湖南场效应晶体管招标采购

...号 技术 要求 计量 单位 数量 交货 时间 交货 地点 备注 1 损伤效应测试系统 用于场效应晶体管、低噪声放大器和限幅器芯片等的自动化注入效应测试，以及对损伤前后的场效应晶体管等半导体芯片的伏安特性、转移特性等进行不同温度下的探针台上的小信号测试和对场效应晶体管等半导体芯片所用晶圆进行范德堡法测试和不同温度下的载流子迁移率等特性的测试。 具体详见“第六章...( 场效应晶体管 在正文中 )

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...号 技术 要求 计量 单位 数量 交货 时间 交货 地点 备注 1 损伤效应测试系统 用于场效应晶体管、低噪声放大器和限幅器芯片等的自动化注入效应测试，以及对损伤前后的场效应晶体管等半导体芯片的伏安特性、转移特性等进行不同温度下的探针台上的小信号测试和对场效应晶体管等半导体芯片所用晶圆进行范德堡法测试和不同温度下的载流子迁移率等特性的测试。 具体详见“第六章...( 场效应晶体管 在正文中 )

...发器件的无损集成方法，通过全范德华集成方法组装石墨烯霍尔棒器件、硫化钼等过渡金属硫族化合物场效应晶体管及阵列 （1）适用范围：针对筛选后的任意异质结，可实现电极的定制和在器件的原位集成； （2）界面质量要求：二维材料有效重叠区域横向尺寸大于5um，气泡数≤10个，气泡横向尺寸≤2um; （3）界面清洁程度要求：接触界面不引入污染物； （4）以上指标出具第三方...( 场效应晶体管 在正文中 )

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...号 技术 要求 计量 单位 数量 交货 时间 交货 地点 备注 1 损伤效应测试系统 用于场效应晶体管、低噪声放大器和限幅器芯片等的自动化注入效应测试，以及对损伤前后的场效应晶体管等半导体芯片的伏安特性、转移特性等进行不同温度下的探针台上的小信号测试和对场效应晶体管等半导体芯片所用晶圆进行范德堡法测试和不同温度下的载流子迁移率等特性的测试。 具体详见“第六章...( 场效应晶体管 在正文中 )

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...工艺虚拟仿真实验平台一套，包含一套氮化镓基高电子迁移率晶体管工艺流程虚拟仿真实验平台，用于场效应晶体管工艺流程教学虚拟仿真平台的建设。 合同签订后6个月内完成交付。 湖南省长沙市 说明：报价供应商应当对所投包内所有服务内容进行唯一报价，否则视为无效报价。 1.本项目是否接受联合体谈判：不接受； 2.最高限价：58万元（人民币，含税）； 四、报价供应商资格条件...( 场效应晶体管 在正文中 )

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...软硬件于一体。适用于纳米材料（如二维材料、钙钛矿材料、有/无机半导体材料等）和纳米器件（如场效应晶体管、光伏电池、自旋阀、自旋存储器件、发光二极管器件等）等等在光、电、磁、温复合场耦合作用下的测试需求，也可与其他光、电设备高度集成用于光致发光、自旋光伏效应、磁光克尔效应、椭圆偏振、傅里叶红外等测试。 需满足的要求:基础系统采用闭循环制冷无需灌装液氦及液氮等制...( 场效应晶体管 在正文中 )

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