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| 半导体多层薄膜 TOF-SIMS 综合剖析 | 6.0/次 | 2500.0 | 飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS);半导体材料;多层薄膜;测试项目:深度分布/膜厚、离子迁移/扩散、表面分布/均匀性、成键推断 | (1) 本项目服务期为30天。(2) 质量保证期为180天。 | |||
| 变温霍尔效应测试分析 | 10.0/次 | 2000.0 | 变温霍尔效应测试仪;半导体材料;薄膜;测试温度:变温100K-300K;测试项目:霍尔迁移率、载流子类型、载流子浓度、电阻率、霍尔系数 | (1) 本项目服务期为30天。(2) 质量保证期为180天。 |