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华中师范大学 - 竞价结果公告（CF105112026000011）
招标详情
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400-688-2000
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**** - 竞价结果公告（****）
发布时间：2026-03-27 14:53:27
申购单号： ****
申购主题： 物理学院Topmetal时间投影室专用芯片流片服务
采购单位： ****
竞价开始时间： 2026-03-23 14:25:54
竞价截至时间： 2026-03-26 17:00:35
币种： 人民币
付款方式： 合同签订后预付80%，货物验收合格后付尾款
备注说明：
质疑说明： 如果对成交结果有异议，请在发布成交结果之日起三个工作日内向采购单位提出质疑
成交总额： 183630.00
送货时间： 合同签订后90天内送达
安装要求： 免费上门安装（含材料费）
收货地址：
****流片服务采购需求.docx
| Topmetal时间投影室专用芯片流片服务 | 4875.00 | 4590.75 | 1）需提供免费划片服务。 2）质保期1年。 3）如需减薄，可协助提供免费减薄服务。 | TSMC 180nm BCD制程下的MPW芯片（40颗） 180nm BCD GenerationII 1.8V/5V制程；支持6层以上metal options。 含划片服务,设计文件定制服务，MPW流片服务。 1)180 nm BCD集成工艺制程; BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一集成电路上。综合双极器件高跨导、 强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的二者性能，可提升探测器的性能并降低功耗。 2)支持1.8/5V核心器件； 3)支持6层以上metal options; 4)具备完整的HVT/SVT/LVT 的**度数字电路单元库, 包括OA格式设计库； 5)具备完整的数字IO库和模拟IO库, 包括OA格式设计库； 6)支持深N阱和深P阱； 7)支持2fF/um的MIM电容; 8)顶层金属厚度40kA 9)支持MIM电容的MIM层在M4与M5之间 10)支持高阻电阻每方块3kohm 11)diode支持70V耐压 12)提供SRAM IP; 13)多平台PDK（Process Design Kit）版本提供，全程PDK使用技术指导及后期验证辅助； 14)全流程协助产品Tapeout流程，包括数据填报，数据上传，DRC/LVS复查。 15)支持5mm x 5mm芯片流片 在满足上述工艺与器件要求的基础上，进行180nm BCD 工艺MPW流片： 1)40颗芯片 2)提供出厂质量监控数据 3)提供PCM（process control monitoring）数据 | 40.0颗 | 183630.00 | **** |
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招标进度跟踪
2026-03-27
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华中师范大学 - 竞价结果公告（CF105112026000011）
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