6英寸碳化硅多次外延晶片(A-WZBX1250)采购公告

发布时间: 2025年11月27日
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6英寸碳化硅多次外延晶片****
2025-11-27 16:49:182025-11-30 18:00:00
****
签约后5个工作日内
¥980000.00
海韵园物理大楼124

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件


采购清单1
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
6英寸碳化硅外延晶片 50
品牌 型号 预算单价 技术参数及配置要求 参考链接 售后服务
¥ 19600.00
6英寸碳化硅外延晶片 -超结器件用多次外延 第一次外延生长: Epi layer1 (N type) Thickness: 6~8 μm; Doping: 5E16~1E17 cm-3 Buffer layer (N type) Thickness: 0.5 μm; Doping: 1E18 cm-3 第二次外延生长: Epi layer2 (P type) 沟槽回填 深宽比: 6~8 μm : ~1 μm; Doping: ~1E17 cm-3 表面CMP处理: CMP后表面粗糙度<0.5nm 衬底规格: Wolfspeed U200 或 SICC P级 4H-SiC (N type); Φ150 mm; Thickness: (350±25) μm; MPD<=1cm-2; Orientation: 4° off-axis toward <11-20>; Both sides polished/Si-face CMP treated
商品承诺:原厂全新未拆封正品;

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2025-11-27
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6英寸碳化硅多次外延晶片(A-WZBX1250)采购公告
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