【竞价采购】超宽禁带半导体与光电器件团队2英寸铂铑坩埚采购结果公告

发布时间: 2026年08月13日
摘要信息
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招标详情
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【竞价采购】超宽禁带半导体与光电器件团队2英寸铂铑坩埚采购结果公告
发布时间:2026-08-13
中标信息
成交供应商: ****
选择理由: 总价最低,推荐成交
质疑投诉说明: 如有质疑,请在七个工作日内将质疑说明文件(纸质)递交****办公室 ,逾期不予受理。
项目名称 超宽禁带半导体与光电器件团队2英寸铂铑坩埚采购 项目编号 ****
采购单位 **** 是否本地化服务
采购预算(元) ¥199,900.00 成交金额 ¥164,782.00
采购联系人 中标后在我参与的项目中查看 联系方式 中标后在我参与的项目中查看
售后服务
供应商响应须知 请供应商上传一份正式的书面报价文件,签名并加盖公章,包含技术参数、付款方式、服务要求等内容,若有其他附件也可上传。 付款条款 货到验收合格后一次性支付全款
送货/施工/服务期限 合同生效之日起14日内 送货/施工/服务地址 **省**市**区阳光大道1号

采购清单
1
采购内容 是否进口 品牌 计量单位 采购数量 分项报价
2英寸铂铑坩埚 不限定品牌型号 1 ¥164,782.00
技术参数要求 1、材质:Pt:Rh=80:20(铑含量20 wt%),熔点 >1850℃,满足氧化镓生长高温要求; 2、坩埚内径55mm,等径高度90mm,籽晶断长55mm; 3、坩埚重量约189g; 4、坩埚尺寸形状针对VB法氧化镓晶体生长过程进行过温度场模拟仿真优化,满足氧化镓晶体生长需求; 5、供应商有能力提供匹配坩埚尺寸的氧化镓籽晶; 6、机械应力评价:需要提供产品用于VB法氧化镓晶体生长过程中对晶体造成的机械应力仿真分析结果; 7、防漏料措施:通过特殊设计,保证晶体正常生长过程中坩埚不发生泄露; 8、防变形设计:通过特殊设计,保证晶体正常生长过程中坩埚不发生变形; 9、须提供Ga2O3单晶生长验证:同结构、尺寸坩埚经过VB法生长2英寸氧化镓晶体的验证,非理论设计产品,确保坩埚不发生漏料、变形。

招标进度跟踪
2026-08-13
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