招标详情
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**** - 竞价结果公告(****)
发布时间:2026-04-08 10:01:53
申购单号: ****
申购主题: 芯片流片
采购单位: ****
竞价开始时间: 2026-04-02 16:44:32
竞价截至时间: 2026-04-07 16:44:26
币种: 人民币
付款方式: 货到验收合格后付款
备注说明: 采购需求:货物类 名称:GaAs/GaN ≤250nm HEMT流片 规格型号: 小于等于250nm HEMT 工艺流片 ①.先进工艺制程; ②.MPW流片; ③.layout size≥ 4*8mm; ④.数量10颗 ⑤.两层金属 ⑥背面金属⑦.表面有钝化层⑧含有四种电感尺寸,三种电容,电容密度为0.36fF/um2、0.6fF/um2、1.2fF/um2提供定制化器件模型PDK和后续芯片载片测试、装配腔体测试以及高低温测试(包含功率特性、效率特性、线性度、开关时间、环形顶降、相位非线性、loadpull阻抗信息)等可靠性性能测试满足卫星通信要求,并提供特定封装。
质疑说明: 如果对成交结果有异议,请在发布成交结果之日起三个工作日内向采购单位提出质疑
成交总额: 175000.00
送货时间:
安装要求: 免费上门安装(含材料费)
收货地址:
采购项 品牌 单项预算 成交单价 质保及售后服务 技术参数 数量 型号 成交总价 成交供应商
| 芯片流片 | 无 | | 17500.00 | 质保3年 | 采购需求:货物类 名称:GaAs/GaN ≤250nm HEMT流片 规格型号: 小于等于250nm HEMT 工艺流片 ①.先进工艺制程; ②.MPW流片; ③.layout size≥ 4*8mm; ④.数量10颗 ⑤.两层金属 ⑥背面金属⑦.表面有钝化层⑧含有四种电感尺寸,三种电容,电容密度为0.36fF/um2、0.6fF/um2、1.2fF/um2提供定制化器件模型PDK和后续芯片载片测试、装配腔体测试以及高低温测试(包含功率特性、效率特性、线性度、开关时间、环形顶降、相位非线性、loadpull阻抗信息)等可靠性性能测试满足卫星通信要求,并提供特定封装。 | 10.0个 | GaAs/GaN ≤250nm HEMT流片 规格型号: 小于等于250nm HEMT 工艺流片 | 175000.00 | **** |