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| 镀银硅片 | 迈塔光电 | 2950.00 | 质保:无。 售后服务:公司中标后送货上门,负责协助验收;本项目要求供应商具有本地化服务能力,本地化服务的能力是指具有以下条件之一:1、在本地注册成立的;2、在本地具****公司、办事处、售后服务机构等),具有固定的办公场所及人员。备注:“本地”系指:**市 | ① 尺寸:直径8英寸 ② 单晶硅衬底: 单晶硅片厚度:50um; 掺杂类型:N型; 单晶硅片晶向:100; 硅片厚度偏差值:<1um; 表面粗糙度Ra:<0.2nm; 表面氧化层厚度:<1nm 电阻率:<0.1 Ω*cm-1; 少子寿命:≥1000us 氧含量:≤5.75*1017 at/cm3 碳含量:≤5*1016 at/cm3 ③ 表面镀银: 单面抛光,镀层厚度:100nm; 膜层粗糙度Ra:≤0.5 nm; 膜层纯度:≥99.99% ④ 镀膜工艺:磁控溅射/电子束蒸发 3、提供在该规格硅片上进行低残留转移制备低维材料异质结工艺参数、流程及转移实例 | 15.0片 | MT-SAG-08 | 44250.00 | **** | |
| 镀铜硅片 | 迈塔光电 | 2950.00 | 质保:无。 售后服务:公司中标后送货上门,负责协助验收;本项目要求供应商具有本地化服务能力,本地化服务的能力是指具有以下条件之一:1、在本地注册成立的;2、在本地具****公司、办事处、售后服务机构等),具有固定的办公场所及人员。备注:“本地”系指:**市 | ① 尺寸:直径8英寸 ② 单晶硅衬底: 单晶硅片厚度:50um; 掺杂类型:N型; 单晶硅片晶向:100; 硅片厚度偏差值:<1um; 表面粗糙度Ra:<0.2nm; 表面氧化层厚度:<1nm 电阻率:<0.1 Ω*cm-1; 少子寿命:≥1000us 氧含量:≤5.75*1017 at/cm3 碳含量:≤5*1016 at/cm3 ③ 表面镀铜: 单面抛光,镀层厚度:100nm; 膜层粗糙度Ra:≤0.5 nm; 膜层纯度:≥99.99% ④ 镀膜工艺:磁控溅射/电子束蒸发 3、提供在该规格硅片上进行低残留转移制备低维材料异质结工艺参数、流程及转移实例 | 15.0片 | MT-SCU-08 | 44250.00 | **** | |
| 单抛氧化带标记硅片 | 迈塔光电 | 4970.00 | 质保:无。 售后服务:公司中标后送货上门,负责协助验收;本项目要求供应商具有本地化服务能力,本地化服务的能力是指具有以下条件之一:1、在本地注册成立的;2、在本地具****公司、办事处、售后服务机构等),具有固定的办公场所及人员。备注:“本地”系指:**市 | ① 尺寸:直径8英寸 ② 单面抛光,双面氧化; 氧化层厚度300±5nm; 晶向:100; 掺杂类型:N型; 电阻率:<0.1 Ω*cm-1; 表面粗糙度Ra:≤0.5nm; 厚度偏差TTV:≤5um; 翘曲度Warp:<40um; 弯曲度Bow:≤40um; 氧含量:10-17ppma; 碳含量:<0.5ppma ③ 标记材料:30nm Cr金属; ④ 标记数字规格:以10*10mm为基本单元,每个单元里标记100个数字,数字间隔900um,数字尺寸50um*50um,线宽10um。 3、提供在该规格硅片上进行低残留转移制备低维材料异质结工艺参数、流程及转移实例 | 15.0片 | MT-SOI-M-08 | 74550.00 | **** |