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SOI晶圆（XF-WSBX-2500467）延期公告

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浙江 -杭州

发布时间： 2025年10月27日

摘要信息

招标单位

招标编号

招标估价

招标联系人

招标代理机构

代理联系人

报名截止时间

投标截止时间

关键信息

晶圆公告

招标详情

下文中****为隐藏内容，仅对千里马会员开放，如需查看完整内容请或拨打咨询热线： 400-688-2000

相关单位：

***********公司企业信息

延期信息

延期理由：

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2025-10-30 16:00

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

SOI晶圆	****
2025-10-09 11:31:43	2025-10-30 16:00:00
****	货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额

	签约后3个工作日内
￥406800.00




****中心水博园_校区A11楼FAB房间
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

SOI晶圆

张

合成材料

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 8136.00

技术规格Product Technical Specification: 1.1 规格见附页（COA规格）Specifications（COA content）： No. Items Unit Specifications 1. Top Silicon layer 1.1 Metrology Edge Exclusion(EE) mm 3 *1.2 Top Silicon layer Thickness nm 220+/-3.5 1.3 Top Silicon layer Conductivity Type P type 1.4 Top Silicon layer Dopant Boron *1.5 Top Silicon layer Resistivity ohm-cm 10-15 *1.6 Top Silicon layer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5° 1.7 Top Silicon layer Crystal Growth Method MCZ cop free *1.8 localized light scatters defects (LLS) >=0.09 um ea/wafer <=200 >=0.25 um ea/wafer <=50 1.9 Surface defects (Edge chips, scratch, slip, stain) ea/wafer <=0 1.10 Voids>=0.5mm ea/wafer <=0 *1.11 Surface metal: Al, Ca, K, atom/cm2 <=3E10 *1.12 Surface metal: Fe, Cr, Cu, Ni, Zn, Na atom/cm2 <=1E10 1.13 Surface roughness <=4 2. Buried oxide layer *2.1 BOX Thickness nm 2000+/-20 3. Handle wafer *3.1 Handle wafer Thickness um 775+/-15 3.2 Handle wafer Conductivity Type P type 3.3 Handle wafer Dopant Boron *3.4 Handle wafer Resistivity ohm-cm >=8 *3.5 Handle wafer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5° *3.6 Handle wafer Notch Orientation degree <110> +/-0.5° 3.7 Handle wafer Crystal Growth Method MCZ 3.8 wafer ID marking Backside T7+OCR 3.9 Backside surface Oxidized *3.10 Diameter mm 300.0+/-0.2 *3.11 Total Thickness Variation (GBIR) um <=10 *3.12 Warp um <=60 4. Shipping Box 4.1 Shipping Box SEP, MW300GT; 25pcs box Back up: Miraial KT3004A-4, ePAK eFOSB 300

电话支持:7x8小时;质保期:1年;服务时限:报修后4小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;发放专项项目预算不控制，没有材料费选项，可以报销耗材支出。;

采购清单2

采购商品采购数量计量单位所属分类

SOI晶圆

张

合成材料

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 4068.00

3BNQS2T000 Top 220nm，Box 2μm\降级技术规格Product Technical Specification: 1.1 规格见附页（COA规格）Specifications（COA content）： No. Items Unit Specifications 1. Top Silicon layer 1.1 Metrology Edge Exclusion(EE) mm 3 *1.2 Top Silicon layer Thickness nm 220+/-3.5 1.3 Top Silicon layer Conductivity Type P type 1.4 Top Silicon layer Dopant Boron *1.5 Top Silicon layer Resistivity ohm-cm 10-15 *1.6 Top Silicon layer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5° 1.7 Top Silicon layer Crystal Growth Method MCZ cop free *1.8 localized light scatters defects (LLS) >=0.09 um ea/wafer <=200 >=0.25 um ea/wafer <=50 1.9 Surface defects (Edge chips, scratch, slip, stain) ea/wafer <=0 1.10 Voids>=0.5mm ea/wafer <=0 *1.11 Surface metal: Al, Ca, K, atom/cm2 <=3E10 *1.12 Surface metal: Fe, Cr, Cu, Ni, Zn, Na atom/cm2 <=1E10 1.13 Surface roughness <=4 2. Buried oxide layer *2.1 BOX Thickness nm 2000+/-20 3. Handle wafer *3.1 Handle wafer Thickness um 775+/-15 3.2 Handle wafer Conductivity Type P type 3.3 Handle wafer Dopant Boron *3.4 Handle wafer Resistivity ohm-cm >=8 *3.5 Handle wafer Crystal Orientation degree (100) +/-0.5° *3.6 Handle wafer Notch Orientation degree <110> +/-0.5° 3.7 Handle wafer Crystal Growth Method MCZ 3.8 wafer ID marking Backside T7+OCR 3.9 Backside surface Oxidized *3.10 Diameter mm 300.0+/-0.2 *3.11 Total Thickness Variation (GBIR) um <=10 *3.12 Warp um <=60 4. Shipping Box 4.1 Shipping Box SEP, MW300GT; 25pcs box Back up: Miraial KT3004A-4, ePAK eFOSB 300

电话支持:7x8小时;质保期:1年;服务时限:报修后4小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;发放专项项目预算不控制，没有材料费选项，可以报销耗材支出。;