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CCP-RIE100刻蚀系统（JJ2026000108）采购公告

公告-招标公告

福建 -福州

发布时间： 2026年10月28日

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摘要信息

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采购公告

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***********公司企业信息

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

CCP-RIE100刻蚀系统	****
2026-10-28 17:12:04	2026-10-31 19:00:00
****	内贸：全部货物交货并最终验收合格后，乙方向甲方提供全额的正式发票（10万元以上的国产设备乙方必须提供全额的增值税专用发票），甲方凭验收合格材料向乙方支付100%的合同款。

	内贸：合同签订后60个工作日内
￥198000.00




******校区
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

CCP-RIE100刻蚀系统

台

电子工业生产设备

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

******公司

CCP-RIE100

￥ 198000.00

一、基本性能指标（优于或不低于下列指标） ①设备类型：平行板CCP-RIE；单次加工4英寸晶圆1片或散片多片； ②真空室约280×280×300 mm，全铝腔体，腔壁阳极氧化防腐蚀处理，腔内工艺防护件应可维护； ③极限真空度≤8×10 Pa；系统漏率≤5×101 Pa﹒m3/s； ④停泵隔离12小时后腔压≤10 Pa，起始条件以验收协议为准； ⑤氮气破真空短时暴露后，抽至5×103 Pa≤15 min，至8×10 Pa≤30 min； ⑥电极间距调节20～50 mm；样品台水冷工作温度10～35℃； ⑦射频电源300 W（含自动匹配）；PLC＋触摸屏及工艺配方调用； ⑧独立供气：Ar、CF、SF、O四路；第5，6路待选气体需与供方明确增配/预留； ⑨φ4英寸硅片刻蚀不均匀性≤±5%，测点及边缘排除区须约定； ⑩Si刻蚀速率≥200nm/min，SiO≥100nm/min，SiN≥100nm /min； Si、SiO刻蚀图形侧壁角度＞80°，按约定图形截面实测；出厂前完成：Si、SiO、HfO、ZrO、AlO、InO、IGZO等氧化物及Ti、Ni、Al、Ta、Mo、TiN等金属分别完成100 nm刻蚀验证，掩模版为AZ光刻胶与ZEP520光刻胶，刻蚀后光胶不变质且可正常去胶；供方提供⑩的基准配方；须在交货前由校方寄样或派员现场验证；提供腔内保护、清腔、维护和质保条款，保修一年；上述新增验收项目应写入正式采购技术合同。二、主要配置及附属设备 1主要配置真空腔体和上/下电极各1套；300 W射频电源和自动匹配器各1套；四路工艺气体MFC；分子泵＋机械泵；电动节流阀、真空计及薄膜规；DN100水冷样片台；PLC触摸屏配方控制系统各1套。 2附属设备及备品备件冷水机1套；必要的腔内保护件、管路接头与操作维修手册。

质量保证期:验收合格之日起算一年;服务网点:国内;维修响应时限:报修后2小时内响应;电话支持:7×24小时;

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