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多晶硅化学气相沉积设备研发及产业化& 氧化镧原子层沉积设备研发及产业化& 氧化铌空间原子层沉积设备项目

审批

江苏-无锡-新吴区

发布时间： 2026年10月20日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0213MA1MDBFY36	王磊
朱经理	省市**区
省市区长路27号

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

多晶硅化学气相沉积设备研发及产业化氧化镧原子层沉积设备研发及产业化氧化铌空间原子层沉积设备项目

2021版本:098-专业实验室、****基地	C3562-C3562-半导体器件专用设备制造
	省市区长路27号
经度:120.397260 纬度: 31.501930	**市数据局
	2025-12-22
锡数环许(2025)7213号	****
2026-03-24	28620
450	****
****0213MA1MDBFY36	****
****0213MA1MDBFY36	******公司
****0214MAD6EBJR4Y	2026-04-05

2026-09-19	2026-10-19
	网站链接：https://bj**7716..com/nd.jsp?id=121 报告链接【文档\| WPS云文档】微导验收扫描全套 https://www.****.cn/l/chHz03XzKM0T

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

改扩建	改扩建
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规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

新增年测试1000片晶圆片的研发能力和年产10台多晶硅化学气相沉积设备的生产能力；新增年测试1000片晶圆片的研发能力和年产10台氧化镧原子层沉积设备的生产能力；新增年测试1000片晶圆片的研发能力和年产10台氧化铌空间原子层沉积设备的生产能力	新增年测试1000片晶圆片的研发能力和年产10台多晶硅化学气相沉积设备的生产能力；新增年测试1000片晶圆片的研发能力和年产10台氧化镧原子层沉积设备的生产能力；新增年测试1000片晶圆片的研发能力和年产10台氧化铌空间原子层沉积设备的生产能力
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生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

2.5主要工艺流程及产污环节：项目一：多晶硅化学气相沉积设备研发及产业化图2-2 工艺流程图工艺流程简述：（1）设计开发：**研发部进行设备电脑模拟、设计开发，设计出相应的多晶硅化学气相沉积设备工艺参数及零部件结构效果图。（2）前处理：将晶圆片放入等离子体前处理设备进行前处理，将工艺气体（氩气、氧气和氢气）电离成低温等离子体，利用其中的离子、自由基等活性组分对晶圆表面进行无液、无损伤清洗，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。（3）SiO2干法刻蚀、Si镀膜：前处理后的晶圆片通过自动传输平台送入干法刻蚀设备（preclean设备）、化学气相沉积设备，通入气体后对模拟设计的工艺参数进行验证。工艺研发过程包括SiO2干法刻蚀、Si镀膜。具体步骤如下：把晶圆片放置于密闭反应腔内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入氨气、三氟化氮，晶圆片表面暴露于气态中产生等离子体，等离子体与晶圆片发生物理或化学反应，从而去掉表面材料。然后通过Si镀膜技术，通入甲硅烷气体，在刻蚀完的晶圆片表面生成硅薄膜，具体步骤如下： SiO2刻蚀：采用氨气、三氟化氮气体与待刻蚀SiO2发生反应，从而将SiO2刻蚀掉。干法刻蚀过程中，气体采用射频电源产生等离子体，同时提供部分热量，控制在80℃左右，主要方程式如下： 4NH3+NF3→3NH4F+N2 SiO2+6NH4F→（NH4）2SiF6+2H2O+ 4NH3 （NH4）2SiF6→ SiF4+ 2NH3+ 2HF Si镀膜：将干法刻蚀处理后的晶圆片送入相应化学气相沉积设备内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入甲硅烷，反应生成Si ，在刻蚀完的晶圆片表面生成硅薄膜，反应方程式如下： SiH4→ Si+2H2 该工序在化学气相沉积设备内自动运行，气体采用电阻加热，控制温度约为500℃。反应结束后干法刻蚀设备和化学气相沉积设备均采用氧气、氮气、氩气等作为清洗气体，对腔室进行吹扫，去除残留物，废气通过真空泵排出。设备运行时使用冷水机组进行冷却。此工序产生的污染物主要为 NH3 、含氟废气（NF3 、NH4F 、（NH4）2SiF6 、HF）、Si（颗粒物），研发废气经尾气处理器（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）+ 依托现有碱液喷淋洗涤吸收塔处理后通过 30m 高排气筒 FQ-01 排放，NH3 、NF3 、NH4F 、（NH4）2SiF6 、Si 在焚烧燃烧器内二次反应，生成 SiH4 、NH3 、氟化物、NO2（氮氧化物）、SiO2（颗粒物）等研发废气 G1 ，经计算，99%的 SiH4 反应生成 SiO2 ，则镀膜产生的废气共计 SiH4 0.0004t/a ，由于甲硅烷产生量较少，本项目不定量分析。SiO2 干法刻蚀、Si 镀膜过程中均使用氮气作为保护气体，会随着工艺废气一起经过（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）处理，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，参照学术期刊《烧结过程热力型 NOx 生成机理分析》温度和停留时间是热力型 NO 、浓度的主要影响因素。热力型 NOx 浓度在1600K（1326.85℃) 以上才明显升高，且随温度升高而迅速升高，同时随停留时间而升高。由于焚烧装置温度控制在800℃左右，热力型氮氧化物产生量极小，本评价不定量分析。研发过程中生成NH3 、氟化物、NO2（氮氧化物）、SiO2（颗粒物）等研发废气G1 ，还会产生镀膜残留的固废即废Si颗粒物S1和噪声N。（4）检测镀膜后人工采用检测设备（SP7缺陷检测仪、SEM扫描电镜、拉曼光谱测试仪、高温Stress的仪器、X射线光电子能谱仪等仪器）对晶圆片性能参数、硬度、重量等方面进行测试，以此验证工艺参数的可行性，通过不断地调整工艺参数，直至达到设计要求，并根据调整后的工艺参数调整设计开发的设备零部件结构效果图。此过程会产生废晶圆片S2。 ②多晶硅设备制造工艺图2-3 工艺流程图工艺流程简述：（1）机械加工、表面处理（外协）：根据设计好的图纸，外协进行机加工成型和表面处理。（2）擦拭：委外机加工的设备表面会沾染油污，需人工用抹布沾乙醇进行擦拭，本项目乙醇（99.5%）使用量1kg/a，擦拭过程中乙醇部分挥发，部分残留于抹布中，因用量较少，本项目不进行定量分析。此工序会产生废抹布手套等防护用品S3。（3）装配：将加工好的零部件和标准电器部件根据设计图纸进行装配成型，装配过程中部分零件利用现有车床和铣床设备进行稍微修整，不使用乳化液。此工序产生少量废零部件及金属屑S4产生。（4）设备调试：对组装成型的产品进行外观检验，合格产品进行设备调试，调试只针对设备是否正常运转，不合格的产品重新返回进行装配，功能性调试阶段，乙二醇加入设备的密闭冷却系统中，给设备冷却，乙二醇循环使用，定期更换，此工序产生废乙二醇S5产生。（5）工艺调试：对设备调试合格的产品进一步进行工艺调试，验证设备参数是否满足要求。将外购晶圆片通过等离子体前处理设备进行前处理，等离子前处理是利用等离子体内的各种具有高能量的物质和活化作用，将附着在物体表面的污垢彻底剥离去除，采用氩气、氧气和氢气作为保护气体，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。处理后的晶圆片通过自动传输平台送入设备调试后的多晶硅化学气相沉积设备内，通入氨气、三氟化氮、硅烷等对设备进行调试，工艺调试分为SiO2干法刻蚀、Si镀膜，人工采用检测设备加工后的晶圆片性能进行测试，以此验证工艺参数的准确性，对工艺参数不符合要求的设备进行细微调整，直至达到符合客户要求，多晶硅化学气相沉积设备运行时使用冷水机组进行间接冷却，有设备噪声运行产生。工艺调试步骤与工艺研发中步骤相同。此工序产生的污染物主要为NH3、含氟废气（NF3、NH4F、（NH4）2SiF6、HF）、SiH4、Si（颗粒物）等，NH3、NF3、NH4F、（NH4）2SiF6、Si在焚烧燃烧器内二次反应，生成NH3、氟化物、NO2（氮氧化物）、SiO2（颗粒物）等研发废气G2，工艺调试中还会产生镀膜残留的固废即废颗粒物S1、废晶圆片S2和噪声N。（6）包装：调试完成的产品进行包装，包装过程会产生废包装材料S6，包装完成入库待发货。项目二：氧化镧原子层沉积设备研发及产业化图2-4 工艺流程图工艺流程简述：（1）设计开发：**研发部进行设备电脑模拟、设计开发，设计出相应的氧化镧原子层沉积设备工艺参数及零部件结构效果图。（2）前处理：将晶圆片放入等离子体前处理设备进行前处理，将工艺气体（氩气、氧气和氢气）电离成低温等离子体，利用其中的离子、自由基等活性组分对晶圆表面进行无液、无损伤清洗，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。（3）La2O3镀膜：前处理后的晶圆片通过自动传输平台送入原子层沉积设备，通入气体后对模拟设计的工艺参数进行验证。工艺研发过程包括La2O3镀膜。具体步骤如下：将前处理后的晶圆片送入相应ALD原子层沉积设备内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入La(C1H5F3O2S)3 、臭氧，气体采用电阻加热，控制温度约为150-350℃ , 反应生成La2O3，在晶圆片表面生成La2O3薄膜，其中臭氧由臭氧发生器制备，臭氧发生器采用高压放电法，通入纯氧在5-20kV高压电场中产生电晕放电氧气分子被高能电子撞击分解为氧原子，氧原子与氧气分子结合生成臭氧，为了防止工艺反应过程中臭氧爆炸，通入镀膜反应腔体的为15%臭氧、 85%氧气混合气。 La2O3镀膜反应方程式如下： 2La(C1H5F3O2S)3+43O3_>La2O3+60CO2+6H2O+6SO2+18HF 反应结束后原子层沉积设备采用氧气、氮气、氩气等作为清洗气体，对腔室进行吹扫，去除残留物，废气通过真空泵排出。镀膜过程中均使用氮气作为保护气体，会随着工艺废气一起经过（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）处理，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，参照学术期刊《烧结过程热力型 NOx 生成机理分析》温度和停留时间是热力型 NO 、浓度的主要影响因素，如图 1 所示。热力型 NOx 浓度在 1600K （1326.85℃) 以上才明显升高，且随温度升高而迅速升高，同时随停留时间而升高。由于焚烧装置温度控制在 800℃左右，热力型氮氧化物产生量极小，本评价不定量分析。此工序产生的污染物主要为含氟废气（La(C1H5F3O2S)3、HF）、La2O3（颗粒物）、SO2等研发废气G1 ，研发废气经尾气处理器（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）+ 依托现有碱液喷淋洗涤吸收塔处理后通过30m高排气筒FQ-01排放， La(C1H5F3O2S)3在焚烧燃烧器内二次反应，生成La2O3 、SO2 、HF ，研发过程中还会产生镀膜残留的固废即废La2O3颗粒物S1和噪声N。（4）检测镀膜后人工采用检测设备（SP7缺陷检测仪、SEM扫描电镜、拉曼光谱测试仪、高温Stress的仪器、X射线光电子能谱仪等仪器）对晶圆片性能参数、硬度、重量等方面进行测试，以此验证工艺参数的可行性，通过不断地调整工艺参数，直至达到设计要求，并根据调整后的工艺参数调整设计开发的设备零部件结构效果图。此过程会产生废晶圆片S2。 ②氧化镧设备制造工艺图2-5 工艺流程图工艺流程简述：（1）机械加工、表面处理（外协）：根据设计好的图纸，外协进行机加工成型和表面处理。（2）擦拭：委外机加工的设备表面会沾染油污，需人工用抹布沾乙醇进行擦拭。本项目乙醇（99.5%）使用量1kg/a ，擦拭过程中乙醇部分挥发，部分残留于抹布中，因用量较少，本项目不进行定量分析。此工序会产生废抹布手套等防护用品S3。装配：将加工好的零部件和标准电器部件根据设计图纸进行装配成型，装配过程中部分零件利用现有车床和铣床设备进行稍微修整，不使用乳化液。此工序产生少量废零部件及金属屑S4 产生。（3）设备调试：对组装成型的产品进行外观检验，合格产品进行设备调试，调试只针对设备是否正常运转，不合格的产品重新返回进行装配，功能性调试阶段，乙二醇加入设备的密闭冷却系统中，给设备冷却，乙二醇循环使用，定期更换，此工序产生废乙二醇S5产生。（4）工艺调试：对设备调试合格的产品进一步进行工艺调试，验证设备参数是否满足要求。将外购晶圆片通过等离子体前处理设备进行前处理，等离子前处理是利用等离子体内的各种具有高能量的物质和活化作用，将附着在物体表面的污垢彻底剥离去除，采用氩气、氧气和氢气作为保护气体，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。处理后的晶圆片通过自动传输平台送入设备调试后的氧化镧原子层沉积设备内，通入La(C1H5F3O2S)3、臭氧等对设备进行调试，工艺调试包括La2O3镀膜，人工采用检测设备加工后的晶圆片性能进行测试，以此验证工艺参数的准确性，对工艺参数不符合要求的设备进行细微调整，直至达到符合客户要求，氧化镧原子层沉积设备运行时使用冷水机组进行间接冷却，有设备噪声运行产生。工艺调试步骤与工艺研发中步骤相同。此工序产生的污染物主要为为含氟废气（La(C1H5F3O2S)3、HF）、La2O3（颗粒物）、SO2等研发废气G3，La(C1H5F3O2S)3在焚烧燃烧器内二次反应，生成La2O3、SO2、HF，工艺调试中还会产生废晶圆片S1、镀膜残留的固废即废La2O3颗粒物S2和噪声N。（5）包装：调试完成的产品进行包装，包装过程会产生废包装材料S6，包装完成入库待发货。项目三：氧化铌空间原子层沉积设备项目图2-6工艺流程图工艺流程简述：（1）设计开发：**研发部进行设备电脑模拟、设计开发，设计出相应的氧化铌空间原子沉积设备工艺参数及零部件结构效果图。（2）前处理：将晶圆片放入等离子体前处理设备进行前处理，将工艺气体（氩气、氧气和氢气）电离成低温等离子体，利用其中的离子、自由基等活性组分对晶圆表面进行无液、无损伤清洗，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。（3）Nb2O5镀膜：前处理后的晶圆片通过自动传输平台送入原子层沉积设备，通入气体后对模拟设计的工艺参数进行验证。工艺研发Nb2O5镀膜。具体步骤如下：将前处理后的晶圆片送入相应ALD原子层沉积设备内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入TBTDEN（化学式Nb(NCH9)(NCH1)3）、臭氧，反应生成Nb2O5 ，气体采用电阻加热，控制温度约为200-350℃ , 在晶圆片表面生成Nb2O5薄膜，然后使用快速退火设备调整Nb2O5薄膜的晶格结构，提高其光学性能。退火过程能使非晶态薄膜转变为晶态，或优化已有晶体的取向和尺寸。其中臭氧由臭氧发生器制备，臭氧发生器采用高压放电法，通入纯氧在5-20kV高压电场中产生电晕放电氧气分子被高能电子撞击分解为氧原子，氧原子与氧气分子结合生成臭氧，为了防止工艺反应过程中臭氧爆炸，通入镀膜反应腔体的为15%臭氧、85%氧气混合气。 Nb2O5镀膜反应方程式如下： 6 Nb(NCH9)(NCH1)3 + 124 O3 → 3 Nb2O5 + 96 CO2 + 117 H2O + 24 NO2 反应结束后原子层沉积设备采用氧气、氮气、氩气等作为清洗气体，对腔室进行吹扫，去除残留物，废气通过真空泵排出。镀膜过程中均使用氮气作为保护气体，会随着工艺废气一起经过（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）处理，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，参照学术期刊《烧结过程热力型 NOx生成机理分析》温度和停留时间是热力型NO、浓度的主要影响因素。热力型NOx浓度在1600K（1326.85℃)以上才明显升高，且随温度升高而迅速升高，同时随停留时间而升高。由于焚烧装置温度控制在800℃左右，热力型氮氧化物产生量极小，本评价不定量分析。镀膜后晶圆送入快速退火设备，采用电阻丝加热，通过快速升温和降温，从而对晶圆浅表层进行处理，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却，当温度升高到在400°C时，晶圆薄膜内原子获得了足够的能量，开始打破非晶态的无序结构，原子开始进行扩散和迁移，在薄膜中形成微小的晶核，经过短暂的保温（几秒到几十秒）后，薄膜从非晶态转变为多晶态。薄膜由大量微小的、取向不同的晶粒组成，随后，晶圆被快速冷却，结晶后的Nb2O5薄膜具有更致密、更稳定的原子结构，退火工序为原子重排的物理变化，无废气产生。设备运行时使用冷水机组进行冷却此工序产生的污染物主要为Nb2O5（颗粒物）、氮氧化物等研发废气G1，研发废气经尾气处理器（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）+依托现有碱液喷淋洗涤吸收塔处理后通过30m高排气筒FQ-01排放，Nb(NCH)(NCH)在焚烧燃烧器内二次反应，生成Nb2O5、氮氧化物，研发过程中还会产生镀膜残留的固废即废Nb2O5颗粒物S1和噪声N。（4）检测退火后人工采用检测设备（SP7缺陷检测仪、SEM扫描电镜、拉曼光谱测试仪、高温Stress的仪器、X射线光电子能谱仪等仪器）对晶圆片性能参数、硬度、重量等方面进行测试，以此验证工艺参数的可行性，通过不断的调整工艺参数，直至达到设计要求，并根据调整后的工艺参数调整设计开发的设备零部件结构效果图。过程会产生废晶圆片S2。 ②氧化铌空间原子沉积设备制造工艺图2-7工艺流程图工艺流程简述：（1）机械加工、表面处理（外协）：根据设计好的图纸，外协进行机加工成型和表面处理。（2）擦拭：委外机加工的设备表面会沾染油污，需人工用抹布沾乙醇进行擦拭，本项目乙醇（99.5%）使用量1kg/a，擦拭过程中乙醇部分挥发，部分残留于抹布中，因用量较少，本项目不进行定量分析。此工序会产生废抹布手套等防护用品S3。（3）装配：将加工好的零部件和标准电器部件根据设计图纸进行装配成型，装配过程中部分零件利用现有车床和铣床设备进行稍微修整，不使用乳化液。此工序产生少量废零部件及金属屑S4产生。（4）设备调试：对组装成型的产品进行外观检验，合格产品进行设备调试，调试只针对设备是否正常运转，不合格的产品重新返回进行装配，功能性调试阶段，乙二醇加入设备的密闭冷却系统中，给设备冷却，乙二醇循环使用，定期更换，此工序产生废乙二醇S5产生。（5）工艺调试：对设备调试合格的产品进一步进行工艺调试，验证设备参数是否满足要求。将外购晶圆片通过等离子体前处理设备进行前处理，等离子前处理是利用等离子体内的各种具有高能量的物质和活化作用，将附着在物体表面的污垢彻底剥离去除，采用氩气、氧气和氢气作为保护气体，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。处理后的晶圆片通过自动传输平台送入设备调试后的氧化铌原子层沉积设备内，通入TBTDEN、臭氧等对设备进行调试，工艺调试包括Nb2O5镀膜，人工采用检测设备加工后的晶圆片性能进行测试，以此验证工艺参数的准确性，对工艺参数不符合要求的设备进行细微调整，直至达到符合客户要求，氧化铌原子层沉积设备运行时使用冷水机组进行间接冷却，有设备噪声运行产生。工艺调试步骤与工艺研发中步骤相同。此工序产生的污染物主要为Nb2O5（颗粒物）、氮氧化物等研发废气G3，未反应完全的TBTDEN在焚烧燃烧器内二次反应，生成Nb2O5、氮氧化物，工艺调试中还会产生废晶圆片S1、镀膜残留的固废即废Nb2O5颗粒物S2和噪声N。（6）包装：调试完成的产品进行包装，包装过程会产生废包装材料S6，包装完成入库待发货。	2.5主要工艺流程及产污环节：项目一：多晶硅化学气相沉积设备研发及产业化图2-2 工艺流程图工艺流程简述：（1）设计开发：**研发部进行设备电脑模拟、设计开发，设计出相应的多晶硅化学气相沉积设备工艺参数及零部件结构效果图。（2）前处理：将晶圆片放入等离子体前处理设备进行前处理，将工艺气体（氩气、氧气和氢气）电离成低温等离子体，利用其中的离子、自由基等活性组分对晶圆表面进行无液、无损伤清洗，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。（3）SiO2干法刻蚀、Si镀膜：前处理后的晶圆片通过自动传输平台送入干法刻蚀设备（preclean设备）、化学气相沉积设备，通入气体后对模拟设计的工艺参数进行验证。工艺研发过程包括SiO2干法刻蚀、Si镀膜。具体步骤如下：把晶圆片放置于密闭反应腔内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入氨气、三氟化氮，晶圆片表面暴露于气态中产生等离子体，等离子体与晶圆片发生物理或化学反应，从而去掉表面材料。然后通过Si镀膜技术，通入甲硅烷气体，在刻蚀完的晶圆片表面生成硅薄膜，具体步骤如下： SiO2刻蚀：采用氨气、三氟化氮气体与待刻蚀SiO2发生反应，从而将SiO2刻蚀掉。干法刻蚀过程中，气体采用射频电源产生等离子体，同时提供部分热量，控制在80℃左右，主要方程式如下： 4NH3+NF3→3NH4F+N2 SiO2+6NH4F→（NH4）2SiF6+2H2O+ 4NH3 （NH4）2SiF6→ SiF4+ 2NH3+ 2HF Si镀膜：将干法刻蚀处理后的晶圆片送入相应化学气相沉积设备内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入甲硅烷，反应生成Si ，在刻蚀完的晶圆片表面生成硅薄膜，反应方程式如下： SiH4→ Si+2H2 该工序在化学气相沉积设备内自动运行，气体采用电阻加热，控制温度约为500℃。反应结束后干法刻蚀设备和化学气相沉积设备均采用氧气、氮气、氩气等作为清洗气体，对腔室进行吹扫，去除残留物，废气通过真空泵排出。设备运行时使用冷水机组进行冷却。此工序产生的污染物主要为 NH3 、含氟废气（NF3 、NH4F 、（NH4）2SiF6 、HF）、Si（颗粒物），研发废气经尾气处理器（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）+ 依托现有碱液喷淋洗涤吸收塔处理后通过 30m 高排气筒 FQ-01 排放，NH3 、NF3 、NH4F 、（NH4）2SiF6 、Si 在焚烧燃烧器内二次反应，生成 SiH4 、NH3 、氟化物、NO2（氮氧化物）、SiO2（颗粒物）等研发废气 G1 ，经计算，99%的 SiH4 反应生成 SiO2 ，则镀膜产生的废气共计 SiH4 0.0004t/a ，由于甲硅烷产生量较少，本项目不定量分析。SiO2 干法刻蚀、Si 镀膜过程中均使用氮气作为保护气体，会随着工艺废气一起经过（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）处理，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，参照学术期刊《烧结过程热力型 NOx 生成机理分析》温度和停留时间是热力型 NO 、浓度的主要影响因素。热力型 NOx 浓度在1600K（1326.85℃) 以上才明显升高，且随温度升高而迅速升高，同时随停留时间而升高。由于焚烧装置温度控制在800℃左右，热力型氮氧化物产生量极小，本评价不定量分析。研发过程中生成NH3 、氟化物、NO2（氮氧化物）、SiO2（颗粒物）等研发废气G1 ，还会产生镀膜残留的固废即废Si颗粒物S1和噪声N。（4）检测镀膜后人工采用检测设备（SP7缺陷检测仪、SEM扫描电镜、拉曼光谱测试仪、高温Stress的仪器、X射线光电子能谱仪等仪器）对晶圆片性能参数、硬度、重量等方面进行测试，以此验证工艺参数的可行性，通过不断地调整工艺参数，直至达到设计要求，并根据调整后的工艺参数调整设计开发的设备零部件结构效果图。此过程会产生废晶圆片S2。 ②多晶硅设备制造工艺图2-3 工艺流程图工艺流程简述：（1）机械加工、表面处理（外协）：根据设计好的图纸，外协进行机加工成型和表面处理。（2）擦拭：委外机加工的设备表面会沾染油污，需人工用抹布沾乙醇进行擦拭，本项目乙醇（99.5%）使用量1kg/a，擦拭过程中乙醇部分挥发，部分残留于抹布中，因用量较少，本项目不进行定量分析。此工序会产生废抹布手套等防护用品S3。（3）装配：将加工好的零部件和标准电器部件根据设计图纸进行装配成型，装配过程中部分零件利用现有车床和铣床设备进行稍微修整，不使用乳化液。此工序产生少量废零部件及金属屑S4产生。（4）设备调试：对组装成型的产品进行外观检验，合格产品进行设备调试，调试只针对设备是否正常运转，不合格的产品重新返回进行装配，功能性调试阶段，乙二醇加入设备的密闭冷却系统中，给设备冷却，乙二醇循环使用，定期更换，此工序产生废乙二醇S5产生。（5）工艺调试：对设备调试合格的产品进一步进行工艺调试，验证设备参数是否满足要求。将外购晶圆片通过等离子体前处理设备进行前处理，等离子前处理是利用等离子体内的各种具有高能量的物质和活化作用，将附着在物体表面的污垢彻底剥离去除，采用氩气、氧气和氢气作为保护气体，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。处理后的晶圆片通过自动传输平台送入设备调试后的多晶硅化学气相沉积设备内，通入氨气、三氟化氮、硅烷等对设备进行调试，工艺调试分为SiO2干法刻蚀、Si镀膜，人工采用检测设备加工后的晶圆片性能进行测试，以此验证工艺参数的准确性，对工艺参数不符合要求的设备进行细微调整，直至达到符合客户要求，多晶硅化学气相沉积设备运行时使用冷水机组进行间接冷却，有设备噪声运行产生。工艺调试步骤与工艺研发中步骤相同。此工序产生的污染物主要为NH3、含氟废气（NF3、NH4F、（NH4）2SiF6、HF）、SiH4、Si（颗粒物）等，NH3、NF3、NH4F、（NH4）2SiF6、Si在焚烧燃烧器内二次反应，生成NH3、氟化物、NO2（氮氧化物）、SiO2（颗粒物）等研发废气G2，工艺调试中还会产生镀膜残留的固废即废颗粒物S1、废晶圆片S2和噪声N。（6）包装：调试完成的产品进行包装，包装过程会产生废包装材料S6，包装完成入库待发货。项目二：氧化镧原子层沉积设备研发及产业化图2-4 工艺流程图工艺流程简述：（1）设计开发：**研发部进行设备电脑模拟、设计开发，设计出相应的氧化镧原子层沉积设备工艺参数及零部件结构效果图。（2）前处理：将晶圆片放入等离子体前处理设备进行前处理，将工艺气体（氩气、氧气和氢气）电离成低温等离子体，利用其中的离子、自由基等活性组分对晶圆表面进行无液、无损伤清洗，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。（3）La2O3镀膜：前处理后的晶圆片通过自动传输平台送入原子层沉积设备，通入气体后对模拟设计的工艺参数进行验证。工艺研发过程包括La2O3镀膜。具体步骤如下：将前处理后的晶圆片送入相应ALD原子层沉积设备内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入La(C1H5F3O2S)3 、臭氧，气体采用电阻加热，控制温度约为150-350℃ , 反应生成La2O3，在晶圆片表面生成La2O3薄膜，其中臭氧由臭氧发生器制备，臭氧发生器采用高压放电法，通入纯氧在5-20kV高压电场中产生电晕放电氧气分子被高能电子撞击分解为氧原子，氧原子与氧气分子结合生成臭氧，为了防止工艺反应过程中臭氧爆炸，通入镀膜反应腔体的为15%臭氧、 85%氧气混合气。 La2O3镀膜反应方程式如下： 2La(C1H5F3O2S)3+43O3_>La2O3+60CO2+6H2O+6SO2+18HF 反应结束后原子层沉积设备采用氧气、氮气、氩气等作为清洗气体，对腔室进行吹扫，去除残留物，废气通过真空泵排出。镀膜过程中均使用氮气作为保护气体，会随着工艺废气一起经过（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）处理，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，参照学术期刊《烧结过程热力型 NOx 生成机理分析》温度和停留时间是热力型 NO 、浓度的主要影响因素，如图 1 所示。热力型 NOx 浓度在 1600K （1326.85℃) 以上才明显升高，且随温度升高而迅速升高，同时随停留时间而升高。由于焚烧装置温度控制在 800℃左右，热力型氮氧化物产生量极小，本评价不定量分析。此工序产生的污染物主要为含氟废气（La(C1H5F3O2S)3、HF）、La2O3（颗粒物）、SO2等研发废气G1 ，研发废气经尾气处理器（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）+ 依托现有碱液喷淋洗涤吸收塔处理后通过30m高排气筒FQ-01排放， La(C1H5F3O2S)3在焚烧燃烧器内二次反应，生成La2O3 、SO2 、HF ，研发过程中还会产生镀膜残留的固废即废La2O3颗粒物S1和噪声N。（4）检测镀膜后人工采用检测设备（SP7缺陷检测仪、SEM扫描电镜、拉曼光谱测试仪、高温Stress的仪器、X射线光电子能谱仪等仪器）对晶圆片性能参数、硬度、重量等方面进行测试，以此验证工艺参数的可行性，通过不断地调整工艺参数，直至达到设计要求，并根据调整后的工艺参数调整设计开发的设备零部件结构效果图。此过程会产生废晶圆片S2。 ②氧化镧设备制造工艺图2-5 工艺流程图工艺流程简述：（1）机械加工、表面处理（外协）：根据设计好的图纸，外协进行机加工成型和表面处理。（2）擦拭：委外机加工的设备表面会沾染油污，需人工用抹布沾乙醇进行擦拭。本项目乙醇（99.5%）使用量1kg/a ，擦拭过程中乙醇部分挥发，部分残留于抹布中，因用量较少，本项目不进行定量分析。此工序会产生废抹布手套等防护用品S3。装配：将加工好的零部件和标准电器部件根据设计图纸进行装配成型，装配过程中部分零件利用现有车床和铣床设备进行稍微修整，不使用乳化液。此工序产生少量废零部件及金属屑S4 产生。（3）设备调试：对组装成型的产品进行外观检验，合格产品进行设备调试，调试只针对设备是否正常运转，不合格的产品重新返回进行装配，功能性调试阶段，乙二醇加入设备的密闭冷却系统中，给设备冷却，乙二醇循环使用，定期更换，此工序产生废乙二醇S5产生。（4）工艺调试：对设备调试合格的产品进一步进行工艺调试，验证设备参数是否满足要求。将外购晶圆片通过等离子体前处理设备进行前处理，等离子前处理是利用等离子体内的各种具有高能量的物质和活化作用，将附着在物体表面的污垢彻底剥离去除，采用氩气、氧气和氢气作为保护气体，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。处理后的晶圆片通过自动传输平台送入设备调试后的氧化镧原子层沉积设备内，通入La(C1H5F3O2S)3、臭氧等对设备进行调试，工艺调试包括La2O3镀膜，人工采用检测设备加工后的晶圆片性能进行测试，以此验证工艺参数的准确性，对工艺参数不符合要求的设备进行细微调整，直至达到符合客户要求，氧化镧原子层沉积设备运行时使用冷水机组进行间接冷却，有设备噪声运行产生。工艺调试步骤与工艺研发中步骤相同。此工序产生的污染物主要为为含氟废气（La(C1H5F3O2S)3、HF）、La2O3（颗粒物）、SO2等研发废气G3，La(C1H5F3O2S)3在焚烧燃烧器内二次反应，生成La2O3、SO2、HF，工艺调试中还会产生废晶圆片S1、镀膜残留的固废即废La2O3颗粒物S2和噪声N。（5）包装：调试完成的产品进行包装，包装过程会产生废包装材料S6，包装完成入库待发货。项目三：氧化铌空间原子层沉积设备项目图2-6工艺流程图工艺流程简述：（1）设计开发：**研发部进行设备电脑模拟、设计开发，设计出相应的氧化铌空间原子沉积设备工艺参数及零部件结构效果图。（2）前处理：将晶圆片放入等离子体前处理设备进行前处理，将工艺气体（氩气、氧气和氢气）电离成低温等离子体，利用其中的离子、自由基等活性组分对晶圆表面进行无液、无损伤清洗，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。（3）Nb2O5镀膜：前处理后的晶圆片通过自动传输平台送入原子层沉积设备，通入气体后对模拟设计的工艺参数进行验证。工艺研发Nb2O5镀膜。具体步骤如下：将前处理后的晶圆片送入相应ALD原子层沉积设备内，利用真空泵把设备腔体抽成真空，通入TBTDEN（化学式Nb(NCH9)(NCH1)3）、臭氧，反应生成Nb2O5 ，气体采用电阻加热，控制温度约为200-350℃ , 在晶圆片表面生成Nb2O5薄膜，然后使用快速退火设备调整Nb2O5薄膜的晶格结构，提高其光学性能。退火过程能使非晶态薄膜转变为晶态，或优化已有晶体的取向和尺寸。其中臭氧由臭氧发生器制备，臭氧发生器采用高压放电法，通入纯氧在5-20kV高压电场中产生电晕放电氧气分子被高能电子撞击分解为氧原子，氧原子与氧气分子结合生成臭氧，为了防止工艺反应过程中臭氧爆炸，通入镀膜反应腔体的为15%臭氧、85%氧气混合气。 Nb2O5镀膜反应方程式如下： 6 Nb(NCH9)(NCH1)3 + 124 O3 → 3 Nb2O5 + 96 CO2 + 117 H2O + 24 NO2 反应结束后原子层沉积设备采用氧气、氮气、氩气等作为清洗气体，对腔室进行吹扫，去除残留物，废气通过真空泵排出。镀膜过程中均使用氮气作为保护气体，会随着工艺废气一起经过（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）处理，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，部分氮气在焚烧过程中会产生热力型氮氧化物，参照学术期刊《烧结过程热力型 NOx生成机理分析》温度和停留时间是热力型NO、浓度的主要影响因素。热力型NOx浓度在1600K（1326.85℃)以上才明显升高，且随温度升高而迅速升高，同时随停留时间而升高。由于焚烧装置温度控制在800℃左右，热力型氮氧化物产生量极小，本评价不定量分析。镀膜后晶圆送入快速退火设备，采用电阻丝加热，通过快速升温和降温，从而对晶圆浅表层进行处理，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却，当温度升高到在400°C时，晶圆薄膜内原子获得了足够的能量，开始打破非晶态的无序结构，原子开始进行扩散和迁移，在薄膜中形成微小的晶核，经过短暂的保温（几秒到几十秒）后，薄膜从非晶态转变为多晶态。薄膜由大量微小的、取向不同的晶粒组成，随后，晶圆被快速冷却，结晶后的Nb2O5薄膜具有更致密、更稳定的原子结构，退火工序为原子重排的物理变化，无废气产生。设备运行时使用冷水机组进行冷却此工序产生的污染物主要为Nb2O5（颗粒物）、氮氧化物等研发废气G1，研发废气经尾气处理器（焚烧+水喷淋+静电除尘装置）+依托现有碱液喷淋洗涤吸收塔处理后通过30m高排气筒FQ-01排放，Nb(NCH)(NCH)在焚烧燃烧器内二次反应，生成Nb2O5、氮氧化物，研发过程中还会产生镀膜残留的固废即废Nb2O5颗粒物S1和噪声N。（4）检测退火后人工采用检测设备（SP7缺陷检测仪、SEM扫描电镜、拉曼光谱测试仪、高温Stress的仪器、X射线光电子能谱仪等仪器）对晶圆片性能参数、硬度、重量等方面进行测试，以此验证工艺参数的可行性，通过不断的调整工艺参数，直至达到设计要求，并根据调整后的工艺参数调整设计开发的设备零部件结构效果图。过程会产生废晶圆片S2。 ②氧化铌空间原子沉积设备制造工艺图2-7工艺流程图工艺流程简述：（1）机械加工、表面处理（外协）：根据设计好的图纸，外协进行机加工成型和表面处理。（2）擦拭：委外机加工的设备表面会沾染油污，需人工用抹布沾乙醇进行擦拭，本项目乙醇（99.5%）使用量1kg/a，擦拭过程中乙醇部分挥发，部分残留于抹布中，因用量较少，本项目不进行定量分析。此工序会产生废抹布手套等防护用品S3。（3）装配：将加工好的零部件和标准电器部件根据设计图纸进行装配成型，装配过程中部分零件利用现有车床和铣床设备进行稍微修整，不使用乳化液。此工序产生少量废零部件及金属屑S4产生。（4）设备调试：对组装成型的产品进行外观检验，合格产品进行设备调试，调试只针对设备是否正常运转，不合格的产品重新返回进行装配，功能性调试阶段，乙二醇加入设备的密闭冷却系统中，给设备冷却，乙二醇循环使用，定期更换，此工序产生废乙二醇S5产生。（5）工艺调试：对设备调试合格的产品进一步进行工艺调试，验证设备参数是否满足要求。将外购晶圆片通过等离子体前处理设备进行前处理，等离子前处理是利用等离子体内的各种具有高能量的物质和活化作用，将附着在物体表面的污垢彻底剥离去除，采用氩气、氧气和氢气作为保护气体，同时运行过程使用冷水机组进行间接冷却。处理后的晶圆片通过自动传输平台送入设备调试后的氧化铌原子层沉积设备内，通入TBTDEN、臭氧等对设备进行调试，工艺调试包括Nb2O5镀膜，人工采用检测设备加工后的晶圆片性能进行测试，以此验证工艺参数的准确性，对工艺参数不符合要求的设备进行细微调整，直至达到符合客户要求，氧化铌原子层沉积设备运行时使用冷水机组进行间接冷却，有设备噪声运行产生。工艺调试步骤与工艺研发中步骤相同。此工序产生的污染物主要为Nb2O5（颗粒物）、氮氧化物等研发废气G3，未反应完全的TBTDEN在焚烧燃烧器内二次反应，生成Nb2O5、氮氧化物，工艺调试中还会产生废晶圆片S1、镀膜残留的固废即废Nb2O5颗粒物S2和噪声N。（6）包装：调试完成的产品进行包装，包装过程会产生废包装材料S6，包装完成入库待发货。
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环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

贯彻节约用水原则，减少外排废水量。排水系统实施雨污分流；本项目废气处理喷淋废水经厂内自建污水处理设施处理，达到回用水标准后全部回用于废气处理喷淋用水，不得外排；废水处理系统出口、回用水回用工序进口按国家有关规范安装流量计在线监控设备，并与生态环境部门联网；冷水机组循环浓水达到《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1中标准后，接公司集中处理。该项目利用原有的一个污水排放口，不得增设排污口。进一步优化废气处理方案，严格控制无组织废气排放，确保各类工艺废气的收集治理措施、处理效率及排气筒高度等均达到报告表提出的要求。本项目工艺研发和调试废气经有效收集，采用“焚烧+水喷淋塔+静电除尘装置+碱液喷淋洗涤吸收塔”处理后，尾气通过30米高排气筒FQ-01排放。本项目共设排气筒1根，依托现有。本项目工艺研发和调试工序产生的颗粒物、氮氧化物有组织排放执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3标准，无组织排放的颗粒物、氮氧化物执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表3标准。选用低噪声设备，合理布局并采取有效的减振、隔声、消声等降噪措施，确保厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类排放标准。按“减量化、化、无害化”原则，落实各类固体废物的收集、贮存、处置和综合利用措施，固体废物零排放。一般工业固体废物贮存应符合《省生态环境厅关于进一步完善一般工业固体废物环境管理的通知》(苏环办(2023)327号)相关要求，危险废物贮存应符合《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2023)的相关要求，防止产生二次污染。按规定建立健全一般工业固废、危险废物管理台账，依法申报固体废物管理计划。生活垃圾委托环卫部门处理，一般工业废物依法综合利用、处置，危险废物委托有危险废物经营资质的单位进行安全处理。	厂区已实施“雨污分流”。本项目废气处理喷淋废水经厂内自建污水处理设施处理，达到回用水标准后全部回用于废气处理喷淋用水，不外排。冷水机组循环浓水排入市政污水管网，**处理厂处理。监测结果表明：监测期间，污水总排口口中pH值、化学需氧量、悬浮物日均浓度值均符合《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表1中标准限值要求。回用水出口中pH值、化学需氧量、氨氮、总磷、总氮、氟化物、氯化物日均浓度符合《城市污水再生利用工业用水水质》（GB/T19923-2024）表 1“工艺与产品用水”水质标准限值要求。本次项目所产生的废气包括：工艺研发和调试废气。工艺研发和调试废气经焚烧+水喷淋+静电处理站废气一同由碱液喷淋塔处理，通过30米高排气筒DA001排放。未被捕集废气在车间内无组织排放。监测结果表明：验收监测期间，排气筒DA001中颗粒物、氮氧化物、氟化物、氨排放浓度均符合《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3标准限值要求；二氧化硫排放浓度与排放速率均符合《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021）中表1标准限值要求；臭气浓度符合《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表 2中二级新改扩建标准限值要求。厂界无组织废气氨排放浓度符合省《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表4中标准限值要求；厂界无组织废气臭气浓度排放浓度符合《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表1中二级新改扩建标准限值要求；厂界无组织废气颗粒物、氮氧化物、氟化物、二氧化硫排放浓度符合《大气污染物综合排放标准》（DB32/4041 -2021）表3中标准限值要求。本项目主要噪声源为各类生产设备，建设单位已合理布置厂区总平面布局，并采取车间、厂房墙壁隔音、距离衰减等综合治理措施。监测结果表明：监测期间，本项目厂界噪声监测点昼间等效声级均符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）表1中3类标准限值要求。企业已按照“减量化、化、无害化”的处置原则，已落实各类固体废物的收集、处置和综合利用措施，实现了固体废物零排放。企业危废贮存设施内地面铺设耐腐蚀性水泥地，设置防渗导流沟，防风、防雨、防晒、防雷、防扬散，加锁防盗。收集的危险废物及时贮存至危废间，同时建立危险废物管理制度，设置储存台账，如实记录危险废物储存及处理情况。贮存场所已在出入口设置在线视频监控。企业危废贮存设施与一般固废贮存设施均按《一般工业固体废物贮存和填埋污染控制标准》（GB18599-2020）、《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）等相关要求建设。 ①全厂产生的危险废物：废包装容器、污泥、浓缩液、废抹布手套、等防护用品、废活性炭、毛细管及探针、废实验器具、废金属管、去胶废液、废光刻胶、显影液废液、废乙二醇委托处置；废汞液、废汞瓶、汞探针测试样品委托****公司处置。 ②本项目产生的一般废物有废硅片、晶圆片、废颗粒物、（镀膜残留、固废）、废金属零部、件及金属屑、收集颗粒物、废 Al2O3、Si3N4、Si、SiO2颗粒物、废包装材料，均外售物资回收单位。 ③生活垃圾由环卫清运。食堂厨余垃圾暂不产生。
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其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

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3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）悬浮物(吨/年) 废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）氟化物(吨/年) 氨气(吨/年)

1.2894	1.8594	1.289	1.289
2.424	3.6899	2.424	2.424
0	0	0	0
0	0	0	0
0	0	0	0
0.2966	2.3158	0.297	0.297
0	0	0	0	/
0	0.08	0	0	/
0	0.0606	0	0	/
0.06	0.096	0.06	0.06	/
0	0	0	0	/
0.0015	0.0133	0.002	0.002	/
0.0123	0.0137	0.012	0.012	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

污水处理设施

污水总排口口中pH值、化学需氧量、悬浮物日均浓度值均符合《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表1中标准限值要求。回用水出口中pH值、化学需氧量、氨氮、总磷、总氮、氟化物、氯化物日均浓度符合《城市污水再生利用工业用水水质》（GB/T19923-2024）表 1“工艺与产品用水”水质标准限值要求。

厂区已实施“雨污分流”。本项目不新增员工，不新增生活污水排放。本项目废气处理喷淋废水经厂内自建污水处理设施处理，达到回用水标准后全部回用于废气处理喷淋用水，不外排。冷水机组循环浓水排入市政污水管网，****处理厂处理。

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

焚烧+水喷淋+静电除尘+碱液喷淋塔

排气筒DA001中颗粒物、氮氧化物、氟化物、氨排放浓度均符合《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3标准限值要求；二氧化硫排放浓度与排放速率均符合《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021）中表1标准限值要求；臭气浓度符合《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表 2中二级新改扩建标准限值要求。厂界无组织废气氨排放浓度符合**省《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表4中标准限值要求；厂界无组织废气臭气浓度排放浓度符合《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表1中二级新改扩建标准限值要求；厂界无组织废气颗粒物、氮氧化物、氟化物、二氧化硫排放浓度符合《大气污染物综合排放标准》（DB32/4041 -2021）表3中标准限值要求。

本次项目所产生的废气包括：工艺研发和调试废气。工艺研发和调试废气经焚烧+水喷淋+静电****处理站废气一同由碱液喷淋塔处理，通过30米高排气筒DA001排放。

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

厂房隔声

本项目厂界噪声监测点昼间等效声级均符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）表1中3类标准限值要求。

本项目主要噪声源为各类生产设备，建设单位已合理布置厂区总平面布局，并采取车间、厂房墙壁隔音、距离衰减等综合治理措施。

本项目厂界噪声监测点昼间等效声级均符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）表1中3类标准限值要求。

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

按“减量化、**化、无害化”原则，落实各类固体废物的收集、贮存、处置和综合利用措施，固体废物零排放。一般工业固体废物贮存应符合《省生态环境厅关于进一步完善一般工业固体废物环境管理的通知》(苏环办(2023)327号)相关要求，危险废物贮存应符合《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2023)的相关要求，防止产生二次污染。按规定建立健全一般工业固废、危险废物管理台账，依法申报固体废物管理计划。生活垃圾委托环卫部门处理，一般工业废物依法综合利用、处置，危险废物委托有危险废物经营资质的单位进行安全处理。

企业已按照“减量化、**化、无害化”的处置原则，已落实各类固体废物的收集、处置和综合利用措施，实现了固体废物零排放。企业危废贮存设施内地面铺设耐腐蚀性水泥地，设置防渗导流沟，防风、防雨、防晒、防雷、防扬散，加锁防盗。收集的危险废物及时贮存至危废间，同时建立危险废物管理制度，设置储存台账，如实记录危险废物储存及处理情况。贮存场所已在出入口设置在线视频监控。企业危废贮存设施与一般固废贮存设施均按《一般工业固体废物贮存和填埋污染控制标准》（GB18599-2020）、《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）等相关要求建设。 ①全厂产生的危险废物：废包装容器、污泥、浓缩液、废抹布手套、等防护用品、废活性炭、毛细管及探针、废实验器具、废金属管、去胶废液、废光刻胶、显影液废液、废乙二醇委托****处置；废汞液、废汞瓶、汞探针测试样品委托******公司处置。 ②本项目产生的一般废物有废硅片、晶圆片、废颗粒物、（镀膜残留、固废）、废金属零部、件及金属屑、收集颗粒物、废 Al2O3、Si3N4、Si、SiO2颗粒物、废包装材料，均外售物资回收单位。 ③生活垃圾由环卫清运。食堂厨余垃圾暂不产生。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程