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| 项目名称 | 85kVA液冷功率放大器DC/AC单元碳化硅功率模块 | 项目编号 | **** |
| 项目编号 | **** | ||
| 公告发布日期 | 2026/11/09 11:26 | 公告截止日期 | 2026/11/12 11:26 |
| 公告截止日期 | 2026/11/12 11:26 | ||
| 采购单位 | **** | ||
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
| 采购预算 | 未公开 | 币种 | RMB |
| 币种 | RMB | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
| 踏勘联系电话 | |||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
| 踏勘联系时间 | |||
| 送货/施工/服务期限 | 合同签订后 30 天内到货 | ||
| 送货/施工/服务地址 | ****电能高效****实验室011 | ||
| 售后服务 | 按行业标准执行 | ||
| 付款条款 | 国产设备:1.供应商在申请验收前,须先把合同总金额的(0)%作为质保金交到采购人指定账户,并开具合同金额100%发票;2.货到合同指定地点并安装调试验收合格后,凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的(100)%;3.在验收合格之日起的(0)年后无质量问题,经采购人认可,一次性将合同质保金无息退还供应商。 | ||
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 碳化硅功率模块 | 108(只) | |||
| 参考品牌及型号 | **国扬电子/WCC75F120E68 | |||
| 技术参数要求 | 1)采用全碳化硅MOSFET功率模块,不接受硅IGBT、硅MOSFET或硅与碳化硅混合功率模块;为全新、未使用的合格品,不得供给拆机、翻新或重标产品。 2)单模块内集成三组半桥、共六个MOSFET开关单元,各开关单元具有独立栅极与源极驱动端;配置反并联续流二极管及独立NTC温度检测端。 3)各MOSFET漏源额定电压VDS不低于1200V。提供制造商绝对最大额定值表。 4)VGS=18V、壳温Tc=80℃条件下,连续漏极电流额定值不低于75A。 5)VGS=18V、壳温Tc=25℃条件下,连续漏极电流额定值不低于90A。 6)VGS=18V、结温Tvj=25℃条件下,最大脉冲漏极电流额定值不低于150A。 7)结温Tvj=25℃、VGS=18V、IDS=75A时,单个MOSFET导通电阻RDS(on)最大值不大于22mΩ,典型值不大于16mΩ。须提供正式规格书及对应测试条件。 8)支持-4V关断、+18V开通的栅极驱动;栅源电压绝对最大允许范围至少覆盖8V~+22V。驱动推荐工作条件与绝对最大额定值须分别列明。 9)Tvj=25℃、VDS=VGS、ID=23mA条件下,栅极阈值电压VGS(th)须在2.0~4.0V范围内。 10)Tvj=25℃、VDS=1200V、VGS=0V条件下,零栅压漏极电流IDSS最大值不大于100μA。 11)Tvj=25℃、VGS=8V/+22V条件下,栅源漏电流IGSS最大绝对值不大于250nA。 12)允许工作结温范围应覆盖55~+150℃;最大结温额定值不低于175℃。最大结温不作为长期工作温度。 | |||