SOI晶圆（XF-WSBX-2500467）延期公告

延期理由：

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2025-10-21 18:00

项目名称

SOI晶圆

项目编号

****

公告开始日期

2025-10-16 16:18:54

公告截止日期

2025-10-21 18:00:00

采购单位

****

付款方式

货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额

联系人

成交后在我参与的项目中查看

联系电话

成交后在我参与的项目中查看

签约时间要求

成交后3个工作日内

到货时间要求

签约后3个工作日内

预算总价

￥ 406,800.00

收货地址

****中心水博园_校区A11楼FAB房间

供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

公告说明

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2025-10-21 18:00

采购商品

采购数量

计量单位

所属分类

SOI晶圆

25

张

合成材料

预算单价

￥ 8,136.00

技术参数及配置要求

技术规格Product Technical Specification:
1.1 规格见附页（COA规格）Specifications（COA content）：
No. Items Unit Specifications
1. Top Silicon layer
1.1 Metrology Edge Exclusion(EE) mm 3
*1.2 Top Silicon layer Thickness nm 220+/-3.5
1.3 Top Silicon layer Conductivity Type P type
1.4 Top Silicon layer Dopant Boron
*1.5 Top Silicon layer Resistivity ohm-cm 10-15
*1.6 Top Silicon layer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5°
1.7 Top Silicon layer Crystal Growth Method MCZ cop free
*1.8 localized light scatters defects (LLS)
>=0.09 um ea/wafer <=200
>=0.25 um ea/wafer <=50
1.9 Surface defects
(Edge chips, scratch, slip, stain) ea/wafer <=0
1.10 Voids>=0.5mm ea/wafer <=0
*1.11 Surface metal: Al, Ca, K, atom/cm2 <=3E10
*1.12 Surface metal: Fe, Cr, Cu, Ni, Zn, Na atom/cm2 <=1E10
1.13 Surface roughness <=4
2. Buried oxide layer
*2.1 BOX Thickness nm 2000+/-20
3. Handle wafer
*3.1 Handle wafer Thickness um 775+/-15
3.2 Handle wafer Conductivity Type P type
3.3 Handle wafer Dopant Boron
*3.4 Handle wafer Resistivity ohm-cm >=8
*3.5 Handle wafer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5°
*3.6 Handle wafer Notch Orientation degree <110> +/-0.5°
3.7 Handle wafer Crystal Growth Method MCZ
3.8 wafer ID marking Backside T7+OCR
3.9 Backside surface Oxidized
*3.10 Diameter mm 300.0+/-0.2
*3.11 Total Thickness Variation (GBIR) um <=10
*3.12 Warp um <=60
4. Shipping Box
4.1 Shipping Box SEP, MW300GT; 25pcs box
Back up:
Miraial KT3004A-4, ePAK eFOSB 300

售后服务

电话支持:7x8小时;质保期:1年;服务时限:报修后4小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;发放专项项目预算不控制，没有材料费选项，可以报销耗材支出。;

采购商品

采购数量

计量单位

所属分类

SOI晶圆

50

张

合成材料

预算单价

￥ 4,068.00

技术参数及配置要求

3BNQS2T000 Top 220nm，Box 2μm\降级
技术规格Product Technical Specification:
1.1 规格见附页（COA规格）Specifications（COA content）：
No. Items Unit Specifications
1. Top Silicon layer
1.1 Metrology Edge Exclusion(EE) mm 3
*1.2 Top Silicon layer Thickness nm 220+/-3.5
1.3 Top Silicon layer Conductivity Type P type
1.4 Top Silicon layer Dopant Boron
*1.5 Top Silicon layer Resistivity ohm-cm 10-15
*1.6 Top Silicon layer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5°
1.7 Top Silicon layer Crystal Growth Method MCZ cop free
*1.8 localized light scatters defects (LLS)
>=0.09 um ea/wafer <=200
>=0.25 um ea/wafer <=50
1.9 Surface defects
(Edge chips, scratch, slip, stain) ea/wafer <=0
1.10 Voids>=0.5mm ea/wafer <=0
*1.11 Surface metal: Al, Ca, K, atom/cm2 <=3E10
*1.12 Surface metal: Fe, Cr, Cu, Ni, Zn, Na atom/cm2 <=1E10
1.13 Surface roughness <=4
2. Buried oxide layer
*2.1 BOX Thickness nm 2000+/-20
3. Handle wafer
*3.1 Handle wafer Thickness um 775+/-15
3.2 Handle wafer Conductivity Type P type
3.3 Handle wafer Dopant Boron
*3.4 Handle wafer Resistivity ohm-cm >=8
*3.5 Handle wafer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5°
*3.6 Handle wafer Notch Orientation degree <110> +/-0.5°
3.7 Handle wafer Crystal Growth Method MCZ
3.8 wafer ID marking Backside T7+OCR
3.9 Backside surface Oxidized
*3.10 Diameter mm 300.0+/-0.2
*3.11 Total Thickness Variation (GBIR) um <=10
*3.12 Warp um <=60
4. Shipping Box
4.1 Shipping Box SEP, MW300GT; 25pcs box
Back up:
Miraial KT3004A-4, ePAK eFOSB 300

售后服务

电话支持:7x8小时;质保期:1年;服务时限:报修后4小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;发放专项项目预算不控制，没有材料费选项，可以报销耗材支出。;