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400V碳化硅MOSFET竞价公告
招标详情
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400-688-2000
相关单位：
***********公司企业信息
| 项目名称 | 400V碳化硅MOSFET | 项目编号 | **** |
| 项目编号 | **** | ||
| 公告发布日期 | 2026/11/09 14:54 | 公告截止日期 | 2026/11/12 14:54 |
| 公告截止日期 | 2026/11/12 14:54 | ||
| 采购单位 | **** | ||
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
| 采购预算 | 未公开 | 币种 | RMB |
| 币种 | RMB | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
| 踏勘联系电话 | |||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
| 踏勘联系时间 | |||
| 送货/施工/服务期限 | 合同签订后 30 天内到货 | ||
| 送货/施工/服务地址 | ****电能高效****实验室 | ||
| 售后服务 | 按行业标准执行 | ||
| 付款条款 | 国产设备：1.供应商在申请验收前，须先把合同总金额的（0）%作为质保金交到采购人指定账户，并开具合同金额100%发票；2.货到合同指定地点并安装调试验收合格后，凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的（100）%；3.在验收合格之日起的（0）年后无质量问题，经采购人认可，一次性将合同质保金无息退还供应商。 | ||
采购清单
1
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 400V/15mΩ碳化硅MOSFET | 1296(只) | |||
| 参考品牌及型号 | infineon(英飞凌)/IMT40R015M2H | |||
| 技术参数要求 | 器件类型：N沟道碳化硅功率MOSFET。 额定漏源电压VDS：不低于400V。 导通电阻RDS(on)：典型值15mΩ，最大值不高于19.1mΩ（VGS=18V、ID=27.1A、Tj=25℃）。 连续漏极电流ID：不低于111A（VGS=18V、TC=25℃）；TC=100℃时不低于79A。 栅极驱动电压：推荐开通电压18V，关断电压0V。 栅极总电荷Qg：典型值62nC；输出电荷Qoss：典型值101nC。 输出电容储能Eoss：典型值7.3μJ。 结壳热阻RthJC：不大于0.44℃/W。 工作结温范围：-55℃～175℃。 封装形式：TOLL封装，功率端子及栅极、驱动源极引脚定义应与现有功率电路兼容。 | |||
采购清单
2
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 400V/11mΩ碳化硅MOSFET | 1296(只) | |||
| 参考品牌及型号 | infineon(英飞凌)/IMT40R011M2H | |||
| 技术参数要求 | 器件类型：N沟道碳化硅功率MOSFET。 额定漏源电压VDS：不低于400V。 导通电阻RDS(on)：典型值11.3mΩ，最大值不高于14.4mΩ（VGS=18V、ID=37.1A、Tj=25℃）。 连续漏极电流ID：不低于144A（VGS=18V、TC=25℃）；TC=100℃时不低于102A。 栅极驱动电压：推荐开通电压18V，关断电压0V。 栅极总电荷Qg：典型值85nC；输出电荷Qoss：典型值138nC。 输出电容储能Eoss：典型值9.9μJ。 结壳热阻RthJC：不大于0.35℃/W。 工作结温范围：-55℃～175℃。 封装形式：TOLL封装，功率端子及栅极、驱动源极引脚定义应与现有功率电路兼容。 | |||
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