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SITRI 220nm SOI硅光有源MPW流片服务 (XJD2026111300037) 采购公告

公告-招标公告

陕西 -西安

发布时间： 2026年11月13日

标书代写官方

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IT 服务采购公告

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SITRI 220nm SOI硅光有源MPW流片服务 (****) 采购公告

发布时间：2026-11-13 17:57:44

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式签约时间要求到货时间要求预算总价币种收货地址现场踏勘供应商资质要求

SITRI 220nm SOI硅光有源MPW流片服务	****
2026-11-13 17:57:44	2026-11-17 12:00:01
****	货到安装、调试、验收合格后，付全款。
发布竞价结果后7天内签订合同	发布竞价结果后7天内送达
128000.00	人民币
省市区**

无

采购清单 1

采购商品采购数量计量单位附件

SITRI 220nm SOI硅光有源MPW流片服务

1.00

无

品牌型号预算单价规格参数售后服务

SITRI

无

128000.00 元

一、采购配置名称：220nm SOI硅光有源MPW流片服务；数量：1个block（3 mm×10 mm，交付25颗裸片）；品牌：SITRI****研发中心有限公司）；工艺库：SITRI SOI PDK4.0；是否标配：是。二、主要工艺与器件指标 1) 晶圆：8英寸SOI，顶层硅220±5 nm，埋氧层3000±50 nm，衬底电阻率750 Ω﹒cm； 2) 刻蚀工艺：三步硅刻蚀70/60/150 nm，实现220/150/130/90 nm硅厚组合；Si深槽刻蚀约100 μm；最小特征尺寸0.09 μm，套刻精度≤80 nm； 3) 波导损耗：条形波导C波段~2 dB/cm、O波段~4 dB/cm；Rib150脊波导C波段~0.9 dB/cm；Rib90脊波导C波段~1.7 dB/cm； 4) 无源器件：边缘耦合器~2.2 dB/facet；光栅耦合器~4 dB/facet、3 dB带宽~57 nm；1×2 MMI损耗~0.15 dB；交叉波导损耗 lt;0.1 dB、串扰35 GHz；Ge探测器带宽 gt;30 GHz、暗电流0.8 A/W；热光相移器Pπ~8~19 mW； 6) 电学参数：TiN热电极方阻11.9 Ω/□；M1/M2方阻0.033/0.013 Ω/□；P++/N++注入区方阻97.75/40.76 Ω/□。三、工作条件及交付要求 1) 设计规则：设计网格0.001 μm，仅允许一个top cell；提供KLayout黑盒器件库与DRC验证脚本； 2) 交付：25颗裸片（Gel-Pak包装）及晶圆级测试报告（5个抽样点）；沿划片道标准切割，不切穿客户block； 3) 使用币种：人民币。

按行业标准提供服务，质保期36个月。