≤ 80 nm；i-line 最小线宽 ≤ 350 nm； 11. 11）交付工艺报告、SEM 、测试谱线及 ≥ 10 颗合格芯片； 12. 12）验收后 12 个月工艺技术支持，非校方设计错误导致的不达标提供一次免费复加工或按比例退款。 | ||||
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2026-10-20
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