氮化硅招标变更

8英寸MEMS晶圆生产线之低应力氮化硅生长炉和原位掺杂多晶硅生长炉国际招标澄清或变更公告(3).pdf( 氮化硅 在正文中 )

...应气体，形成等离子体，进行化学反应，在硅片表面淀积薄膜。PECVD主要用于产品中二氧化硅、氮化硅的制备。 资金到位或资金来源落实情况:已到位 项目已具备招标条件的说明:已具备 2、招标内容 招标项目编号:0664-2440SUMECF28/05 招标项目名称:8英寸MEMS晶圆生产线之PECVD 项目实施地点:中国安徽省 招标产品列表(主要设备): 序号 产...( 氮化硅 在正文中 )

...编号：0664-2440SUMECF28/06 项目名称：8英寸MEMS晶圆生产线之低应力氮化硅生长炉和原位掺杂多晶硅生长炉 项目名称(英文)：8-inch MEMS wafer production line: low-stress silicon nitride growth furnace and in-situ doped polysilicon g...( 氮化硅 在正文中 )

8英寸MEMS晶圆生产线之低应力氮化硅生长炉和原位掺杂多晶硅生长炉重新招标澄清或变更公告(2).pdf( 氮化硅 在正文中 )

陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购重新招标澄清或变更公告(1).pdf( 氮化硅 在正文中 )

陕西光电子先导院科技有限公司LPCVD炉管（氮化硅）、LPCVD炉管（非晶硅）、合金炉管采购重新招标澄清或变更公告(1).pdf( 氮化硅 在正文中 )

...招标采用传统招标方式，现邀请合格投标人参加投标。 1、招标条件 项目概况:设备名称：低应力氮化硅生长炉、原位掺杂多晶硅生长炉 设备数量： 设备1 原位掺杂多晶硅生长炉（1台）：包含低应力多晶硅/多晶硅/原位掺杂多晶硅工艺模块和TEOS工艺模块； 设备2 低应力氮化硅生长炉（1台）：包含低应力氮化硅工艺模块和氮化硅工艺模块。 设备用途：用于生长低应力氮化硅/原...( 氮化硅 在正文中 )

...应气体，形成等离子体，进行化学反应，在硅片表面淀积薄膜。PECVD主要用于产品中二氧化硅、氮化硅的制备。 资金到位或资金来源落实情况:已到位 项目已具备招标条件的说明:已具备 2、招标内容 招标项目编号:0664-2440SUMECF28/05 招标项目名称:8英寸MEMS晶圆生产线之PECVD 项目实施地点:中国安徽省 招标产品列表(主要设备): 序号 产...( 氮化硅 在正文中 )

...品目5 设备名称：BOE湿台 设备数量：1台 设备用途：本设备适用于八寸晶圆二氧化硅腐蚀、氮化硅腐蚀工艺，采用HF、NH4F、H3PO4溶液通过化学反应达到腐蚀二氧化硅和氮化硅的目的。 资金到位或资金来源落实情况:已到位 项目已具备招标条件的说明:已具备 2、招标内容 招标项目编号:0664-2440SUMECF20/02 招标项目名称:8英寸MEMS晶圆生...( 氮化硅 在正文中 )

...标采用传统招标方式，现邀请合格投标人参加投标。 1、招标条件 项目概况:设备名称：氧化硅、氮化硅刻蚀机 设备数量：3台 设备用途：氧化硅、氮化硅刻蚀机主要用于对8英寸MEMS工艺中氮化硅、氧化硅薄膜的刻蚀加工。 资金到位或资金来源落实情况:资金已到位 项目已具备招标条件的说明:已具备 2、招标内容 招标项目编号:0709-***7 招标项目名...( 氮化硅 在正文中 )

...mH2O，宜兴市宙斯泵业有限公司，P-104A/B新脱硫射流搅拌泵； 件 13 轴套；材质氮化硅陶瓷，泵型号250UHB-ZK，流量600m3/h，扬程17mH2O，宜兴市宙斯泵业有限公司，P-104A/B新脱硫射流搅拌泵； 件 项目说明： 供应商资格要求： 联系人： 邹** 联系电话： 18****** 电子邮箱： 32****** 采 购 商： 贵州赤天...( 氮化硅 在正文中 )

...定陶省级氮化硅新材料产业园项目设计服务咨询和工程设计项目变更公告 一、项目基本情况： 1、项目名称：定陶省级氮化硅新材料产业园项目设计服务咨询和工程设计项目 2、项目编号：SDGPQJ-20231230 3、首次发布公告日期：2024年01月02日 变更信息： 二、变更内容：“第二章”“投标人须知”第21条投标保证金现变更为： 1、投标保证金的形式：以银行汇...( 氮化硅 在正文中 )

...mH2O，宜兴市宙斯泵业有限公司，P-104A/B新脱硫射流搅拌泵； 件 13 轴套；材质氮化硅陶瓷，泵型号250UHB-ZK，流量600m3/h，扬程17mH2O，宜兴市宙斯泵业有限公司，P-104A/B新脱硫射流搅拌泵； 件 项目说明： 供应商资格要求： 联系人： 邹** 联系电话： 18****** 电子邮箱： 32****** 采 购 商： 贵州赤天...( 氮化硅 在正文中 )

...本情况 原公告的项目编号：0722-2023FE5466SZF-0 原公告的采购项目名称：氮化硅低压化学气相沉积(LPCVD)设备采购项目 首次公告日期：2023年11月13日 二、更正信息 更正事项：招标公告和招标文件 更正内容： 1.现对《招标文件》第二章用户需求书商务部分“★关于付款方式之3.2”作如下内容更正： 序号 目录 商务需求 3 ★关于付款方...( 氮化硅 在正文中 )

...采购增材试验专用硬质材料，具体为金属化碳化硅：810kg、金属化碳化硼：720kg、金属化氮化硅：710kg；详见招标文件“第四章 项目需求”； （3）第四章项且需求: 2.1 金属化碳化硅:数量 810kg、2.2 金属化碳化硼:数量720kg、2.3金属化氮化硅:数量 710kg; （4）第五章 评标标准中投标报价说明：1.1价格分采用低价优先法计算，即...( 氮化硅 在正文中 )

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...180lx，弱光初始照度为120lx至180lx，强光爆闪频率为8Hz至10Hz。攻击头的氮化硅球部分能够击碎5mm厚钢化玻璃，氮化硅球不掉落、碎裂 3.产品应符合GA 883-2018《公安单警装备强光手电》标准的要求 4.提供3年质保，质保期间非人为损坏免费维修或更换 ； 5.单警装备满足GA883-2018新标准 1.名称：公安单警装备强光手电 2.主...( 氮化硅 在正文中 )

...评审项6】2.4研磨罐材质：仪器可允许配置不锈钢、硬质钢、碳化钨、玛瑙、氧化锆、烧结刚玉、氮化硅等7种不同材质的研磨罐。 ★2.7设备的离心加速度≥30g (g为重力加速度) 其他内容不变 更正日期：2023年11月02日 三、其他补充事项 采购代理机构邮箱：zcsjfjxm@163.com 四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息...( 氮化硅 在正文中 )

...所属行业： ;其它设备; 招标项目编号：0613-***4 项目名称：应力氮化硅薄膜设备 项目名称(英文)：Stress SIN 招标人：上海华力集成电路制造有限公司 招标机构：上海机电设备招标有限公司 招标机构代码：0613 招标方式：公开招标 投标报价方式：线下投标 招标结果：重新招标...( 氮化硅 在正文中 )

...防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程-氮化硅结合碳化硅砖变更公告（三） 防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程-氮化硅结合碳化硅砖变更公告（三） 一、项目编号/名称：[GXJD-23111BB031157]防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程...( 氮化硅 在正文中 )

...31157]防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程-氮化硅结合碳化硅砖 二、招标人：中冶京诚工程技术有限公司 地址：北京经济开发区建安街7号 三、招标代理机构：广西机电设备招标有限公司 地址：广西柳州市北雀路117号柳钢经销公司五楼501室 项目联系人：江波、莫小凡、梁海凤 联系电话：0772-8256329 四、首次公...( 氮化硅 在正文中 )

...防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程-氮化硅结合碳化硅砖变更公告（一） 防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程-氮化硅结合碳化硅砖变更公告（一） 一、项目编号/名称：[GXJD-23111BB031157]防城港钢铁基地项目（一期）3号高炉系统高炉本体与辅助设施工程之采购与建安工程...( 氮化硅 在正文中 )

...鄂城钢铁2号高炉中修项目氮化硅结合碳化硅砖及碳化硅耐火泥公开招标变更公告 变更说明 投标文件递交截止时间由：2023年07月31日09时00分，变更为：2023年08月01日09时00分。 发布日期：2023年07月21日 招标编号：0270-2364A197-B05-829 上海宝华国际招标有限公司华中分公司（以下称招标机构）受欧冶工业品股份有限公司（以下...( 氮化硅 在正文中 )

...中硅高科高精密热等静压氮化硅陶瓷轴承粉体项目土建施工招标公告[变更公告] 信息时间：2023-07-25 一、项目基本信息 1、项目名称：中硅高科高精密热等静压氮化硅陶瓷轴承粉体项目土建施工 2、招标编号：孟津工施招标(2023)0183号 3、首次公告日期及发布媒体：2023年7月20日，《中国招标投标公共服务平台》、《河南省电子招标投标公共服务平台》及《...( 氮化硅 在正文中 )

...购 1批 中温氧化设备 6台 用于实现12吋半导体集成电路硅片制造流程中“中温氧化”的工艺氮化硅扩散设备 5台 用于实现12 吋半导体集成电路硅片制造流程中“用于实现12吋半导体集成电路硅片制造流程中“NITRIDE”的工艺”的工艺扩散合金设备 4台 用于实现12吋半导体集成电路硅片制造流程中“合金”的工艺金属刻蚀设备 4台 用于实现12 吋半导体集成电路硅...( 氮化硅 在正文中 )

发布时间： 2023-7-21 15:50:49 公告详情： 创新板材氮化硅保护套管采购询价（一口价）项目报价截止时间改为2023年7月23日 3：30：0( 氮化硅 在正文中 )

...1批 中温氧化设备 6台 用于实现12吋半导体集成电路硅片制造流程中“中温氧化”的工艺 氮化硅扩散设备 5台 用于实现12 吋半导体集成电路硅片制造流程中“用于实现12吋半导体集成电路硅片制造流程中“NITRIDE”的工艺”的工艺 扩散合金设备 4台 用于实现12吋半导体集成电路硅片制造流程中“合金”的工艺 金属刻蚀设备 4台 用于实现12 吋半导体集成电...( 氮化硅 在正文中 )

...***7 轴套|GMZ50—15—006|石灰乳泵GMZ50—15—15 氮化硅材质|山东博山水泵有限公司 个 3.0 13.0 2023-07-31 ***3 柱销|DIA30|脱盐水高压泵PWT100—65—315NS 和联轴器配合使用 个 80.0 13.0 2023-07-31 ***9 隔离套总成|氢...( 氮化硅 在正文中 )

....00 技术参数及配置要求 1）该设备用且仅于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀。控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构；2） 任何用金属作为掩膜材料的刻蚀（Si、SiO及SiN的刻蚀）可使用该台设备。主要刻蚀材料包括：Si、SiO、SiN、Ti、TiO2、TiN、GaO、PZT、Ni...( 氮化硅 在正文中 )

采购业主 中材高新氮化物陶瓷有限公司 所属地区 山东省 淄博市 加入日期 2023年06月03日 截止时间 2023年06月08日 正文内容 陶瓷级氮化硅粉采购项目变更公告 1、 项目名称：陶瓷级氮化硅粉采购项目 2、 招标编号：DHW-2023-12 3、联 系 人：肖珊珊 联 系 电 话：*** 开标时间因故故变更，具体时间见招标文件( 氮化硅 在正文中 )