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6英寸碳化硅多次外延晶片（A-WZBX1250）延期公告

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福建 -厦门

发布时间： 2025年12月01日

摘要信息

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投标截止时间

关键信息

碳化硅晶片公告

招标详情

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相关单位：

***********公司企业信息

延期信息

延期理由：

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2025-12-03 13:00

项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

6英寸碳化硅多次外延晶片	****
2025-11-27 16:49:18	2025-12-03 13:00:00
****

	签约后5个工作日内
￥980000.00




海韵园物理大楼124
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

6英寸碳化硅外延晶片

个

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 19600.00

6英寸碳化硅外延晶片 -超结器件用多次外延第一次外延生长： Epi layer1 (N type) Thickness: 6~8 μm; Doping: 5E16~1E17 cm-3 Buffer layer (N type) Thickness: 0.5 μm; Doping: 1E18 cm-3 第二次外延生长： Epi layer2 (P type) 沟槽回填深宽比: 6~8 μm : ~1 μm; Doping: ~1E17 cm-3 表面CMP处理： CMP后表面粗糙度<0.5nm 衬底规格： Wolfspeed U200 或 SICC P级 4H-SiC (N type); Φ150 mm; Thickness: (350±25) μm; MPD<=1cm-2; Orientation: 4° off-axis toward <11-20>; Both sides polished/Si-face CMP treated

商品承诺:原厂全新未拆封正品;

附件下载:标书代写厦大（家具外通用、科研）合同.doc

附件下载:标书代写****进口货物采购合同（2025年修订版）.docx

附件（2）