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[BA202500428]探测器后段流片服务备案公示公告(更正)

吉林 -长春

发布时间： 2025年05月13日

摘要信息

招标单位

招标编号

招标估价

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招标代理机构

代理联系人

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投标截止时间

关键信息

探测器服务公告

招标详情

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相关单位：

***********公司企业信息

[****]探测器后段流片服务备案公示公告(更正)

发布时间：2025-05-13 09:18:50

采购信息

项目编号项目名称经办人单位经办人预算金额成交金额成交供应商联系地址付款方式供应商联系手机服务时间服务地址验收方式售后服务要求采购材料

****	探测器后段流片服务
****学院	宋俊峰
290000.00 人民币	290000.00 人民币
****
市-市辖区-中国()自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼	采购单位	****
服务完毕验收合格后100%付款。
177****8376	2025年05月16日至 2025年05月31日
省-市-**大街2699号
以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以甲方职能部门规定为准。
1）质保期：货到验收合格之日起 12 个月 2）售后服务提供商：****公司 3）服务响应时间与服务内容电话相应时间：1 小时
供应商列表.pdf

明细清单

采购品目名称单位数量单价总价范围/服务内容及要求

电子、通信与自动控制技术研究服务	芯片流片服务
项	1
￥290,000.00	￥290,000.00
1. 服务范围根据服务要求，完成流片过程中包括锗材料外延、锗区的离子注入、金属打孔与金属互连制作在内的关键工艺步骤。 2. 服务内容（1）锗材料外延 ● 需在SOI基底的指定区域内完成高质量锗（Ge）外延生长； ● 外延方式建议为低温Ge种子层+高温Ge厚膜生长，厚度范围约为1–2 μm； ● 表面粗糙度要求RMS < 1 nm，以满足后续器件集成需求。（2）离子注入与激活退火 ● 对外延Ge区域进行掺杂，掺杂类型包括p型和n型（如B、P等），注入能量和剂量将根据器件仿真参数设定； ● 注入后需执行标准退火工艺进行激活，温度与时间需与Ge兼容。（3）金属开窗与互连制作 ● 在器件接触区域打孔以暴露接触面，适配后续金属沉积； ● 金属材料建采用Ti/TiN/Al； ● 需完成引出Pad区制作，支持探针测试或打线封装。序号项目金额（万元） 1) 锗薄膜生长 9.00 2) P型离子注入 8.00 3) N型离子注入 8.00 4) 金属沉积及刻蚀 4.00 3. 服务要求（1）流片完成后，期望交付形式为切割小片或整片（带测试Pad）；（2）对于关键器件区域，要求具备较高的重复性和一致性，若可能，请提供典型区域的工艺测试结果。