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重庆三安半导体碳化硅衬底项目（一期一阶段）

审批

重庆-重庆

发布时间： 2026年11月12日

项目详情

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1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****0107MACQ6LQ593	蔡文必
邓婷	**市高新区
**市高新区西永街道28-2号SOHO楼601-A152

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

**三安半导体碳化硅衬底项目（一期一阶段）	****

2021版本:081-电子元件及电子专用材料制造	C3985-C3985-电子专用材料制造
	重****开发区西永街道西永组团N7-1/04（部分1）、N1-7-1/05（部分1）地块
经度:106.375100 纬度: 29.574790	****环境局
	2024-02-07
渝（高新）环准〔2024〕7号	****0107MACQ6LQ593001V
2024-02-07	700001.91
10580	****
****0107MACQ6LQ593	****公司
915********944721G	******公司
915********075002T	2026-05-01

2026-10-13	2026-11-10
	https://www.****.com/gs/detail/2?id=61013bNOWS

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

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规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

分期建设，一二期年产能均为26万片8英寸导电衬底，全厂建成后年产8英寸导电衬底52万片。	项目分期分阶段建设，根据实际产能，一期一阶段年产8英寸导电衬底6万片，一期年产8英寸导电衬底26万片，全厂建成后年产8英寸导电衬底52万片。
分阶段验收。

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

工艺说明：（1）热场制备：准备不同部位的石墨热场配件，包括碳化硅原料合成用石墨坩埚、石墨毡等，并检查与测量尺寸和完整度；将石墨毡裁切成需要的形状，其余石墨热场配件均可直接使用。（2）配料填装：将碳粉与硅粉以一定的比例放入混料罐中进行混料，然后将混合均匀的硅、碳粉装填进碳化硅粉料合成石墨坩埚内。该过程由专门的自动吸料设备进行，设备密闭。（3）热场组装：将整套坩埚放入石墨保温桶内，添加上下石墨保温材料，并将整套热场放入碳化硅合成炉内。（4）原料合成：碳粉和硅粉在封闭合成炉内发生化学反应（温度2200-2500℃，低压10-50mbar），使用自蔓延方式进行原料合成，采用电加热。为保证原材料合成过程中所需真空度，一边通过管道往合成炉中输入辅助气体Ar，一边通过真空泵从合成炉中抽出辅助气体。辅助气体的充入靠气体管内的正压进入生长腔室，抽出为机台真空泵制造负压抽出进入尾排管道排入空气中，辅助气体排出不会带出粉尘。（5）原料筛分：将合成好的碳化硅原料从坩埚内取出，通过分析筛对碳化硅原料进行筛分，筛分出18-100 目的作为合格料保留，其余为废料。（6）原料检验：对合成的碳化硅原料进行浊度测量及外观检验，决定是否进行生长使用。（7）热场制备：准备不同部位的石墨热场配件，包括碳化硅原料合成用石墨坩埚、石墨毡等，并检查与测量尺寸与完整度；将石墨毡裁切成需要的形状，其余石墨热场配件均可直接使用。（8）原料装填：装填粉料合成段产生的成品高纯碳化硅粉末于石墨坩埚内，该过程由专门的自动吸料设备进行，设备密闭。（9）晶体固定：将碳化硅籽晶片使用涂布机涂布树脂，使用贴片机粘贴固定在石墨坩埚盖上，然后将贴片好的籽晶及石墨坩埚盖放置在固化炉内，升温至600-800℃，低于5mbar的压力下，高温维持1-3h，将树脂碳化，使籽晶牢固粘贴在石墨坩埚盖上。采用电加热。（10）热场组装：将各部位的石墨配件组装在一起，并放入长晶炉内。（11）原料烧结：在长晶炉封闭环境中将碳化硅粉末加热至2200℃（低于其基本成分的熔点），该过程耗时4-8h，采用电加热，然后通过PCW冷却循环水将设备间接冷却至室温，把粉末颗粒的聚集体变成为晶粒的聚结体。（12）晶体生长：SiC籽晶放置在坩埚顶部，SiC粉料作为原料放置在坩埚底部， SiC粉料在封闭长晶炉低压高温（2-10mbar，2100-2300℃）下升华并分解成气态物质，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，由处在高温区的粉料自然输送到处在低温籽晶处，在过饱和的气氛中沉积结晶生长成SiC晶体。采用电加热。为了保证晶体生长所需真空度，一边通过管道往长晶炉中输入辅助气体N2、Ar，一边通过真空泵从长晶炉中抽出辅助气体。辅助气体的充入靠气体管内的正压进入生长腔室，抽出为机台真空泵制造负压抽出进入尾排管道排入空气中，辅助气体排出不会带出粉尘。（13）晶体检验：对生长的晶体进行外观、尺寸、重量、晶型等检验，决定是否进行后续的晶圆加工。（14）研磨：使用数控研磨机对晶体的端面、外径进行磨削，以满足所需要的晶体的尺寸，研磨过程中需要持续供给RO 水配置的冷却液，配置过程为将冷却液原液以一定比例加入RO 水中，置于研磨机旁边的储桶中，抽取循环使用。（15）研磨清洗：将研磨后的晶体放在含有RO 水配置的除蜡清洗剂的清洗机里面进行清洗，配置过程为将除蜡清洗剂原液以一定比例加入RO水中，置于清洗槽中，清洗温度为75-80℃，采用电加热。主要是清洗掉晶体表面少量的冷却液和碳化硅粉末。（16）定向：通过X射线定向仪分别对晶体的C向和Si向进行角度的测量。（17）平边：根据晶体定向后的角度，确定晶体平边的位置，在晶体外径上磨削出一个符合工艺尺寸的平面。平边过程中需要持续供给RO水配置的冷却液，配置过程为将冷却液原液以一定比例加入RO水中，置于平边研磨机旁边的储桶中，抽取循环使用。（18）定装：使用AB胶将晶体固定在切割治具上。（19）线切：将固定晶体的治具安装到线切割机上，用钢线将晶体切割成晶片。切割过程中需持续供给切削液，将切削液从切割机旁的储蓄桶中抽吸淋洗，使用后的切削液进入切割机下部的收集圆盘进行循环利用。（20）线切清洗：线切清洗剂配置过程为将除蜡清洗剂原液以一定比例加入RO水中，置于清洗槽中，然后将从线切机切割完的晶片放在盒子里面，将放有晶片的盒子放到含线切清洗剂的清洗机里进行清洗，温度加热至75-80℃，采用电加热，清洗掉晶片表面的碳化硅粉末、切削液以及脏污物，洗完后用热风进行风干。（21）镭刻：采用镭射激光机在晶片的固定区域进行镭刻编码，每片晶片对应一个镭刻。（22）线切检测：将晶片放置在检测设备上进行尺寸、外观等缺陷检测。（23）倒角：线切后晶片的边缘有锋利棱角，不便于包装和运输以及后段工艺，使用倒角机的砂轮磨去晶片棱角，倒角过程使用RO水进行淋洗，不会有粉尘产生。（24）退火（电加热）：将退火炉加热到1600℃，持续保温9h，炉腔体内压力20kpa，采用电加热。工艺过程中通入氩气，压力0.16Mpa。将加热晶片到1500℃左右，快速将晶片通过循环水冷却到常温，用来消除晶片表面的应力，增加强度。（25）MP（减薄）：线切后由于各晶片厚度相差较大且晶片表面凹凸不平，需要进行减薄工艺，先将晶片放到贴片机上，用粘合剂在晶片表面贴一层UV膜，然后将晶片放置到减薄机上，设置一定的参数要求，晶片在研磨砂轮高速转动作用下，对晶片表面研磨减薄，使所有晶片厚度达到一定规格范围要求，研磨过程使用RO水进行淋洗，不会有粉尘产生。（26）MP清洗：在减薄机上对晶片的碳面研磨减薄完成之后，放入含有RO水配置的除蜡清洗剂的清洗机里面进行清洗，配置过程为将除蜡清洗剂原液以一定比例加入RO水中，置于清洗槽中，清洗温度为50-75℃，摇臂上下震荡对晶片进行清洗，然后用RO水对晶片再次进行喷淋清洗，再进行晶片的甩干。（27）CMP（Chemical-Mechanical Planarization，化学机械抛光）：研磨减薄后晶片表面仍存在少量划痕和表面缺陷（损伤区），为了进一步去除损伤层，需在抛光机上进行化学机械抛光，通过液态蜡将晶片粘接在抛光机陶瓷盘上，抛光过程使用UPW水配置的抛光液淋洗，配置过程为将抛光液原液以一定比例加入RO水中。抛光温度为70℃，采用电加热。抛光过程中抛光液与晶片表面的化学作用及抛光液中磨料的机械作用相结合，大大降低形成的损伤层，使晶片达到衬底片技术要求。（28）CMP清洗：在CMP工艺前后为保证晶片表面的洁净度要求，需要对晶片进行清洗，除蜡清洗剂配置过程为将除蜡清洗剂原液以一定比例加入UPW水中，置于清洗槽中，然后将晶片放到含除蜡清洗剂的清洗机里进行清洗，温度为30-85℃，采用电加热，摇臂上下震荡对晶片进行清洗，然后用UPW水对晶片再次进行喷淋清洗，再进行晶片的甩干。（29）检测蚀刻：通过电子扫描显微镜检测CMP后晶片的表面缺陷和内部缺陷，同时，每一批抽取头尾片晶片浸入氢氧化钾溶液，并加热到570℃左右，工艺时间30s，通过蚀刻后的晶片，可清楚地看到晶圆内部的缺陷。采用电加热。最终清洗（30）①酸洗机：将CMP 清洗后的晶片先放在酸清洗机中，为全封闭设备，清洗和供液均为全自动，清洗药液为硫酸和双氧水的混合液，配液过程为将96-98%硫酸按照一定配比混合至30-32%双氧水中，清洗温度为65-140℃，采用电加热。目的是去除晶片表面的脏污。药液清洗后设备自动将晶片放置在喷淋槽中，使用UPW 水对晶片表面进行喷洗，去除晶片表面的药剂，之后再进行甩干处理。②RCA：将酸洗后的晶片放在RCA 中进行清洗和干燥，RCA 为全封闭设备，清洗和供液均为全自动。③刷洗机：RCA 清洗之后，晶片表面还会存在一些顽固颗粒污染物以及有机物，需要将晶片放置在刷洗机中进行清洗，通过刷洗机毛刷的物理去除作用，去除掉晶片表面顽固脏污。刷洗机为双层结构，第一层通过喷淋1%的氢氟酸进行刷洗，第二层通过喷淋UPW 水进行刷洗，然后甩干。（31）最终检测：对晶片的表面进行检测，检测是否有外观不良、晶片表面金属元素含量、Partical 数量等，检测完后按照要求区分晶片的等级并进行分类。	（1）粉料合成本项目碳化硅粉料合成采用自蔓延高温合成法，属于固相合成法，该方法将固态的Si源和C源作为原料，使其在高温下持续反应，最后得到高纯碳化硅粉体。（2）单晶生长本项目碳化硅长晶采用物理气相沉积法（PVT），在高温低压的密闭环境下，通过温度梯度和浓度差的作用，使碳化硅粉料达到过饱和状态后再结晶，从而实现碳化硅晶体尺寸和特定晶型的可控生长。（3）晶圆加工项目碳化硅晶圆加工是将晶体柱加工成单晶片，然后经过研磨、抛光、清洗等过程加工为衬底片，项目工艺升级内容为：晶体柱线切割工艺升级为激光剥离工艺、CMP工艺中晶圆固定工艺升级。项目变动后对切割工艺和CMP进行升级，将大部分线切割设备替换为更先进、环保、高效的激光剥离设备，CMP工序中将晶圆固定在抛光机陶瓷盘的物料由液态蜡替换为纯水，涉及变动的工艺流程简述见下：线切：将固定晶体的治具安装到线切割机上，用钢线将晶体切割成晶片。切割过程中需持续供给切削液，将切削液从切割机旁的储蓄桶中抽吸淋洗，使用后的切削液进入切割机下部的收集圆盘进行循环利用。该工序会产生S3-3废切削液，切削液挥发会产生G3-1有机废气。项目变动后线切割机大幅减少，切削液用量大幅减少，有机废气产生量大幅减少，废切削液产生量减少。线切清洗：线切清洗剂配置过程为将除蜡清洗剂原液以一定比例加入RO水中，置于清洗槽中，然后将从线切机切割完的晶片放在盒子里面，将放有晶片的盒子放到含线切清洗剂的清洗机里进行清洗，温度加热至75-80℃，采用电加热，清洗掉晶片表面的碳化硅粉末、切削液以及脏污物，洗完后用热风进行风干。该过程会产生W3-2清洗废水。激光剥离：采用激光剥离机进行，通过激光将晶体柱分裂成晶圆片，激光具有较高的能量，根据晶圆厚度要求调整参数将激光射入晶体内部，在碳化硅晶体内部不同深度处进行逐层扫描，生成单道或多道改质层，之后在外张力作用下，改质层裂纹沿垂直于晶圆表面方向扩展，使晶圆由内向外劈裂，从而在碳化硅晶锭上剥离出晶圆，激光剥离过程基本无废气产生。清洗：将剥离后的晶片放在盒子里面，将放有晶片的盒子放到的清洗机里进行清洗，采用RO水清洗，温度加热至75-80℃，采用电加热，清洗掉晶片表面的碳化硅粉末以及脏污物，洗完后用热风进行风干。该过程会产生W3-2清洗废水。剥离后清洗用水量与线切清洗用水量一致。 CMP（Chemical-Mechanical Planarization，化学机械抛光）：研磨减薄后晶片表面仍存在少量划痕和表面缺陷（损伤区），为了进一步去除损伤层，需在抛光机上进行化学机械抛光，通过纯水（原环评为液态蜡）将晶片粘接在抛光机陶瓷盘上，抛光过程使用UPW水配置的抛光液淋洗，配置过程为将抛光液原液以一定比例加入RO水中。抛光温度为70℃，采用电加热。抛光过程中抛光液与晶片表面的化学作用及抛光液中磨料的机械作用相结合，大大降低形成的损伤层，使晶片达到衬底片技术要求。该过程会产生S3-3废抛光液。项目变动后取消使用液态蜡，有机废气产生量减少，废蜡产生量减少，废抛光液产生量少量增加，生产废水量略微增加。
（1）线切割工艺升级为激光剥离工艺；计划在M1厂房内保留14台多线切割机，其余M1和M2厂房的线切割机（共162台）改为激光剥离设备（27台），激光剥离无需使用切削液，工艺过程几乎无污染物产生，变动后生产能力不变，切削液和无水乙醇及相关原辅材料用量减少，VOCs产生量和排放量减少。（2）化学机械抛光（CMP）工序中晶圆固定工艺升级，由液态蜡粘接固定改为纯水粘接固定，变化后取消使用液态蜡，VOCs产生量和排放量减少，生产废水量增加10m3/a，废水污染物排放量略微增加，不超过10%。

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

酸性废气处理系统：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）碱液喷淋洗涤塔，单套风量7万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA001、DA007），备用治理设施设置单独的备用排气筒；碱性废气处理设施：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）酸液喷淋洗涤塔，单套风量7万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA002、DA008），备用治理设施设置单独的备用排气筒；有机废气处理设施：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）沸石转轮浓缩燃烧系统，单套风量1.5万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA003、DA009），备用治理设施设置单独的备用排气筒；含尘废气处理系统：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）脉冲式滤筒除尘净化器，单套风量3.0万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA004、DA010），备用治理设施设置单独的备用排气筒；锅炉烟气排风系统：采用低氮燃烧技术，设置25m高排气筒1根（DA005）有组织排放，风量8500m3/h；废水处理站废气处理系统：采用密闭隔间/加盖收集+两级喷淋塔处理（加入NaOH、NaClO）处理达标后经15m高排气筒（DA006）排放，风量2.0万m3/h。食堂油烟处理系统：食堂设油烟净化器，食堂油烟经净化器处理后，由屋顶烟道排放（DA011）。一般工业固废：设置一般工业固废暂存间，位于生产厂房M1和M2的籽晶固化处理间东南角，面积均为85m2。危险废物：危废暂存间位于厂区中部北侧，建筑面积为1400m2，1层，层高5.4m。地面进行重点防渗处理，设置经过防渗处理的地沟。合理布局，选用低噪设备，风机和水泵设置基础减振垫、柔性软接头，厂房隔声。 ①CD1动力站一层中部设置消防水池，储存消防水量不小于1200m3。 ②建设单位****处理站设置事故水池各1座，收集事故污水；另在厂区内设置初期雨水池1座，厂区内事故池+初期雨水池总计应满足事故下≥1114.0m3的应急需求；上述厂区内事故池+初期雨水池总计应满足事故下≥1114.0m3的应急需求；并配备雨污切换阀。 ③化学品库、冷冻站等分别设置事故通风系统，选用防爆型风机，风机与可燃气体探测报警联锁。冷冻站事故排风机与O2浓度检测报警装置连锁。排风时通过外墙百叶自然补风，锅炉房采用风机机械补风，化学品库采用新风机组机械补风。事故通风系统在室内外便于操作的位置由电气专业分别设置手动开关。事故排风系统均设置导除静电的接地装置。	酸性废气处理系统：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）碱液喷淋洗涤塔，单套风量7万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA001、DA002），备用治理设施与常用治理设施共用一个排气筒；碱性废气处理设施：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）酸液喷淋洗涤塔，单套风量7万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA003、DA004），备用治理设施与常用治理设施共用一个排气筒；有机废气处理设施：M1厂房和M2厂房分别设置1套“干式过滤棉+二级活性炭”系统，M1厂房内线切割机配置油气分离装置，M1厂房措施风量9000m3/h，M2厂房措施风量6000m3/h，设置25m高排气筒1根（DA005、DA009）；含尘废气处理系统：M1厂房和M2厂房分别设置1+1套（表示1用1备）脉冲式滤筒除尘净化器，单套风量3.0万m3/h，设置25m高排气筒1根（DA007、DA008），备用治理设施与常用治理设施共用一个排气筒；锅炉烟气排风系统：采用低氮燃烧技术，设置25m高排气筒1根（DA006）有组织排放，风量8500m3/h；废水处理站废气处理系统：采用密闭隔间/加盖收集+两级喷淋塔处理（加入NaOH、NaClO）处理达标后经25m高排气筒（DA010）排放，风量2.0万m3/h。食堂油烟处理系统：食堂设油烟净化器，食堂油烟经净化器处理后，由屋顶烟道排放（DA011）。一般工业固废：设置一般工业固废暂存间，位于生产厂房M1和M2的籽晶固化处理间东南角，面积均为85m2。危险废物：危废贮存库位于厂区西南侧，建筑面积为1140m2，1层，层高5.4m。地面进行重点防渗处理，设置经过防渗处理的地沟。合理布局，选用低噪设备，风机和水泵设置基础减振垫、柔性软接头，厂房隔声。 ①CD1动力站一层中部设置消防水池，储存消防水量为1200m3。 ②厂区化学品库北侧设置有一个30m3事故应急池，在厂区中部北侧设置有1个800m3应急事故水罐；废水处理站内设置有2个700m3应急事故池，事故水池总容积为2230m3，厂区雨水排放口配备有雨污切换阀。 ③化学品库、冷冻站等分别设置事故通风系统，选用防爆型风机，风机与可燃气体探测报警联锁。冷冻站事故排风机与O2浓度检测报警装置连锁。排风时通过外墙百叶自然补风，锅炉房采用风机机械补风，化学品库采用新风机组机械补风。事故通风系统在室内外便于操作的位置由电气专业分别设置手动开关。事故排风系统均设置导除静电的接地装置。
由于部分工艺升级，涉VOCs工艺和原辅料用量变化，VOCs产生量大幅降低，变动后根据经济、能耗、废气种类、废气浓度等重新选择合适的有机废气治理措施，根据变动后集气设备数量调整废气治理措施风量，将“沸石转轮吸附浓缩/脱附+RTO燃烧装置”改为“干式过滤棉+二级活性炭设施”，并为M1厂房保留的线切割机配置油气分离装置，变动后废气治理措施属于可行技术，废气能够达标排放，VOCs排放减少，能耗降低，根据类比同类型项目结果，有机废气经处理后能够达标排放，变动后废气治理措施可行。取消酸性、碱性、有机、含尘废气备用排气筒，备用治理设施与常用治理设施共用一根排气筒，以上排气筒位置根据设施实际占地情况略微调整，排气筒编号根据排污许可证更新，废水处理站废气排气筒高度由15m增加到25m。生产区化粪池和隔油池位置和数量变化，由在厂区西北侧设置1个化粪池（300m3/a）改为在厂区各处厕所旁设置共计15小化粪池（15m3/d），总设计处理能力为225m3/d；食堂旁设置的隔油池处理能力由190m3/d改为100m3/d。根据环评计算生产区生活污水排水量为192.72m3/d，厂区厕所根据区域人员配置，变动后的化粪池能够满足生活污水处理；食堂污水排水量约21.48m3/d，变动后隔油池能够满足食堂污水处理；食堂污水经过隔油处理后与部分生活污水排至有机生产废水处理设施作为碳源，生产区生活和食堂污水排放量不变。厂区纯水站、化学品仓库、气瓶库、氩气区、危废贮存库位置变化，其中危废贮存库面积由1400m2变化为1140m2，贮存能力变为1596t，通过合理转运处理，变动后的危废贮存库满足危废贮存要求。应急事故池位置和数量变化，变化后事故水池总容积为2230m3，满足环评要求的事故池+初期雨水池总计应满足事故下≥1114.0m3的要求。

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

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3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

0	0	0	0
9.237	38.746	9.237	9.237
2.086	8.748	2.086	2.086
0	0	0	0
0	0	0	0
0	0	0	0	/
0	1.236	0	0	/
0.609	1.869	0.609	0.609	/
0	0.865	0	0	/
0.04	2.726	0.04	0.04	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

1	废水处理站	《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）间接排放标准、《污水综合排放标准》（GB8978-1996）三级标准	**处理站位于CD1动力站内北侧，设置4类生产废水处理系统处理，处理站处理达标后排至市政污水管网。**处理站规模如下：①含氟废水处理系统：采用“CaCl2化学沉淀法”，处理能力288m3/d。②研磨废水处理系统：采用“化学沉淀法”，处理能力840m3/d。③有机废水处理系统：采用“生化法”，处理能力2104m3/d，碳源来自餐饮废水和生活污水。④酸碱废水处理系统：采用“酸碱中和法”，处理能力3240m3/d。	生产区废水中pH值、悬浮物、石油类、化学需氧量、总有机碳、氨氮、总氮、总磷、阴离子表面活性剂、氟化物、硫化物监测结果满足《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）间接排放标准限值要求；动植物油类、五日生化需氧量监测结果满足《污水综合排放标准》（GB8978-1996）三级标准限值要求。
2	生化池	《污水综合排放标准》（GB8978-1996）三级标准	生产区的生活污水经分散在厂区的15个小化粪池处理（单个处理能力15m3/d）、食堂污水经1个隔油池处理（处理能力100m3/d）后与生产废水经同一排口排至市政污水管网。生活区的生活污水经化粪池处理（处理能力200m3/d）后排至市政污水管网。	生活区废水中氨氮监测结果满足《污水排入城市下水道水质标准》（GB/T31962-2015）B级标准限值要求，pH值、悬浮物、化学需氧量、五日生化需氧量、总氮、总磷、动植物油类监测结果满足《污水综合排放标准》（GB8978-1996）中三级标准限值要求。

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

1	碱液喷淋洗涤塔	《大气污染物综合排放标准》（DB 50/418-2016）中表1主**标准	项目M1厂房设置2套（1用1备）碱液喷淋洗涤塔处理酸性废气，处理后废气经25m高排气筒DA003排放，备用治理设施与常用治理设施共用一个排气筒	有组织排放的酸性废气中氟化物、氯化氢、硫酸雾排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》（DB 50/418-2016）中表1主**标准限值要求；
2	酸液喷淋洗涤塔	《恶臭污染物排放标准》（GB 14554-93）	M1厂房设置2套（1用1备）酸液喷淋洗涤塔处理碱性废气，处理后废气经25m高排气筒DA003排放，备用治理设施与常用治理设施共用一个排气筒	碱性废气中氨排放浓度满足《恶臭污染物排放标准》（GB 14554-93）限值要求
3	干式过滤棉+二级活性炭	《大气污染物综合排放标准》（DB 50/418-2016）中表1主**标准限值	M1厂房内线切割机配置油气分离装置分离有机废气，工艺过程产生的有机废气经M1厂房设置1套“干式过滤棉+二级活性炭”系统处理，，处理后废气经25m高排气筒DA005排放	有机废气中非甲烷总烃排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》（DB 50/418-2016）中表1主**标准限值要求
4	脉冲式滤筒除尘净化器	《大气污染物综合排放标准》（DB 50/418-2016）中表1主**标准限值	含尘废气经M1厂房设置的2套（1用1备）脉冲式滤筒除尘净化器处理，处理后的废气经25m高排气筒DA007排放	含尘废气中颗粒物排放浓度满足《大气污染物综合排放标准》（DB 50/418-2016）中表1主**标准限值要求
5	低氮燃烧	《锅炉大气污染物排放标准》（DB 50/658-2016）及修改单	项目锅炉采用低氮燃烧，燃烧废气经25m高排气筒DA006排放	锅炉废气中颗粒物、二氧化硫、氮氧化物排放浓度满足《锅炉大气污染物排放标准》（DB 50/658-2016）及修改单限值要求
6	密闭隔间/加盖收集+两级喷淋塔	《恶臭污染物排放标准》（GB 14554-93）	项目锅炉采用低氮燃烧，燃烧废气经25m高排气筒DA006排放；****处理站废气采用密闭隔间/加盖收集+两级喷淋塔（NaOH、NaClO）处理，处理后废气经25m高排气筒DA010排放	废水处理站废气中氨、硫化氢、臭气浓度排放浓度满足《恶臭污染物排放标准》（GB 14554-93）限值要求。

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

隔声、减振

《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）中3类

项目优先采用低噪声设备，各类噪声设备采取减振、隔声、降噪和合理总平布局等措施，达到控制噪声目的

厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB 12348-2008）3类类标准，能够达标排放。

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

运营期固体废物包括一般工业固体废物、危险废物和生活垃圾等。一般工业固废包括废坩埚、碳化硅原料渣和石墨渣、废包装材料、晶圆次品、废活性炭、废UV膜、废抛光树脂等，收集暂存于一般固废仓库，定期交由厂家、物资回收单位处置****处理场处置；一般固废暂存应采取“防渗漏、防雨淋、防扬尘”等措施。危险废物包含废冷却液、废切削液、废抛光液、酸洗废液、废蜡、废弃的沸石转轮、废擦拭纸、空压机含油废液、废含油棉纱手套、废润滑油、废润滑油桶、危化品包装桶（袋）等，应分类、分区储存于危废暂存间，并按规定交有危险废物处理资质的单位处置；危险废物厂内暂存应符合《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）要求，转移应按照《危险废物转移管理办法》******部交通运输部部令第23号）要求执行。运营期生活垃圾交环卫部门处置。

生活垃圾分类收集后由环卫部门统一清运。M1厂房内设置一间一般工业固废间，建筑面积约85m2，用于暂存一般工业固体废物。厂区西南侧建设了一间危险废物贮存库，建筑面积1140m2，地面进行重点防渗处理，分区贮存，危险废物主要包含废切削液、酸洗废液、废冷却液、废抛光液、空压机含油废液、废润滑油油、废润滑油桶、废蜡、废含油面纱手套、废擦拭纸、废化学品包装桶、废弃沸石转轮、含氟污泥、废碱、废酸液、实验室废液、废树脂、废化学品、废切割油泥、含危废沾染物等，定期分类交由**中明****公司、******公司处置。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程